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清华大学很好博士学位论文丛书纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究 版权信息
- ISBN：9787302557470
- 条形码：9787302557470 ; 978-7-302-55747-0
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
清华大学很好博士学位论文丛书纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究 本书特色
《纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究》的作者陈荣梅主要从事集成电路的辐射效应，碳纳米管互连线和晶体管的集成工艺、物理分析和电路建模与设计的研究工作，其研究成果得到国际知名专家和同行的高度认可。本书深入研究了纳米体硅CMOS工艺逻辑电路中单粒子效应的产生与传播受电路工作电压、频率和版图结构这些电路内在因素以及温度和总剂量两种空间环境变量的影响规律及其机理，可供相关领域的研究人员深度阅读。 本书稿属于清华大学优秀博士论文丛书之一，作者聚焦专业热门，现在法国继续从事相关专业的科学研究。
清华大学很好博士学位论文丛书纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究 内容简介
空间辐射环境对宇航电子系统构成严峻的可靠性威胁。纳米集成电路具有高性能、高集成度等优点，是未来宇航电子系统的必然选择。《纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究》深入研究纳米体硅CMOS工艺逻辑电路中单粒子效应的产生与传播受电路工作电压、频率和版图结构这些电路内在因素以及温度和总剂量两种空间环境变量的影响规律及其机理。
清华大学很好博士学位论文丛书纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究 目录
第1章 绪论
1．1 课题背景和意义
1．2 空间辐射环境
1．3 逻辑电路的辐射效应
1．3．1 单粒子效应和总剂量效应
1．3．2 逻辑电路的单粒子效应
1．4 国内外研究现状
1．4．1 纳米逻辑电路SEU软错误传播规律
1．4．2 版图结构对纳米逻辑电路SET影响
1．4．3 总剂量效应对纳米逻辑电路SEE影响
1．4．4 温度对纳米逻辑电路SEE影响
1．5 本书的目标和研究内容
第2章 纳米逻辑电路SEU软错误传播规律的研究
2．1 本章引论
2．2 逻辑电路SEU传播模型分析和仿真验证
2．2．1 现有的逻辑电路SEU传播模型分析
2．2．2 现有的逻辑电路SEU传播模型仿真验证
2．2．3 改进的逻辑电路SEU传播模型
2．3 改进的逻辑电路SEU传播模型的实验验证
2．3．1 电路设计和实验方法
2．3．2 实验结果和讨论
2．4 改进的逻辑电路SEU传播模型的应用
2．4．1 触发器SEU软错误的加固策略
2．4．2 逻辑电路SEE软错误动态截面评估
2．5 单粒子软错误传播规律的影响因素
2．5．1 电路设计
2．5．2 组合逻辑延迟时间的影响
2．5．3 入射粒子LET的影响
2．5．4 触发器抗SEU性能的影响
2．5．5 逻辑电路单粒子软错误截面的预测
2．6 本章小结
第3章 版图结构对纳米逻辑电路SET影响的研究
3．1 本章引论
3．2 电路设计和实验方法
3．2．1 电路设计
3．2．2 实验方法
3．3 实验结果和讨论
3．3．1 SET脉冲宽度测量精度和测量下限的标定
3．3．2 SET脉冲宽度展宽因子的标定
3．3．3 重离子垂直入射实验结果和分析
3．3．4 重离子斜入射实验结果和分析
3．3．5 激光微束单粒子效应实验结果和分析
3．3．6 对比分析和讨论
3．4 本章小结
……
第4章 总剂量对纳米逻辑电路SEE影响的研究
第5章 温度对纳米逻辑电路SEE的影响
第6章 总结与展望
参考文献
在学期间发表的相关学术论文
相关研究成果
致谢
1．1 课题背景和意义
1．2 空间辐射环境
1．3 逻辑电路的辐射效应
1．3．1 单粒子效应和总剂量效应
1．3．2 逻辑电路的单粒子效应
1．4 国内外研究现状
1．4．1 纳米逻辑电路SEU软错误传播规律
1．4．2 版图结构对纳米逻辑电路SET影响
1．4．3 总剂量效应对纳米逻辑电路SEE影响
1．4．4 温度对纳米逻辑电路SEE影响
1．5 本书的目标和研究内容
第2章 纳米逻辑电路SEU软错误传播规律的研究
2．1 本章引论
2．2 逻辑电路SEU传播模型分析和仿真验证
2．2．1 现有的逻辑电路SEU传播模型分析
2．2．2 现有的逻辑电路SEU传播模型仿真验证
2．2．3 改进的逻辑电路SEU传播模型
2．3 改进的逻辑电路SEU传播模型的实验验证
2．3．1 电路设计和实验方法
2．3．2 实验结果和讨论
2．4 改进的逻辑电路SEU传播模型的应用
2．4．1 触发器SEU软错误的加固策略
2．4．2 逻辑电路SEE软错误动态截面评估
2．5 单粒子软错误传播规律的影响因素
2．5．1 电路设计
2．5．2 组合逻辑延迟时间的影响
2．5．3 入射粒子LET的影响
2．5．4 触发器抗SEU性能的影响
2．5．5 逻辑电路单粒子软错误截面的预测
2．6 本章小结
第3章 版图结构对纳米逻辑电路SET影响的研究
3．1 本章引论
3．2 电路设计和实验方法
3．2．1 电路设计
3．2．2 实验方法
3．3 实验结果和讨论
3．3．1 SET脉冲宽度测量精度和测量下限的标定
3．3．2 SET脉冲宽度展宽因子的标定
3．3．3 重离子垂直入射实验结果和分析
3．3．4 重离子斜入射实验结果和分析
3．3．5 激光微束单粒子效应实验结果和分析
3．3．6 对比分析和讨论
3．4 本章小结
……
第4章 总剂量对纳米逻辑电路SEE影响的研究
第5章 温度对纳米逻辑电路SEE的影响
第6章 总结与展望
参考文献
在学期间发表的相关学术论文
相关研究成果
致谢
展开全部
清华大学很好博士学位论文丛书纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究 作者简介
陈荣梅,先后于2012年和2017年在清华大学取得本科和博士学位，现在法国国家科学院从事博士后研究。主要从事集成电路的辐射效应，碳纳米管互连线和晶体管的集成工艺、物理分析和电路建模与设计的研究。截止到目前在IEEE Transactions on Nuclear Science, Microelectronics, IEEE Transactions on Nanotechnology 等知名期刊上发表了近十篇论文，其中一作六篇。还有三篇文章在IEEE Transactions on Electron Devices上审稿。多次参加国际知名会议，并在集成电路辐射效应顶级会议NSREC和RADECS上做了数次口头报告，研究成果得到国际知名专家和同行的高度认可。
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