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  • 半导体激光器激光波导模式理论(下册)

    半导体激光器激光波导模式理论(下册)

    郭长志编著  /  2015-11-01  /  科学出版社
    ¥121.0(7.2折)定价:¥168.0

    本书讨论用半导体和金属等材料实现光波导腔作用的设计理论。共分四章，第一章论述经典场论基础、半导体和金属材料的光学性质及其理论、光波导腔的可能结构方案。第二、第三章分别系统讨论集中反馈方式的突变和缓变光波导结构与其光模式的空间和频谱分布的关系及其控制作用和设计。第四章讨论分布反馈方式的水平腔和垂直腔光波导结构与其光模式的空间和频谱分布的关系及其控制作用和设计...

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  • 半导体激光器激光波导模式理论-(上册)

    半导体激光器激光波导模式理论-(上册)

    郭长志编著  /  2015-10-01  /  科学出版社
    ¥128.2(7.2折)定价:¥178.0

    模式理论是研究激光在波导光腔中的传播规律、各种波导结构中可能存在的各种光模类型和模式结构特点，揭示激光模式结构与波导结构的内在联系，从而发现控制波导结构和模式结构的途径。由于光在传播过程中主要突出其波动性，量子场论和经典场论基本上导出相同的结果，因此完全可以从麦克斯韦方程组出发进行分析。其任务是找出器件性能所需的最佳激光模式结构和设计出其合理的波导光腔结构方案。本书是在作者1989年12月出版的《半导体激光模式理论》的基础上，作了修订

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  • 无机钙钛矿光电材料与器件

    无机钙钛矿光电材料与器件

    臧志刚，王华昕，赵双易  /  2023-09-01  /  科学出版社
    ¥126.8(7.5折)定价:¥169.0

    本书从无机钙钛矿光电材料的结构与基本性能出发，系统介绍了无机钙钛矿光电材料（量子点、薄膜和单晶）的不同制备方法与优势，重点阐述了该类材料在发光二极管、激光器、太阳能电池、光电探测器和电子器件等方面的应用进展及技术瓶颈。内容涵盖了该领域理论方面的基本概念和器件工作机理的解释，也对材料和器件的制备工艺及优化技术进行了详细阐述。同时，本书从无机钙钛矿光电材料的种类、性能和应用等方面出发，系统地总结和归纳了其发展历程，为读者展示了近十年来该领

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  • 多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用

    多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用

    贺朝会，唐杜，臧航，邓亦凡，田赏  /  2023-09-01  /  科学出版社
    ¥118.5(7.9折)定价:¥150.0

    本书从位移损伤的概念和特点入手，引入位移损伤缺陷的产生及演化模拟研究所涉及的模拟方法，系统介绍了不同尺度的模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，并分别给出了多尺度模拟方法在硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓材料位移损伤研究中的应用，实例展示多尺度模拟方法的具体应用，期望帮助相关科研人员掌握多尺度模拟方法。本书不同于多尺度模拟方法的简单教程，通过多尺度模拟研究揭示出

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  • 氮化物宽禁带半导体材料与电子器件

    氮化物宽禁带半导体材料与电子器件

    郝跃,张金风,张进成  /  2013-01-01  /  科学出版社
    ¥117.7(7.9折)定价:¥149.0

    郝跃和张金风等编著的《氮化物宽带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，AlCaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析

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  • 功率半导体器件:原理、特性和可靠性:physics, characteristics, reliability

    功率半导体器件:原理、特性和可靠性:physics, characteristics, reliability

    [德]约瑟夫·卢茨（JosefLut  /  2020-01-01  /  机械工业出版社
    ¥112.5(7.5折)定价:¥150.0

    本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关

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  • 功率半导体器件:封装、测试和可靠性

    功率半导体器件:封装、测试和可靠性

    邓二平、黄永章、丁立健 编著  /  2024-05-01  /  化学工业出版社
    ¥104.3(7.5折)定价:¥139.0

    本书讲述了功率半导体器件的基本原理，涵盖Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；综合分析和呈现了不同类型器件的封装形式、工艺流程、材料参数、器件特性和技术难点等；将功率器件测试分为特性测试、极限能力测试、高温可靠性测试、电应力可靠性测试和寿命测试等，并详细介绍了测试标准、方法和原理，同步分析了测试设备和数据等；重点从测试标准、方法、理论和实际应用各方面，详细介绍了高温可靠性测试和封装可靠性测试及其难点。本书结合企业实际需求

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