扫一扫
关注中图网
官方微博
>
关于“郝跃,张金风,张进成”检索到 共1种现货商品
-
氮化物宽禁带半导体材料与电子器件
¥117.7(7.9折)定价:¥149.0郝跃和张金风等编著的《氮化物宽带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，AlCaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析
