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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件
¥117.7(7.9折)定价:¥149.0郝跃和张金风等编著的《氮化物宽带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础,系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法,重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。全书共14章,内容包括:氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理,HEMT材料的电学性质,AlCaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析,GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析
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金刚石半导体器件前沿技术
¥79.9(7.4折)定价:¥108.0本书以作者近年来的研究成果为基础,结合国际研究进展,系统地介绍了金刚石超宽禁带半导体器件的物理特性和实现方法,重点介绍了氢终端金刚石场效应管器件。全书共8章,内容包括绪论、金刚石的表面终端、氢终端金刚石场效应管的原理和优化、金刚石微波功率器件、基于各种介质的氢终端金刚石MOSFET、金刚石高压二极管、石墨烯/金刚石复合器件及金刚石半导体器件的展望。本书可供微电子、半导体器件和材料领域的研究生与科研人员阅读...