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    材料结构与物性研究

    孙霄霄//张丹  /  2018-01-01  /  冶金工业出版社
    ¥44.0(8折)定价:¥55.0

    本书采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对半导体材料Si、二元半导体化合物（BiI3、Li3Bi、Sbl3、Asl3）和过渡金属化合物（Mo2BC、Mo3Al2C）在高压下的结构、力学和电子性质进行了系统的研究。全书共分10章，第1章为绪论部分，第2章是First-Principles（第一性原理）计算的理论方法，第3章是计算程序Materials Studio简介，第4章介绍了半导体化合物BiI3的晶体结构、弹性性质、电子性质和

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