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关于“孙伟锋等著”检索到 共1种现货商品
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宽禁带功率半导体器件可靠性
¥43.5(7.5折)定价:¥58.0以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关速度快及热传导性好等优点，相比传统的Si基功率器件，可简化功率电子系统拓扑结构，减小系统损耗和体积，因而对功率电子系统的发展至关重要。然而，由于宽禁带器件的外延材料和制备工艺仍不完善，器件界面缺陷密度大等问题，使得宽禁带功率器件在高温、高压、大电流及快速开关等极限条件下长期应用时，可靠性问题频发，严重制约了宽禁带功率半导体器件的推广应用。本书详细介绍了碳
