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关于“孙伟锋等”检索到 共3种现货商品
出版社：
- 东南大学出版社(1)
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宽禁带功率半导体器件可靠性
¥43.5(7.5折)定价:¥58.0以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关速度快及热传导性好等优点，相比传统的Si基功率器件，可简化功率电子系统拓扑结构，减小系统损耗和体积，因而对功率电子系统的发展至关重要。然而，由于宽禁带器件的外延材料和制备工艺仍不完善，器件界面缺陷密度大等问题，使得宽禁带功率器件在高温、高压、大电流及快速开关等极限条件下长期应用时，可靠性问题频发，严重制约了宽禁带功率半导体器件的推广应用。本书详细介绍了碳
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硅基功率集成电路设计技术
¥109.5(5.5折)定价:¥199.0《硅基功率集成电路设计技术》重点讲述硅基功率集成电路及相关集成器件的设计技术理论和应用。章综述功率集成电路基本概念、特点及发展；第2~3章介绍功率集成电路核心的两种集成器件(LDMOS和SOI-LIGBT)的结构、原理及可靠性；在器件基础上，第4~6章重点阐述高压栅驱动集成电路、非隔离型电源管理集成电路及隔离型电源管理集成电路三种常见典型功率集成电路的设计方法及难点问题。《硅基功率集成电路设计技术》除讲述基本原理，还阐明近年来不错学术
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高压厚膜SOI-LIGBT器件关键技术
¥107.3(7.2折)定价:¥149.0单片智能功率芯片是一种功能与结构高度集成化的高低压兼容芯片，其内部集成了高压功率器件、高低压转换电路及低压逻辑控制电路等，高压厚膜SOI基横向IGBT器件（高压厚膜SOI-LIGBT器件）在其中被用作开关器件，是该芯片中的核心器件，其性能直接决定了芯片的可靠性和功耗。本书共7章：介绍了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原理，分析了器件的耐压、导通、关断原理；然后围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的关键技术，研究了高压互连线屏蔽技术、电流
