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半导体技术

图解入门——半导体工程学精讲

作者：[日]原明人著

出版社：机械工业出版社出版时间：2025-01-01

开本： 16开 页数： 310

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版权信息
本书特色
内容简介
目录
作者简介

图解入门——半导体工程学精讲版权信息

ISBN：9787111767398
条形码：9787111767398 ; 978-7-111-76739-8
装帧：平装-胶订
册数：暂无
重量：暂无
所属分类：
工业技术
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图解入门——半导体工程学精讲本书特色

全面覆盖量子力学基础到MOSFET及界面量子化的经典议题
为非物理、电子、材料专业的工科学生学习半导体物理扫清障碍

图解入门——半导体工程学精讲内容简介

本书首先深入探讨了量子力学基础及其在物质、能带理论、半导体和集成电路等领域的应用。从电子的波动性质、不确定性原理到量子隧穿效应，逐步揭示量子世界的奥秘。接着，通过能带理论和半导体能带结构的解析，阐明了半导体材料的电子行为。此外，还详细介绍了掺杂半导体、晶格振动以及载流子输运现象等关键概念。*后，探讨了MOS结构、场效应晶体管以及集成电路的工作原理。本书内容丰富，结构清晰，能够帮助读者深入理解量子力学在半导体技术中的重要作用。本书适合有一定物理基础的学生和从事半导体相关工作的人员阅读。

图解入门——半导体工程学精讲目录

目　录前　言第1章量子力学基础　?/?　11-1　波的表示方式　?/?　21-2　相速度与群速度　?/?　41-3　电子的物质波性质　?/?　51-4　不确定性原理　?/?　71-5　薛定谔方程式与波函数　?/?　81-6　一维方势阱　?/?　111-7　自旋与泡利不相容原理　?/?　161-8　三维方势阱　?/?　171-9　量子隧穿效应　?/?　191-10　定态微扰理论　?/?　231-11　含时微扰理论　?/?　25目　录前　言第1章量子力学基础　?/?　11-1　波的表示方式　?/?　21-2　相速度与群速度　?/?　41-3　电子的物质波性质　?/?　51-4　不确定性原理　?/?　71-5　薛定谔方程式与波函数　?/?　81-6　一维方势阱　?/?　111-7　自旋与泡利不相容原理　?/?　161-8　三维方势阱　?/?　171-9　量子隧穿效应　?/?　191-10　定态微扰理论　?/?　231-11　含时微扰理论　?/?　25章末问题　?/?　27第2章从氢原子到物质　?/?　292-1　氢原子　?/?　302-2　氢分子　?/?　342-3　由s轨道或p轨道组成的物质　?/?　37章末问题　?/?　49第3章能带理论　?/?　503-1　晶体的周期性和晶体结构　?/?　513-2　金属自由电子理论　?/?　553-3　布洛赫定理　?/?　623-4　一维空格子的电子结构　?/?　673-5　一维晶格的带隙　?/?　683-6　二维和三维晶格的带隙　?/?　713-7　一维强关联近似　?/?　753-8　二维强关联近似　?/?　81章末问题　?/?　85第4章半导体的能带结构　?/?　864-1　强关联近似下的能带结构　?/?　874-2　k?p微扰（1）：带边的详细结构　?/?　964-3　k?p微扰（2）：基于面心立方结构空格子的计算　?/?　994-4　有效质量与运动方程　?/?　1054-5　?空穴　?/?　1114-6　本征半导体载流子浓度与温度的关系　?/?　113章末问题　?/?　118第5章掺杂半导体　?/?　1195-1　施主与受主　?/?　1205-2　浅能级杂质中心的有效质量近似　?/?　1245-3　被施主杂质束缚的电子的空间分布　?/?　1295-4　掺杂半导体中载流子浓度与温度的关系　?/?　133章末问题　?/?　136第6章晶格振动　?/?　1386-1　什么是晶格振动　?/?　1396-2　一维单原子晶格　?/?　1406-3　一维双原子晶格　?/?　1436-4　三维晶格振动　?/?　1486-5　声子　?/?　1506-6　晶格比热　?/?　154章末问题　?/?　157第7章载流子输运现象　?/?　1587-1　欧姆定律　?/?　1597-2　霍尔效应　?/?　1627-3　迁移率的温度相关性　?/?　1657-4　玻尔兹曼方程　?/?　1667-5　散射过程的计算　?/?　1717-6　弛豫时间的计算　?/?　176章末问题　?/?　181第8章半导体的光学性质　?/?　1828-1　物质中的电磁波　?/?　1838-2　带间跃迁　?/?　1848-3　受施主束缚电子的光激发　?/?　193第9章 pn结　?/?　1999-1　pn结的形成方法　?/?　2009-2　扩散电流　?/?　2009-3　pn结附近发生的现象　?/?　2039-4　热平衡状态下的pn结能带图　?/?　2079-5　连续性方程　?/?　2109-6　正向电流　?/?　2129-7　反向电流　?/?　2169-8　结电容　?/?　2189-9　pn结中的隧穿效应　?/?　219章末问题　?/?　222第10章 MOS结构　?/?　22310-1　MOS结构概述　?/?　22410-2　积累层、耗尽层和反型层中的电场分布及势能分布　?/?　22510-3　Si表面的电子　?/?　23310-4　理想MOS的电容　?/?　23710-5　非理想MOS的情况　?/?　239章末问题　?/?　241第11章 MOS场效应晶体管　?/?　24211-1　MOS场效应晶体管的结构　?/?　24311-2　MOS场效应晶体管的工作原理（1）：线性区　?/?　24311-3　MOS场效应晶体管的工作原理（2）：一般情况下的电流-电压特?性　?/?　24611-4　MOS场效应晶体管的工作原理（3）：饱和区　?/?　24811-5　迁移率　?/?　25011-6　阈值电压　?/?　25311-7　亚阈值斜率　?/?　25311-8　衬底偏压效应　?/?　256章末问题　?/?　257第12章集成电路　?/?　25812-1　CMOS反相器的结构　?/?　25912-2　CMOS反相器中p沟道型MOSFET的工作原理　?/?　26012-3　CMOS反相器中p沟道型MOSFET工作原理的公式推导　?/?　26312-4　CMOS反相器工作原理的公式推导　?/?　26412-5　CMOS反相器的开关特性　?/?　26612-6　等比例缩小　?/?　268章末问题　?/?　271第13章界面的量子化　?/?　27213-1　Si-MOS反型层电子的量子化　?/?　27313-2　准二维电子系统的电子状态　?/?　27413-3　Si-MOS反型层的电子状态　?/?　28013-4　磁场下的二维电子系统和边缘态　?/?　28213-5　异质结　?/?　287章末问题　?/?　289章末问题的答案　?/?　290

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图解入门——半导体工程学精讲作者简介

原明人博士(理学 )1983年毕业于东京理科大学理学部第1部应用物理学科1985年在日本东北大学理学研究科物理专业修完了博士课程前期1985年在私营企业从事半导体晶体工程和半导体器件的研究与开发工作1996年取得日本东北大学理学研究科(论文)博士学位2008年任教于东北学院大学工学部电子工学科(教授)现任教于东北学院大学工学部电气电子工学科(教授)著作(均为共同撰写)原明人博士(理学 )1983年毕业于东京理科大学理学部第1部应用物理学科1985年在日本东北大学理学研究科物理专业修完了博士课程前期1985年在私营企业从事半导体晶体工程和半导体器件的研究与开发工作1996年取得日本东北大学理学研究科(论文)博士学位2008年任教于东北学院大学工学部电子工学科(教授)现任教于东北学院大学工学部电气电子工学科(教授)著作(均为共同撰写)《超LSI技术17:器件与工艺第7篇》(半导体研究第38卷:工业调查会，西泽润一编，1993年)，第9章CZ-Si晶体中轻元素杂质的行为;《超LSI技术20:器件与工艺第10篇》(半导体研究第42卷:工业调查会，西泽润一编，1996年)，第9章硅中的重金属捕捉等共8本。

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