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图解入门——半导体工程学精讲 版权信息
- ISBN:9787111767398
- 条形码:9787111767398 ; 978-7-111-76739-8
- 装帧:平装-胶订
- 册数:暂无
- 重量:暂无
- 所属分类:>>
图解入门——半导体工程学精讲 本书特色
全面覆盖量子力学基础到MOSFET及界面量子化的经典议题
为非物理、电子、材料专业的工科学生学习半导体物理扫清障碍
图解入门——半导体工程学精讲 内容简介
本书首先深入探讨了量子力学基础及其在物质、能带理论、半导体和集成电路等领域的应用。从电子的波动性质、不确定性原理到量子隧穿效应,逐步揭示量子世界的奥秘。接着,通过能带理论和半导体能带结构的解析,阐明了半导体材料的电子行为。此外,还详细介绍了掺杂半导体、晶格振动以及载流子输运现象等关键概念。*后,探讨了MOS结构、场效应晶体管以及集成电路的工作原理。本书内容丰富,结构清晰,能够帮助读者深入理解量子力学在半导体技术中的重要作用。 本书适合有一定物理基础的学生和从事半导体相关工作的人员阅读。
图解入门——半导体工程学精讲 目录
图解入门——半导体工程学精讲 作者简介
原明人博士(理学 )1983年毕业于东京理科大学理学部第1部应用物理学科1985年在日本东北大学理学研究科物理专业修完了博士课程前期1985年在私营企业从事半导体晶体工程和半导体器件的研究与开发工作1996年取得日本东北大学理学研究科(论文)博士学位2008年任教于东北学院大学工学部电子工学科(教授)现任教于东北学院大学工学部电气电子工学科(教授)著作(均为共同撰写)原明人博士(理学 )1983年毕业于东京理科大学理学部第1部应用物理学科1985年在日本东北大学理学研究科物理专业修完了博士课程前期1985年在私营企业从事半导体晶体工程和半导体器件的研究与开发工作1996年取得日本东北大学理学研究科(论文)博士学位2008年任教于东北学院大学工学部电子工学科(教授)现任教于东北学院大学工学部电气电子工学科(教授)著作(均为共同撰写)《超LSI技术17:器件与工艺 第7篇》(半导体研究 第38卷:工业调查会,西泽润一编,1993年),第9章CZ-Si晶体中轻元素杂质的行为;《超LSI技术20:器件与工艺 第10篇》(半导体研究第42卷:工业调查会,西泽润一编,1996年),第9章硅中的重金属捕捉等共8本。
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