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绝缘体上硅(SOI)技术-制造及应用 版权信息
- ISBN：9787118116366
- 条形码：9787118116366 ; 978-7-118-11636-6
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
绝缘体上硅(SOI)技术-制造及应用 本书特色
《绝缘体上硅（SOI）技术：制造及应用》的目的是对SOI CMOS新技术的进展进行全面介绍。全书分为两部分：*部分介绍SOI晶圆片的制造工艺、表征及SOI器件物理；第二部分介绍相关的各种应用。全书既涉及部分耗尽SOI这样已成熟的技术，也包括全耗尽平面SOI技术、FinFET、射频、光电子、MEMS以及超低功耗应用这样一些新发展的技术。晶体管级和电路级解决方案也均有涉及。我们将这《绝缘体上硅（SOI）技术：制造及应用》的解决方案限定在32~14nm技术节点的范围，并将应用限定在技术成熟到足以实现批量生产的范围。
绝缘体上硅(SOI)技术-制造及应用 内容简介
《绝缘体上硅（SOI）技术：制造及应用》的目的是对SOI CMOS新技术的进展进行全面介绍。全书分为两部分：**部分介绍SOI晶圆片的制造工艺、表征及SOI器件物理；第二部分介绍相关的各种应用。全书既涉及部分耗尽SOI这样已成熟的技术，也包括全耗尽平面SOI技术、FinFET、射频、光电子、MEMS以及超低功耗应用这样一些新发展的技术。晶体管级和电路级解决方案也均有涉及。我们将这《绝缘体上硅（SOI）技术：制造及应用》的解决方案限定在32~14nm技术节点的范围，并将应用限定在技术成熟到足以实现批量生产的范围。
绝缘体上硅(SOI)技术-制造及应用 目录
**部分 绝缘体上硅材料及制造
第1章 绝缘体上硅晶圆片材料及制造技术
1.1 引言
1.2 SOI的晶圆片制造技术概述
1.3 SOI量产制造技术
1.4 SOI晶圆片结构及表征
1.5 晶圆片直接键合：湿表面清洗技术
1.6 直接键合机理的表征
1.7 Si和SiO2直接键合的其他表面制备工艺
1.8 利用离子注入、键合及剥离量产SOI衬底的智能剥离技术
1.9 更复杂的SOI结构制造
1.10 异质结构的制造
1.11 结论
1.12 致谢
1.13 参考文献
第2章 先进的绝缘体上硅材料及晶体管电学性质的表征
2.1 引言
2.2 常用的表征技术
2.3 利用赝金属氧化物半导体场效应晶体管技术表征SOI晶圆片
2.4 赝-MOSFET技术的发展
2.5 FD MOSFET的常用表征方法
2.6 先进的FD MOSFET表征方法
2.7 超薄SOI MOSFET的表征
2.8 多栅MOSFET的表征
2.9 纳米线FET的表征
2.10 结论
2.11 致谢
2.12 参考文献
第3章 短沟FDSOI MOSFET特性的建模
3.1 引言
3.2 SOI MOSFET建模的发展
3.3 SOI MOSFET的二维紧凑电容模型
3.4 SOI MOSFET的二维解析模型
3.5 双栅及其他类型SOI MOSFET结构的建模
3.6 参考文献
第4章 部分耗尽绝缘体上硅技术：电路解决方案
4.1 引言
4.2 PDSOI技术与器件
4.3 电路解决方案：数字电路
4.4 电路解决方案：静态随机存储器电路
4.5 SRAM容限：PDSOI的例子
4.6 结论
4.7 参考文献
第5章 平面全耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体技术
5.1 引言
5.2 平面FDSOI技术
5.3 FDSOI的阈值调节：沟道掺杂、栅堆叠工程和接地平面
5.4 FDSOI CMOS器件对衬底的要求：BOX和沟道的厚度
5.5 FDSOI的应变选项
5.6 背偏置对特性的影响
5.7 结论
5.8 致谢
5.9 参考文献
第6章 绝缘体上硅无结晶体管
6.1 引言
6.2 器件物理
6.3 无结晶体管的模型
6.4 同三栅场效应晶体管的性能比较
6.5 超越经典的SOI纳米线结构
6.6 结论
6.7 致谢
6.8 参考文献
第7章 SOI FinFET
7.1 引言
7.2 SOI FinFET的性能
7.3 SOI FinFlET衬底的优化
7.4 FinFET的工艺及统计波动性
7.5 结论
7.6 参考文献
第8章 利用SOI技术制造CMOS的参数波动性
8.1 引言
8.2 平面FDSOI器件的统计参数波动
8.3 可靠性的统计问题
8.4 SOI FinFET
8.5 结论
8.6 参考文献
第9章 SOI CMOS集成电路的ESD保护
9.1 引言
9.2 SOI器件的ESD表征：SOI晶体管
9.3 SOI器件中的ESD表征：SOI二极管
9.4 SOI器件的ESD表征：FinFET及Fin二极管
9.5 SOI器件的ESD表征：FDSOI器件
9.6 SOI器件中ESD网络的优化
9.7 结论
9.8 参考文献
第二部分 SOI器件及应用
第10章 射频及模拟应用的SOI MOSFET
10.1 引言
10.2 目前的射频器件性能
10.3 MOSFET性能的限制因素
10.4 肖特基势垒MOSFET
10.5 超薄体超薄埋氧化层MOSFET
10.6 多栅MOSFEI、的射频特性：FinFET
10.7 SOI技术中的高电阻率硅衬底
10.8 结论
10.9 致谢
10.10 参考文献
第11章 超低功耗应用的SOI CMOS电路
11.1 引言
11.2 CMOS电路功耗的*小化
11.3 降低Vdd改善CMOS电路能量效率的问题
11.4 利用减小波动及适应性偏压控制发展SOI器件
11.5 参数波动的建模
11.6 超低电压工作的器件设计
11.7 FDSOI器件参数波动性的评估
11.8 FDSOI器件可靠性的评估
11.9 FDSOI器件的电路设计
11.10 结论
11.11 致谢
11.12 参考文献
第12章 改善性能的3D S01集成电路
12.1 引言
12.2 利用Cu-Cu键合的3D IC：工艺流程
12.3 利用Cu-Cu键合实现3D集成：面对面的硅层堆叠
12.4 利用Cu-Cu键合实现3D集成：背面对正面的硅层堆叠
12.5 利用氧化硅键合的3D集成：MIT林肯实验室的表面向下堆叠技术
12.6 利用氧化硅键合的3D集成：IBM的“面朝上”堆叠技术
12.7 利用氧化硅键合实现3D集成：3D后续工艺
12.8 先进的键合技术：Cu-Cu键合
12.9 先进键合技术：介质键合
12.10 结论
12.11 致谢
12.12 参考文献
第13章 光子集成电路的SOI技术
13.1 引言
13.2 绝缘体上硅光子学
13.3 SOI光学模块
13.4 器件容差与补偿技术
13.5 用于硅光子器件的先进堆叠结构
13.6 硅光子器件的应用
13.7 结论
13.8 参考文献
第14章 用于MEMS和NEMS传感器的SOI技术
14.1 引言
14.2 SOI MEMS／NEMS器件结构和工作原理
14.3 SOI MEMS／NEMS设计
14.4 SOI MEMS／NEMS工艺技术
14.5 SOI MEMS／NEMS制备
14.6 结论
14.7 参考文献
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