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半导体基础与应用 版权信息
- ISBN：9787111444961
- 条形码：9787111444961 ; 978-7-111-44496-1
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>>
半导体基础与应用 本书特色
本书共分为上下两篇：上篇为半导体物理基础与应用，侧重于介绍半导体的基本概念、基本理论和基本应用；下篇为半导体化学基础与应用，侧重于介绍微电子制造工艺中接触到的化学品特性及其化学反应过程，关注半导体化学品、化学气体的安全防护知识，读者可以在较短时间内，对半导体材料的物理化学性质有较深入的了解，同时对微电子工业的化学品安全防护更加重视，以利安全生产。每章后附有复习思考题，便于读者自测、自查之用。 本书主要针对高职高专院校微电子技术及相关专业学生的特点，坚持实用为主，够用为度，详细介绍半导体基础知识，重点突出对学生应用能力的培养；结构清晰，语言通俗易懂，非常适合教学、培训和自学。
半导体基础与应用 内容简介
本书共分为上下两篇：上篇为半导体物理基础与应用，侧重于介绍半导体的基本概念、基本理论和基本应用；下篇为半导体化学基础与应用，侧重于介绍微电子制造工艺中接触到的化学品特性及其化学反应过程，关注半导体化学品、化学气体的安全防护知识，读者可以在较短时间内，对半导体材料的物理化学性质有较深入的了解，同时对微电子工业的化学品安全防护更加重视，以利安全生产。每章后附有复习思考题，便于读者自测、自查之用。
半导体基础与应用 目录
出版说明
前言
上篇半导体物理基础与应用
第1章半导体中的电子状态和杂质
1.1半导体中的电子状态和能带
1.1.1半导体的晶格结构和结合性质
1.1.2能带的形成
1.1.3原子中的电子状态和能级
1.1.4导体、半导体、绝缘体的能带
1.2多子和少子的热平衡
1.2.1多子和少子
1.2.2电子空穴对的产生和复合
1.3si、ge晶体中的杂质
1.3.1本征半导体
1.3.2n型半导体和p型半导体
1.3.3杂质的补偿作用
1.3.4浅能级杂质和深能级杂质
1.4ⅲⅴ族化合物中的杂质
1.4.1电离的杂质
1.4.2砷化镓中的杂质
1.5复习思考题
1.6实训1 使用4探针测试仪测量硅材料的方块电阻
第2章热平衡载流子和非平衡载流子
2.1热平衡载流子的统计分布
2.1.1费米分布函数
2.1.2玻耳兹曼分布函数
2.1.3导带电子浓度和价带空穴浓度
2.2载流子浓度与费米能级位置的关系
2.3本征半导体和杂质半导体的载流子浓度
2.3.1本征半导体的载流子浓度
2.3.2杂质半导体的载流子浓度
2.4非平衡载流子
2.4.1非平衡载流子的产生与复合
2.4.2非平衡载流子的寿命
2.4.3复合理论
2.5载流子的漂移运动和扩散运动及爱因斯坦关系式
2.5.1载流子的漂移运动
2.5.2载流子的扩散运动
2.5.3爱因斯坦关系式
2.6复习思考题
2.7实训2 用高频光电导衰减法测量si中的少数载流子寿命
2.8复习思考题
第3章pn结
3.1pn结及其能带图
3.1.1pn结的形成及其杂质分布
3.1.2pn结的能带图
3.1.3pn结的载流子分布
3.2pn结电流电压特性
3.2.1非平衡状态的pn结
3.2.2影响pn结电流电压特性偏离理想方程的因素
3.3pn结电容效应
3.3.1电容对pn结整流特性的影响
3.3.2pn结电容的来源
3.3.3pn结的势垒电容
3.4pn结击穿
3.4.1pn结击穿现象
3.4.2雪崩击穿
3.4.3隧道击穿
3.5复习思考题
第4章金属与半导体的接触
4.1金属与半导体接触的表面势垒
4.1.1金属和半导体的功函数
4.1.2接触电势差
4.1.3表面态对接触势垒的影响
4.2金属与半导体接触的整流效应
4.2.1阻挡层的整流理论
4.2.2肖特基势垒二极管
4.3欧姆接触
4.3.1低势垒接触
4.3.2高复合接触
4.3.3高掺杂接触
4.4复习思考题
第5章半导体表面
第6章半导体的其他特性
下篇半导体化学基础与应用
参考文献
前言
上篇半导体物理基础与应用
第1章半导体中的电子状态和杂质
1.1半导体中的电子状态和能带
1.1.1半导体的晶格结构和结合性质
1.1.2能带的形成
1.1.3原子中的电子状态和能级
1.1.4导体、半导体、绝缘体的能带
1.2多子和少子的热平衡
1.2.1多子和少子
1.2.2电子空穴对的产生和复合
1.3si、ge晶体中的杂质
1.3.1本征半导体
1.3.2n型半导体和p型半导体
1.3.3杂质的补偿作用
1.3.4浅能级杂质和深能级杂质
1.4ⅲⅴ族化合物中的杂质
1.4.1电离的杂质
1.4.2砷化镓中的杂质
1.5复习思考题
1.6实训1 使用4探针测试仪测量硅材料的方块电阻
第2章热平衡载流子和非平衡载流子
2.1热平衡载流子的统计分布
2.1.1费米分布函数
2.1.2玻耳兹曼分布函数
2.1.3导带电子浓度和价带空穴浓度
2.2载流子浓度与费米能级位置的关系
2.3本征半导体和杂质半导体的载流子浓度
2.3.1本征半导体的载流子浓度
2.3.2杂质半导体的载流子浓度
2.4非平衡载流子
2.4.1非平衡载流子的产生与复合
2.4.2非平衡载流子的寿命
2.4.3复合理论
2.5载流子的漂移运动和扩散运动及爱因斯坦关系式
2.5.1载流子的漂移运动
2.5.2载流子的扩散运动
2.5.3爱因斯坦关系式
2.6复习思考题
2.7实训2 用高频光电导衰减法测量si中的少数载流子寿命
2.8复习思考题
第3章pn结
3.1pn结及其能带图
3.1.1pn结的形成及其杂质分布
3.1.2pn结的能带图
3.1.3pn结的载流子分布
3.2pn结电流电压特性
3.2.1非平衡状态的pn结
3.2.2影响pn结电流电压特性偏离理想方程的因素
3.3pn结电容效应
3.3.1电容对pn结整流特性的影响
3.3.2pn结电容的来源
3.3.3pn结的势垒电容
3.4pn结击穿
3.4.1pn结击穿现象
3.4.2雪崩击穿
3.4.3隧道击穿
3.5复习思考题
第4章金属与半导体的接触
4.1金属与半导体接触的表面势垒
4.1.1金属和半导体的功函数
4.1.2接触电势差
4.1.3表面态对接触势垒的影响
4.2金属与半导体接触的整流效应
4.2.1阻挡层的整流理论
4.2.2肖特基势垒二极管
4.3欧姆接触
4.3.1低势垒接触
4.3.2高复合接触
4.3.3高掺杂接触
4.4复习思考题
第5章半导体表面
第6章半导体的其他特性
下篇半导体化学基础与应用
参考文献
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