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氮化铝陶瓷 版权信息
- ISBN:9787502451523
- 条形码:9787502451523 ; 978-7-5024-5152-3
- 装帧:暂无
- 册数:暂无
- 重量:暂无
- 所属分类:>>
氮化铝陶瓷 本书特色
《氮化铝陶瓷》由河南理工大学博士基金项目“透明氮化铝陶瓷的高压烧结制备及性能研究”及材料科学与工程河南省重点学科建设资金资助出版。
氮化铝陶瓷 目录
氮化铝陶瓷 节选
《氮化铝陶瓷》综合介绍了氮化铝粉体的制备、氮化铝陶瓷的制造工艺及应用状况。重点阐述了氮化铝陶瓷的高压烧结,对氮化铝粉体的高压烧结特性、显微结构及导热性能、烧结助剂的选用、氮化铝高压烧结体的结构调整、氮化铝高压烧结体的残余应力及高压烧结机理进行了探讨和分析。《氮化铝陶瓷》可供从事功能陶瓷研究、开发、生产的科技工作者以及相关专业的大学生、研究生阅读参考。
氮化铝陶瓷 相关资料
插图:上述研究表明,和常压烧结一样,温度和时间在A1N陶瓷体材料的高压烧结过程中也起着重要的作用。相对于传统烧结方法来讲,高压烧结A1N陶瓷可以降低烧结温度,烧结时问也有明显的缩短。在常压下烧结,气孔一方面对达到理想的致密程度有很大的障碍,生胚气孔中的气压增大抵消了作为推动力的界面能的作用,另一方面,封闭的气孔只能由体扩散来的物质填充,而体扩散要比界面扩散慢得多,且A1N自扩散系数很小,因此无压烧结A1N陶瓷很难达到致密化程度,而高压烧结是A1N陶瓷达到理想致密化的有效途径之一。一般可以把高压烧结分为两个阶段。在第一阶段,也就是烧结初期,压力的施加首先使颗粒的接触区发生塑性屈服,然后在增加了的接触区,各类蠕变机制导致物质迁移,同时,原子或空位不可避免地发生体积扩散和晶界扩散,晶界中的位错也可能沿晶界攀移,导致晶界滑动。在第二阶段,上述机制仍然存在,只不过孔洞成为孤立的闭孔,位于晶界相交处。同时,并不排除在晶粒内部存在的微孔。在常压烧结条件下,应力水平不足以使材料全部屈服发生塑性流动,但在高压下,应力水平已足够使材料大部分屈服发生塑性流动。从上述分析可以看出,高压烧结之所以能够有效地促进A1N的烧结,主要是因为高压烧结与无压烧结相比,烧结驱动力除了表面能外,还有额外的压力,从外部施加高压极大地补充了驱动力。
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