本书以硅锗异质结构外延生长过程中产生的部分位错为研究背景, 采用分子模拟方法研究硅中部分位错的运动特性以及与其它缺陷的相互作用。全书共分为七章, 主要内容包括: 绪论、分子模拟原理及方法简介、30度部分位错的运动特性等。…
