中图网

>

半导体器件建模与测试实验教程――基于华大九天器件建模与验证平台XMODEL

作者：杜江锋著

出版社：电子工业出版社出版时间：2025-01-01

开本：其他页数： 224

中图价:¥45.8(7.9折) 定价 ~~¥58.0~~ 登录后可看到会员价

加入购物车收藏

运费6元，满39元免运费

?新疆、西藏除外

本类五星书更多>

>
(精)方力钧作品图录

(精)方力钧作品图录

¥142.8¥680
>
《藏书报》2021合订本

《藏书报》2021合订本

¥168¥168
>
中外性文物大观

中外性文物大观

¥352.8¥1680
>
马克思主义经典著作解读丛书·探索人类解放的新路径《1844年经济学哲学手稿》解读

马克思主义经典著作解读丛书·探索人类解放的新路径《1844年经济学哲学手稿》解读

¥14.5¥26.8
>
襄阳府志(九品)

襄阳府志(九品)

¥154.1¥467
>
奇思妙想创意玩具书(精装4册)

奇思妙想创意玩具书(精装4册)

¥121.6¥304
>
大慈恩寺

大慈恩寺

¥135¥450

商品详情
商品评论(0条)

中图价:¥45.8 加入购物车

版权信息
内容简介

半导体器件建模与测试实验教程――基于华大九天器件建模与验证平台XMODEL 版权信息

ISBN：9787121493713
条形码：9787121493713 ; 978-7-121-49371-3
装帧：暂无
册数：暂无
重量：暂无
所属分类：

半导体器件建模与测试实验教程――基于华大九天器件建模与验证平台XMODEL 内容简介

本书基于国产EDA软件Empyrean Xmodel器件模型提取工具，系统、全面地介绍硅基MOSFET和GaN HEMT的器件建模、测试分析和参数提取的设计和实验全流程。本书在简要介绍半导体器件的基本理论、测试结构和测试方案的基础上，详细阐述MOSFET BSIM模型和参数提取实验、Xmodel集成的数据图形化显示系统、MOSFET器件直流模型和射频模型的提取实验、基于ASM-HEMT模型的GaN功率器件和射频器件的模型参数提取实验等，以及半导体器件中常见的各种二阶效应（如短沟道效应、版图邻近效应、工艺角模型和温度特性等）非线性模型参数的提取和验证方法。本书力求做到理论与实践相结合，可作为高校半导体相关专业高年级本科生和研究生的教材，也可供从事半导体器件研发的工程师参考。

商品评论(0条)

写书评赚书币

暂无评论……

书友推荐