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微电子学、集成电路（IC）

CMOS纳米电子学模拟和射频超大规模集成电路

作者：(加)克日什托夫·伊涅夫斯基(Krzysztof Iniewski) 著张德明等译

出版社：机械工业出版社出版时间：2025-01-01

开本： 32开 页数： 896

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内容简介
目录
作者简介

CMOS纳米电子学模拟和射频超大规模集成电路版权信息

ISBN：9787111765851
条形码：9787111765851 ; 978-7-111-76585-1
装帧：平装-胶订
册数：暂无
重量：暂无
所属分类：
工业技术
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微电子学、集成电路（IC）

CMOS纳米电子学模拟和射频超大规模集成电路本书特色

本书由国际一流的工业界和学术界专家编写，包括射频电路、高速电路和高精度电路三部分，阐述了新兴系统背景下模拟和射频超大规模集成电路的设计技术，适合集成电路工程师阅读，也可作为集成电路相关专业的高年级本科生和研究生的参考书。

CMOS纳米电子学模拟和射频超大规模集成电路内容简介

本书主要分为三部分：射频电路、高速电路和高精度电路。射频电路部分首先介绍了纳米级CMOS电路设计所面临的挑战以及面临的主要设计问题；其次详细介绍了射频收发器设计（包括混频器、局部振荡器、功率放大器等关键模块）、全数字射频信号发生器设计、倍频器和射频信号滤波器的设计，以及功率放大器的设计。高速电路部分介绍了串行输入/输出链路设计、锁相环相关概念和原理、延迟锁相环的设计，以及数字时钟信号发生器的设计与实现。高精度电路部分介绍了纳米工艺下模拟电路设计所面临的挑战、1/f降噪技术、ΣΔ设计，以及用于电力线通信的模/数转换器。

CMOS纳米电子学模拟和射频超大规模集成电路目录

译者序前言**部分　射频电路第1章　模拟纳米级CMOS电路21.1　引言21.2　栅漏电流对调节型共源共栅结构的影响41.3　用于65 nm CMOS DVBH接收机的运算放大器61.4　采用65 nm CMOS工艺的电流模式滤波器91.5　低电源电压下采用65 nm CMOS工艺的低延时比较器121.6　用于65 nm CMOS工艺直接转换接收机的双体混频器161.7　总结18致谢19参考文献19第2章　无源混频器收发机设计21译者序前言**部分　射频电路第1章　模拟纳米级CMOS电路21.1　引言21.2　栅漏电流对调节型共源共栅结构的影响41.3　用于65 nm CMOS DVBH接收机的运算放大器61.4　采用65 nm CMOS工艺的电流模式滤波器91.5　低电源电压下采用65 nm CMOS工艺的低延时比较器121.6　用于65 nm CMOS工艺直接转换接收机的双体混频器161.7　总结18致谢19参考文献19第2章　无源混频器收发机设计212.1　引言212.2　直接变频接收机中的无源混频器212.3　直接转换发射机中的无源混频器472.4　总结522.5　拓展A：共模和差模激励532.6　拓展B：计算基带中由基带交流电压激励产生的基带电流55参考文献57第3章　利用包络跟踪技术设计用于宽带无线应用的便携式高效极坐标发射机603.1　引言603.2　极坐标发射机综述613.3　使用ET/EER的RF极坐标发射机的系统设计注意事项643.4　基于ET的极坐标发射机的包络放大器设计693.5　基于ET的极坐标发射机的单片饱和PA设计733.6　基于ET的极坐标发射机的系统测量和仿真结果743.7　总结82致谢83参考文献83第4章　全数字射频信号发生器874.1　引言874.2　笛卡儿发射机结构884.3　用于数字发射机的高速单比特ΔΣ调制器设计904.4　单比特输出开关级954.5　带外滤波984.6　总结101致谢101参考文献101第5章　倍频器设计：技巧和应用1035.1　引言1035.2　超高速计算和通信系统中的倍频器1035.3　倍频器中的噪声概念1045.4　单晶体管倍频器1055.5　具有内部本振倍频的混频器1075.6　奇数次倍频器1105.7　总结115参考文献115第6章　可调谐CMOS射频滤波器1176.1　引言1176.2　Q增强谐振器1176.3　宽带宽射频滤波器1226.4　自动调谐1276.5　应用1316.6　总结135参考文献135第7章　CMOS功率放大器的功率混频器1387.1　引言1387.2　功率放大器设计的注意事项1387.3　功率混频器1437.4　设计实例1467.5　总结150参考文献150第8章　用于无线通信的GaAs HBT线性功率放大器设计1538.1　引言1538.2　线性功率放大器设计1538.3　*新功率放大器技术1668.4　总结177参考文献178第二部分　高速电路第9章　高速串行I/O设计用于信道受限和功率受限的系统1849.1　引言1849.2　高速链路概述1859.3　信道受限设计技术1939.4　低功耗设计技术1969.5　光互连2009.6　总结209参考文献210第10章　基于CDMA的高速片对片通信串扰消除技术21810.1　引言21810.2　高速I/O链路中的电信号21910.3　基于CDMA的串扰消除22610.4　均衡和计时23110.5　基于CDMA的四线信号收发机23410.6　总结239参考文献240第11章　高速串行数据链路的均衡技术24211.1　高速串行数据链路基础24211.2　信道均衡24511.3　均衡器调谐方案25611.4　总结264致谢264参考文献265第12章　ΔΣ分数-N型锁相环26812.1　引言26812.2　混合型有限冲激响应噪声滤波方法27312.3　实际电路设计示例27612.4　总结285参考文献285第13章　延迟锁相环的设计与应用28713.1　引言28713.2　PLL与DLL28713.3　DLL环路的动态特性28813.4　DLL应用290参考文献303第14章　纳米级处理器和存储器中的数字时钟发生器30614.1　引言30614.2　数字时钟发生器30714.3　用于高性能处理器的时钟发生器的设计方法31314.4　高速DRAM应用中时钟发生器的设计方法31814.5　总结324参考文献324第三部分　高精度电路第15章　深亚微米CMOS技术中模拟电路的增益增强和低压技术32815.1　引言32815.2　基本增益增强技术33015.3　传统运算放大器在fineline技术中的比较33115.4　基于fineline技术的运算放大器增益提升方案33415.5　使用部分正反馈和超级电压跟随器的增益提升33815.6　低电压技术34015.7　总结343参考文献343第16章　用于降低线性模拟CMOS集成电路低频噪声的互补开关MOSFET架构34616.1　引言34616.2　互补式MOSFET架构的原理34816.3　对线性模拟CMOS集成电路的实现35416.4　实验验证35916.5　总结363参考文献363第17章　具有基于软件的校准方案的宽带高分辨率200 MHz带通ΣΔ调制器36617.1　引言36617.2　带通ΣΔ架构36717.3　基于软件的校准方案37717.4　实验结果38117.5　总结382致谢382参考文献383第18章　电力线通信系统的模/数转换规范38518.1　引言38518.2　PLC环境中的OFDM调制38618.3　流行的ADC架构39518.4　基于整数除法的ADC架构39818.5　总结402参考文献403第19章　LCD的数/模转换器40519.1　引言40519.2　电阻串DAC40719.3　电阻电容DAC40819.4　分段线性DAC40919.5　带极性反相器的面积效率RDAC41119.6　总结415参考文献416第20章　1 V以下CMOS带隙基准设计技术概述41820.1　引言41820.2　1 V以下CMOS带隙基准的设计挑战41920.3　1 V以下CMOS带隙基准的设计42120.4　总结433致谢433参考文献436

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CMOS纳米电子学模拟和射频超大规模集成电路作者简介

克日什托夫·伊涅夫斯基（Krzysztof Iniewski），博士，Redlen技术公司研发主管，CMOS新兴技术公司执行理事，资深电子工程师。他曾任加拿大阿尔伯塔大学电气工程与计算机工程学院的副教授，主要研究低功耗无线电路与系统。他已经在国际期刊上发表了100多篇论文，拥有18项国际专利。

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