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模拟集成电路设计――基于华大九天集成电路全流程设计平台AETHER 版权信息
- ISBN：9787121487484
- 条形码：9787121487484 ; 978-7-121-48748-4
- 装帧：平装-胶订
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
模拟集成电路设计――基于华大九天集成电路全流程设计平台AETHER 内容简介
本书主要介绍模拟集成电路的分析和设计，每章均配有基于华大九天Empyrean Aether 的仿真实例，注重理论基础和实践的结合。全书共13 章，前6 章从半导体物理和器件物理的基础开始，逐步讲解并分析模拟集成电路中的各种基本模块；第7 章介绍带隙基准电路；第8～10 章主要讨论模拟电路的噪声、反馈和稳定性、运算放大器等内容；第11～13 章针对常用的复杂模拟集成电路展开讨论，主要包括开关电容放大器、模数转换器与数模转换器、锁相环等。本书特点如下：（1）本书是国内**本基于国产EDA工具讲授模拟IC设计的理论和实践教材，对书中的案例都配以详细的仿真实践案例；（2）本书从基础理论出发，系统全面讲解了模拟IC设计的全部内容，并配以详尽的原理阐释、公式推导和案例分析；（3）本书内容体系完备，不仅可用于本科生模拟IC设计的入门教材，也可用于研究生阶段进一步深入学习的教材
模拟集成电路设计――基于华大九天集成电路全流程设计平台AETHER 目录
第1章 绪论
1.1 模拟集成电路的应用
1.2 模拟集成电路设计流程
1.3 华大九天EmpyreanAether简介
第2章 MOS器件的基础特性
2.1 半导体物理基础
2.1.1 单晶硅的晶体结构
2.1.2 半导体能带理论及载流子浓度
2.1.3 施主与受主杂质
2.1.4 载流子的漂移运动和扩散运动
2.2 PN结
2.3 MIS结构
2.4 MOSFET结构及其基本制造工艺流程
2.4.1 MOSFET结构
2.4.2 基本制造工艺流程
2.5 MOSFET的电学特性
2.5.1 阈值电压
2.5.2 I-V特性分析
2.5.3 MOS器件电容
2.5.4 小信号模型
2.6 MOSFET的I-V特性仿真分析
习题
参考文献
第3章 基本放大器
3.1 共源放大器
3.1.1 采用电阻负载的共源放大器
3.1.2 采用二极管连接负载的共源放大器
3.1.3 采用电流源负载的共源放大器
3.1.4 带有源极负反馈的共源放大器
3.2 源极跟随器
3.2.1 直流特性分析
3.2.2 小信号特性分析
3.2.3 ClassAB驱动器
3.3 共栅放大器
3.3.1 直流特性分析
3.3.2 小信号特性分析
3.3.3 基本单级放大器特性总结
3.4 共源共栅放大器
3.4.1 直流特性分析
3.4.2 小信号特性分析
3.5 折叠式共源共栅放大器
3.6 基本放大器的直流特性仿真分析
3.6.1 采用电阻负载的共源放大器直流特性仿真分析
3.6.2 采用二极管连接负载的共源放大器直流特性仿真分析
3.6.3 采用电流源负载的共源放大器直流特性仿真分析
3.6.4 带有源极负反馈的共源放大器直流特性仿真分析
3.6.5 源极跟随器直流特性仿真分析
3.6.6 共栅放大器直流特性仿真分析
3.6.7 共源共栅放大器直流特性仿真分析
3.6.8 折叠式共源共栅放大器直流特性仿真分析
展开全部
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