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电子通信

半导体存储器件与电路

作者：(美)余诗孟著高滨,唐建石,吴华强

出版社：机械工业出版社出版时间：2024-09-01

开本： 32开 页数： 416

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版权信息
本书特色
内容简介
目录
作者简介

半导体存储器件与电路版权信息

ISBN：9787111762645
条形码：9787111762645 ; 978-7-111-76264-5
装帧：一般胶版纸
册数：暂无
重量：暂无
所属分类：
工业技术
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半导体存储器件与电路本书特色

半导体存储器是集成电路的重要组成部分。在过去几十年里，半导体存储器制造逐渐在向亚洲转移，国内的相关从业人员越来越多。然而，国内一直缺乏一本系统梳理各种半导体存储器技术的教材，在高校里也缺乏能够深入讲解当前主流存储器技术的课程，导致从业者难以快速获得存储器相关的基础知识。而余教授编写的《半导体存储器件与电路》这本书是基于他近10年的课程教学经历和科研经历，再经过系统梳理后形成的一本专业教材，非常适合作为高校相关课程的教材或参考书。《半导体存储器件与电路》系统梳理了各种主流半导体存储器的器件、工艺、电路等核心技术相关的知识点，也介绍了多种新型存储器及存储器近期新的发展趋势。《半导体存储器件与电路》的内容深入浅出，不但把基础知识讲解得非常生动具体，而且还介绍了截至2020年前后的产业界及学术界在存储器领域新的发展现状。因此《半导体存储器件与电路》在国际上也是一本非常好的存储器课程教材。本书译者于2023年在清华大学开设了“先进存储器技术”课程，即以余教授的《半导体存储器件与电路》这本书为教材，结合我们团队一些新的研究心得，形成了课程的核心知识体系。

半导体存储器件与电路内容简介

本书对半导体存储器技术进行了全面综合的介绍，覆盖了从底层的器件及单元结构到顶层的阵列设计，且重点介绍了近些年的工艺节点缩小趋势和*前沿的技术。本书第1部分讨论了主流的半导体存储器技术，第2部分讨论了多种新型的存储器技术，这些技术都有潜力能够改变现有的存储层级，同时也介绍了存储器技术在机器学习或深度学习中的新型应用。本书可作为高等院校微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的高年级本科生和研究生的教材和参考书，也可供半导体和微电子领域的从业人员参考。

半导体存储器件与电路目录

目录译者序前言致谢作者简介第1章半导体存储器技术概述 1.1 存储器层次结构介绍 1.1.1 泽级数据爆炸 1.1.2 存储子系统中的存储器层次结构 1.2 半导体存储器产业 1.3 存储阵列结构介绍 1.3.1 通用存储阵列结构图 1.3.2 存储单元尺寸和等效比特面积 1.3.3 存储阵列的面积效率 1.3.4 外围电路：译码器、多路复用器和驱动器 1.3.5 外围电路：灵敏放大器 1.4 工业界的技术发展趋势 1.4.1 摩尔定律与逻辑电路微缩趋势 1.4.2 工艺节点的定义和集成密度的测量标准 1.5 逻辑晶体管的工艺演变参考文献第2章静态随机存取存储器（SRAM） 2.1 6T SRAM单元操作 2.1.1 SRAM阵列和6T单元 2.1.2 保持、读取和写入的原理 2.2 SRAM稳定性分析 2.2.1 静态噪声容限 2.2.2 N曲线 2.2.3 动态噪声容限 2.2.4 读与写的辅助方案 2.3 SRAM的漏电流 2.3.1 晶体管的亚阈值电流 2.3.2 降低SRAM的漏电流 2.4 涨落和可靠性 2.4.1 晶体管本征参数波动及其对SRAM稳定性的影响 2.4.2 时变可靠性问题及其对SRAM稳定性的影响 2.4.3 辐射效应造成的软错误 2.5 SRAM版图和微缩趋势 2.5.1 6T单元版图 2.5.2 SRAM微缩趋势 2.6 基于FinFET的SRAM 2.6.1 FinFET 技术 2.6.2 FinFET时代SRAM的微缩参考文献第3章动态随机存取存储器（DRAM） 3.1 DRAM概述 3.1.1 DRAM子系统层次结构 3.1.2 DRAM I/O接口 3.2 1T1C DRAM单元操作 3.2.1 1T1C单元的工作原理 3.2.2 电荷共享和感应 3.2.3 DRAM的漏电流与刷新 3.3 DRAM工艺 3.3.1 沟槽电容和堆叠电容 3.3.2 DRAM阵列结构 3.3.3 DRAM版图 3.4 DRAM微缩趋势 3.4.1 微缩挑战 3.4.2 单元电容 3.4.3 互连线 3.4.4 单元选通晶体管 3.5 3D堆叠DRAM 3.5.1 TSV技术与异构集成 3.5.2 高带宽存储器（HBM） 3.6 嵌入式DRAM 3.6.1 1T1C嵌入式DRAM 3.6.2 无电容嵌入式DRAM 参考文献

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半导体存储器件与电路作者简介

[美]余诗孟(Shimeng Yu)，是佐治亚理工学院电子与计算机工程系教授，也是IEEE会士(Fellow)。余教授的研究兴趣包括用于高能效计算系统的半导体器件和集成电路。他的研究专长主要是新型非易失性存储技术及相关应用，包括在深度学习加速器、存算一体、3D集成和硬件安全等多方面的应用。他已发表了400多篇经同行评审的会议和期刊论文，并拥有超过30000次的Google Scholar引用，H因子为82。

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