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图解入门——半导体器件缺陷与失效分析技术精讲 版权信息
- ISBN：9787111749622
- 条形码：9787111749622 ; 978-7-111-74962-2
- 装帧：平装-胶订
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>>
图解入门——半导体器件缺陷与失效分析技术精讲 本书特色
各种分析工具可有效提升良率
多位日本半导体专家倾力打造
硅集成电路 (LSI) 的失效分析
功率器件的缺陷、失效分析
化合物半导体发光器件的缺陷、失效分析
图解入门——半导体器件缺陷与失效分析技术精讲 内容简介
本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。 本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到近期新研究，覆盖范围较广。
图解入门——半导体器件缺陷与失效分析技术精讲 目录
前言
第1章 半导体器件缺陷及失效分析技术概要/
1.1失效分析的定位/
1.2缺陷分析的定位/
1.3用于缺陷及失效分析的分析工具概要/
专栏:NANOTS的成立与更名/
第1章参考文献/
第2章 硅集成电路(LSI)的失效分析技术/
2.1失效分析的步骤和近8年新开发或普及的技术/
2.2封装部件的失效分析/
2.3芯片部件失效分析过程和主要失效分析技术一览/
2.4芯片部件的无损分析方法/
2.5芯片部件的半破坏性分析/
2.6物理和化学分析方法/
专栏:应该如何命名?/
第2章练习题/
第2章缩略语表/
第2章参考文献/
第3章 功率器件的缺陷及失效分析技术/
3.1功率器件的结构和制造工艺/
3.2由晶圆制造工艺引起的器件缺陷及失效分析技术/
专栏:晶圆背面状态对工艺的影响/
3.3由芯片制造工艺引起的器件缺陷及失效分析技术/
专栏:碱金属的加速氧化/
3.4由模块制造工艺引起的设备缺陷及失效分析技术/
3.5功率器件的其他分析技术/
专栏:增大用于功率器件的晶圆直径/
第3章练习题/
第3章参考文献/
第4章 化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术/
4.1化合物半导体发光器件的工作原理和结构/
4.2化合物半导体发光器件的可靠性(以半导体激光器为例)/
4.3化合物半导体发光器件的可靠性测试/
4.4化合物半导体发光器件缺陷及失效分析的基本技术/
4.5化合物半导体发光器件缺陷及失效分析流程图/
专栏:高速增长的VCSEL市场，可靠性没问题?不!/
第4章练习题/
第4章缩略语表/
第4章参考文献/
作者介绍/
练习题答案
第1章 半导体器件缺陷及失效分析技术概要/
1.1失效分析的定位/
1.2缺陷分析的定位/
1.3用于缺陷及失效分析的分析工具概要/
专栏:NANOTS的成立与更名/
第1章参考文献/
第2章 硅集成电路(LSI)的失效分析技术/
2.1失效分析的步骤和近8年新开发或普及的技术/
2.2封装部件的失效分析/
2.3芯片部件失效分析过程和主要失效分析技术一览/
2.4芯片部件的无损分析方法/
2.5芯片部件的半破坏性分析/
2.6物理和化学分析方法/
专栏:应该如何命名?/
第2章练习题/
第2章缩略语表/
第2章参考文献/
第3章 功率器件的缺陷及失效分析技术/
3.1功率器件的结构和制造工艺/
3.2由晶圆制造工艺引起的器件缺陷及失效分析技术/
专栏:晶圆背面状态对工艺的影响/
3.3由芯片制造工艺引起的器件缺陷及失效分析技术/
专栏:碱金属的加速氧化/
3.4由模块制造工艺引起的设备缺陷及失效分析技术/
3.5功率器件的其他分析技术/
专栏:增大用于功率器件的晶圆直径/
第3章练习题/
第3章参考文献/
第4章 化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术/
4.1化合物半导体发光器件的工作原理和结构/
4.2化合物半导体发光器件的可靠性(以半导体激光器为例)/
4.3化合物半导体发光器件的可靠性测试/
4.4化合物半导体发光器件缺陷及失效分析的基本技术/
4.5化合物半导体发光器件缺陷及失效分析流程图/
专栏:高速增长的VCSEL市场，可靠性没问题?不!/
第4章练习题/
第4章缩略语表/
第4章参考文献/
作者介绍/
练习题答案
展开全部
图解入门——半导体器件缺陷与失效分析技术精讲 作者简介
山本秀和，北海道大学研究生院工学研究科电气工学博士。在三菱电机从事Si-LSI及功率器件的研究开发。现任千叶工业大学教授，从事功率器件和功率器件产品的分析技术研究。曾任北海道大学客座教授、功率器件赋能协会理事、新金属协会硅晶体分析技术国际标准审议委员会委员长、新金属协会半导体供应链研究会副委员长等。
上田修，东京大学工学部物理工学博士。1974—2005年，在富士通研究所(股份有限公司)从事半导体中晶格缺陷的分析以及半导体发光器件、电子器件劣化机制阐明的研究。2005—2019年，在金泽工业大学研究生院工学研究科任教授。现为明治大学客座教授。
二川清，大阪大学研究生院基础工学研究科物理系工学博士。在NEC和NEC电子从事半导体可靠性和失效分析技术的实际业务和研究开发。曾任大阪大学特聘教授、金泽工业大学客座教授、日本可靠性学会副会长等职。现任芝浦工业大学兼职讲师。
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