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电子通信

氮化镓微波功率器件

作者：马晓华，郑雪峰，张进成编著

出版社：西安电子科技大学出版社出版时间：2023-09-01

开本： 24cm 页数： 252页

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版权信息
内容简介
目录

氮化镓微波功率器件版权信息

ISBN：9787560668451
条形码：9787560668451 ; 978-7-5606-6845-1
装帧：一般胶版纸
册数：暂无
重量：暂无
所属分类：
工业技术
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电子通信

氮化镓微波功率器件内容简介

本书共6章，包括绪论、氮化物材料MOCVD生长技术、氮化镓微波功率器件技术、微波功率器件新型工艺、微波功率器件建模技术、新型氮化镓微波功率器件。

氮化镓微波功率器件目录

第1章绪论 1.1背景 1.2氮化镓材料研究进展 1.3氮化镓微率器件研究进展 1.4氨化镓微率器件可靠进展参考文献第2章氨化物材料MOCVD生长技术 2.1 GaN材料基本特及MOCVD生长技术 2.1.1 GaN 材料的基本特 2.1.2 MOCVD方法生长GaN简介 2.2磁控溅射AlN基板生长GaN 薄膜技术 2.2.1磁控溅射AIN特简介 2.2.2磁控溅射AlN基板上GaN材料生长及表征2.2.3磁控溅射AlN基板位错机理分析 2.3微纳球掩膜部分接触式横向外延过生长技术 2.3.1部分接触式横向外延过生长简介 2.3.2微纳球掩膜技术外延薄膜材料表征 2.3.3微纳球掩膜技术外延机理分析 2.4斜切衬底上N面GaN材料生长技术 2.4.1 N面GaN材料简介.. 2.4.2斜切衬底上N面GaN 材料生长 2.4.3斜切衬底上N面GaN材料位错湮灭机理分析 2.5InGaN沟道异质结 2.5.1 InGaN沟道异质结特简介 2.5.2 InGaN沟道异质结基本特表征 2.5.3 InGaN沟道异质结电学特分析参考文献 …… 第3章氨化镓微率器件技术制4章微率器件新型工艺第5章微率器件建模第6章新型氨化镓微率器件

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