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掺杂GAN纳米线制备技术 版权信息
- ISBN：9787502496401
- 条形码：9787502496401 ; 978-7-5024-9640-1
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
掺杂GAN纳米线制备技术 内容简介
本书共分9章，主要内容包括各种元素掺杂GaN纳米线的制备工艺与性能测试。对掺杂可以改善GaN纳米线电学特性的原因进行了讨论。另外，还介绍了AlN包覆GaN纳米线的制备及表征，分析了AlN包覆GaN纳米线的形成机理。本书内容涉及物理、化学、材料和电子信息等多个领域的相关知识，书中详细地给出了各种掺杂GaN纳米线制备的很好工艺，以便读者更好地了解本书的内容。本书可供电子科学与技术、微电子学与固体电子学、光电信息工程、物理学类本科生、研究生及相关领域工程技术人员阅读。也可作为高等院校相关专业师生的教学参考书。
掺杂GAN纳米线制备技术 目录
目录1绪论11.1纳米材料概述11.2GaN材料概述11.2.1物理性质21.2.2化学性质21.2.3电学性质21.2.4光学特性21.3GaN纳米线的合成方法31.3.1分子束外延法31.3.2金属有机化学气相沉积法31.3.3氢化物输运气相外延生长法41.3.4模板限制生长法41.3.5激光烧蚀法41.3.6氧化物辅助生长法41.3.7化学气相沉积法51.3.8溶胶凝胶法51.4纳米线的生长机制51.4.1气液固机制51.4.2气固机制61.4.3GaN纳米线表征与性能测试方法61.5场发射理论71.5.1经典FN理论71.5.2半导体场致电子发射91.5.3相关概念10参考文献112P掺杂GaN纳米线的制备及性能142.1实验原料142.2衬底的处理152.3实验步骤及形貌分析162.3.1基本实验步骤162.3.2不同氨化温度对P掺杂GaN纳米线形貌的影响162.3.3不同氨化时间对P掺杂GaN纳米线形貌的影响172.3.4不同氨气流量对P掺杂GaN纳米线形貌的影响182.3.5不同浓度P掺杂对GaN纳米线形貌的影响192.4P掺杂GaN纳米线的物相分析212.4.1纯净GaN纳米线的物相分析212.4.2掺杂源比例为1∶30的P掺杂GaN纳米线的物相分析222.4.3掺杂质量比为1∶20的P掺杂GaN纳米线的物相分析232.4.4掺杂质量比为1∶10的P掺杂GaN纳米线的物相分析242.5P掺杂GaN纳米线的性能252.6P掺杂GaN纳米的生长机制分析26参考文献273Te掺杂GaN纳米线的制备及性能283.1实验方法及设备283.2实验过程293.3样品的表征与分析303.3.1样品的表征方法303.3.2Ga2O3和Te质量比对纳米线的影响303.3.3反应温度对纳米线的影响343.3.4Te掺杂GaN纳米线的Raman分析363.4Te掺杂GaN纳米线的性能38参考文献414Sn掺杂GaN纳米线的制备及性能424.1实验方案424.1.1制备方法424.1.2实验药品的选择434.2实验设备434.3实验过程444.4结果与讨论454.4.1氨化温度对Sn掺杂GaN纳米线的影响454.4.2氨气流量对Sn掺杂GaN纳米线的影响464.4.3氨化时间对Sn掺杂GaN纳米线的影响464.4.4Sn掺杂浓度对GaN纳米线材料的影响484.4.5
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