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功率超结器件 版权信息
- ISBN:9787115589347
- 条形码:9787115589347 ; 978-7-115-58934-7
- 装帧:平装-胶订
- 册数:暂无
- 重量:暂无
- 所属分类:>>
功率超结器件 本书特色
介绍电子科技大学在功率半导体器件这个重要领域中的新理论成果;
聚焦超结器件这一前途无量的功率半导体器件路线;
理论推导严谨有力、实验支撑扎实,已申请相关专利,可有效支撑技术开发;
内容系统、提供器件基本图表、傅里叶级数解等附录,便于读者参考
功率超结器件 内容简介
超结是功率半导体器件领域的创新的耐压层结构之一,它将常规阻型耐压层质变为PN 结型耐压层,突破了传统比导通电阻和耐压之间的“硅极限”关系(Ron,sp∝VB^2.5),将 2.5次方关系降低为 1.32次方,甚至是 1.03 次方关系,被誉为功率半导体器件发展的“里程碑”。 本书概述了功率半导体器件的基本信息,重点介绍了作者在功率超结器件研究中获得的理论、技术与实验结果,包括电荷场调制概念、超结器件耐压原理与电场分布、纵向超结器件非全耗尽模式与准线性关系(Ron,sp∝VB^1.03)、横向超结器件等效衬底模型、全域优化法、* 低比导通电阻理论等。在此基础上,本书又提出了匀场耐压层新概念,即以金属-绝缘体-金属元胞替代 PN 结元胞,并对这种匀场耐压层的新应用进行了探索。本书可供半导体器件相关专业的科研工作者参考
功率超结器件 目录
功率超结器件 作者简介
章文通 电子科技大学副教授。从事功率半导体器件与功率集成技术方向研究。以第 一作者身份在IEEE EDL、IEEE TED 上发表论文 19 篇,2 次入选IEEE EDL 封面 Highlight,授权国家发明专利 34 项,获国防技术发明奖二等奖、中国产学研合作创新成果奖二等奖、电子科技大学学术新人奖等。 张波 电子科技大学教授、博士生导师,电子科技大学集成电路研究中心主任、功率集成技术实验室主任。长期从事功率半导体技术研究,担任IEEE TED 功率器件领域编辑。发表学术论文 600 余篇,授权国家发明专利 200 余项,获国家科学技术进步奖二等奖等国 家级、省部级奖项 18 项。 李肇基 电子科技大学教授、博士生导师,曾任电子科技大学微电子研究所所长、四川省电力电子学会副理事长。从事功率半导体器件与集成电路研究近 40 年,发表学术论文 200 余篇,授权国家发明专利 40 余项,获国家科学技术进步奖二等奖、三等奖等。
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