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液态金属印刷半导体技术(液态金属物质科学与技术研究丛书)

液态金属印刷半导体技术(液态金属物质科学与技术研究丛书)

出版社:上海科学技术出版社出版时间:2023-07-01
开本: 16开 页数: 324
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液态金属印刷半导体技术(液态金属物质科学与技术研究丛书) 版权信息

液态金属印刷半导体技术(液态金属物质科学与技术研究丛书) 本书特色

本书作者从有别于传统半导体生长技术的角度出发,于国内外首次提出了液态金属印刷电子学与印刷半导体的全新理念与技术途径,研发的有关液态金属电子制造装备及电子材料产品逐步实现了规模化工业应用及普及,正为下一代电子器件、集成电路乃至用户端芯片的快速成型打开全新视野,为半导体制造业注入新的活力。与此同时,世界范围内对半导体制造方面的竞争日趋紧张加剧,我国众多半导体与芯片行业陷入严峻的卡脖子境遇,改变现状的突破口只能通过重大理论创新与技术变革实现。本书首次系统介绍液态金属印刷半导体技术的基本思想、典型途径和应用情形,其全新理论与应用技术体系颠覆了经典制程的基本理念,开辟出了崭新的半导体与集成电路制造赛道,本书的出版将及时有力地促进我国相关行业后来居上乃至实现跨越式发展,有紧迫的现实意义。

液态金属印刷半导体技术(液态金属物质科学与技术研究丛书) 内容简介

经典半导体制备及器件光刻工艺通常受制于价格高昂的设备、繁琐冗长的制程及严重水电消耗。作者刘静教授带领团队研发的液态金属印刷半导体技术,以一种自下而上的全新方式实现了对Ga2O3、GaN等第三代、第四代以及更多类型半导体的大面积低成本印制,由此可快速构筑二极管、三极管、晶体管乃至集成电路和功能芯片,这一模式打破了传统半导体制造理念与应用技术瓶颈,正以其普惠化特点展示出巨大发展空间,可望为芯片制造业注入新的活力。为促进这一新兴领域的繁荣和发展,本书旨在介绍液态金属印刷半导体技术的基本原理、典型途径和应用问题,以助力更多基础研发和工业实践,继而推动行业进步。尤其在当前我国众多半导体与芯片行业陷入严峻的卡脖子

液态金属印刷半导体技术(液态金属物质科学与技术研究丛书) 目录

第1章绪论1 11半导体材料及其基本制造途径1 12经典半导体制备工艺面临的困境4 13通向普惠制造的印刷电子技术5 14变革性的液态金属印刷半导体技术7 141基本技术概要7 142液态金属直接印刷第三代半导体技术9 143液态金属直接印刷第四代半导体技术9 15液态金属印刷半导体先进制程的优势10 16液态金属印刷半导体面临的机遇与挑战11 参考文献12
第2章液态金属元素半导体及化合物半导体15 21引言16 22物质相态转移与常温制造17 23典型的液态金属材料及其化合物半导体17 24液态金属超常物质特性21 25液态金属正重塑半导体材料学23 26种类无限的液态金属合金及复合材料24 27液态金属微纳尺度半导体材料学25 28液态金属是催生电子及半导体技术变革的强劲引擎25 29小结27 参考文献28
第3章液态金属基础物理化学特性30 31引言30 32印刷电子概况31 321常规印刷技术31 322常规电子油墨32 323打印方法32 324烧结方法33 33液态金属印刷电子及半导体33 34液态金属电子墨水的基本特点和优势34 35液态金属电子墨水物理性质35 351热物理性质 36 352流体性质36 353可弯曲及拉伸电子特性37 354半导体性质37 355磁学性质38 356力学性质38 357其他重要物理属性39 36液态金属化学性质39 37液态金属典型电子及半导体墨水制备途径40 371合金化40 372组合化41 373纳米化41 374氧化41 375氮化42 376更多化学后处理措施43 38液态金属印刷电子及半导体对当代社会的意义45 381节能意义45 382对环境保护的意义46 383对健康技术的影响46 384新兴应用46 39挑战与机遇47 310小结48 参考文献49
第4章液态金属电子薄膜及物件的印刷52 41引言52 42传统的电子印刷及油墨53 43液态金属印刷电子油墨54 44液态金属电子墨水的可打印性56 441可调节的黏附性56 442润湿性57 45液态金属电子功能薄膜印刷方法57 451液态金属电子手写方式58 452液态金属全自动打印电子59 453普适性液态金属喷墨印刷60 454液态金属转印方法62 46液态金属3D电子及半导体打印方法65 47液态金属印刷电子商用设备的发展及应用67 48小结73 参考文献74
第5章液态金属印刷电子与半导体互联技术77 51引言77 52液态金属导电图案化打印及与常规半导体器件互联79 53碳纳米管薄膜印刷及液态金属制备84 531碳纳米管薄膜印刷84 532液态金属的制备85 54液态金属碳纳米管光伏电池印制85 55高性能柔性液态金属碳纳米管晶体管88 56用液态金属和有序排列的碳纳米管制造光电子器件92 57小结93 参考文献93
第6章液态金属剥离法印刷氧化物半导体96 61引言97 62SiO2/Si基底上βGa2O3薄膜的表征98 63半导体薄膜的形成及晶体管印制与刻画101 64βGa2O3器件制造及性能评估102 65击穿电压与电容变化105 66小结107 参考文献107
第7章液态金属掺杂实现氧化物半导体的改性和印制109 71引言110 72液态金属基n型和p型Ga2O3薄膜的直接印刷111 73Ga2O3薄膜形貌、化学成分及晶体结构等性能的表征114 74n型和p型Ga2O3在FET电子器件中的应用124 75小结135 参考文献135
第8章液态金属氮化物半导体室温印刷139 81引言140 82等离子体介导的Ga液态金属与N2限域直接反应141 83室温制造GaN半导体的材料及设备143 84GaN半导体室温印制及表征144 85超薄2D GaN薄膜的性质150 86印刷超薄2D GaN薄膜在电子器件中的应用154 87小结157 参考文献158
第9章液态金属印刷制备磷化物和硫化物半导体薄膜162 91引言162 92液态金属Ga表面磷化反应制备二维半导体薄膜164 921液态金属Ga表面生长二维GaP半导体164 922液态金属Ga印刷制备2D 磷酸镓167 93液态金属表面硫化反应制备二维半导体薄膜169 931液态金属Ga印刷制备2D GaS169 932液态金属Sn印刷制备2D SnS171 94液态金属印刷制备二维半导体器件173 941液态金属Ga印刷制备2D GaS晶体管173 942液态金属Sn印刷制备柔性2D SnS压电纳米发电机175 95镓基液态金属室温印刷P、S半导体薄膜176 96小结178 参考文献178
第10章液态金属印刷多元化合物半导体180 101引言181 102多元合金及GaInSnO和InSnO多层膜制备工艺183 103印刷型超薄GaInSnO半导体薄膜的性能185 104基于多层膜印制的电子器件集成及应用195 105小结203 参考文献203
第11章在不同基底表面上的液态金属电子及半导体印刷209 111引言209 112有较宽基底适应性的半液态金属电子油墨印刷特性212 113Ni基液态金属油墨印制电路的刻画216 114三维基材表面的电子及半导体印制223 115三维电子及半导体墨水材料刻画224 116液态金属三维印刷电子器件及功能225 117小结235 参考文献236
第12章一维纤维形状与结构液态金属电子及半导体印刷238 121引言238 122导电纤维及半导体材料制备240 123导电纤维机电特性及热稳定性242 124智能响应型液态金属纤维丛及半导体248 125小结256 参考文献256
第13章液态金属印刷集成电路及芯片258 131集成电路发展概况259 13111940年代至1950年代(晶体管阶段)259 13121960年代至今(IC阶段)259 1313印刷IC260 132改变集成电路及芯片制造模式的液态金属印刷技术261 133液态金属导电油墨的改性和增强263 134液态金属导电体印制及材料表征264 135柔性基材上印刷的液态金属碳纳米管薄膜晶体管268 136高性能柔性液态金属碳纳米管薄膜晶体管269 137印刷液态金属碳纳米管基薄膜晶体管器件的稳定性275 138液态金属印刷集成电路发展路线图279 139小结281 参考文献282
第14章液态金属印刷半导体工业应用286 141引言286 142印刷2D半导体光电探测器基本材料及测试工具288 143液态金属基2D半导体印刷及表征289 144印刷2D半导体材料的光电特性295 145基于βGa2O3/Si异质结的全印刷日盲紫外光电探测器298 146液态金属印刷光伏发电器305 147小结306 参考文献307
第15章面向消费者和个人用户的液态金属普惠印刷半导体311 151引言311 152液态金属普惠印刷电子及半导体313 153商业产品开发及产业化路线图316 154迎接液态金属半导体普惠印刷时代的到来320 155小结321 参考文献322
索引325
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液态金属印刷半导体技术(液态金属物质科学与技术研究丛书) 作者简介

刘静,中国科学院理化技术研究所研究员、清华大学生物医学工程系教授。长期从事液态金属、生物医学工程与工程热物理等领域交叉科学问题研究并做出系列开创性贡献。特别是在液态金属领域取得了突破性发现和应用,成果在世界范围产生广泛影响。出版14部著作,发表论文480余篇(30余篇英文封面或封底故事);申报发明专利200余项,已获授权130余项。曾获国际传热界最高奖之一“The William Begell Medal”、全国首届创新争先奖、中国制冷学会技术发明一等奖、ASME会刊Journal of Electronic Packaging年度唯一最佳论文奖等。 李倩,中国科学院理化技术研究所助理研究员。主要研究方向为:功能电子器件,半导体光电子器件,光伏器件,半导体材料,纳米材料。在液态金属柔性印刷原型器件构建等方面形成了有特色的研究体系。获得了一批国际水平的研究成果,在液态金属功能器件研究领域,特别是高性能印刷液态金属柔性半导体电子及集成电路研究方面处于前沿水平。
杜邦登,中国科学院理化技术研究所博士后,曾任航天工程大学激光推进及其应用国家重点实验室助理研究员,以及中国船舶集团有限公司第725研究所工程师。主要从事液态金属制造二维或超薄半导体材料及电子器件方面的研究。利用低温氮等离子体处理液态镓表面,实现了氮化镓薄膜材料的室温生长;通过液态镓基合金成分调控,制备出高性能的掺杂型氧化镓薄膜。以第一、共一作者身份发表系列重要论文,申请专利多项。

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