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元器件简明要求和应用指南 版权信息
- ISBN：9787515921105
- 条形码：9787515921105 ; 978-7-5159-2110-5
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
元器件简明要求和应用指南 内容简介
本书包括：主要种类元器件及其用途、主要元器件性能参数及其含义、质量保证标准及质量等级、元器件监制和验收、可靠性试验及可靠性设计、静电和辐射损伤及其防护、主要元器件应用注意事项、失效分析及失效机理、制造工艺，以及附表。本书几乎不涉及深奥的数理知识，紧密结合应用中的实际问题，深入浅出、通俗易懂、简明扼要地叙述了与元器件有关的一般要求及应用的基本知识。本书具有较强的实用性、可操作性，可供从事元器件质量控制、测试、管理的人员和工程技术人员查阅和参考。
元器件简明要求和应用指南 目录
**部分 主要种类元器件及其用途
1.元器件（3E元器件）
2.标准元器件
3.关键元器件
4.元器件系列型谱
5.标准化
6.通用化
7.系统化
8.模块化
9.无源元件（元件）
10.有源元件（器件）
11.分立元器件
12.有源结
13.有源电路区
14.电子真空器件
15.价带、导带和禁带（能带图）
16.杂质能级
17.半导体
18.PN结（耗尽层、阻挡层）
19.PN结单向导电性
20.PN结反向击穿特性
21.PN结电容效应
22.半导体器件
23.半导体二极管
24.检波二极管
25.整流二极管
26.快恢复整流二极管
27.开关二极管
28.稳压二极管（齐纳二极管）
29.瞬态电压抑制二极管（TVS）
30.恒流二极管（电流调整二极管）
31.双向触发二极管（二端交流器件）
32.单结晶体管（UJT）
33.点接触二极管
34.肖特基势垒二极管（SBD）
35.变容二极管
36.隧道二极管
37.体效应二极管（TED）
38.阶跃恢复二极管（SRD）
39.PIN二极管
40.雪崩渡越时间二极管
41.发光二极管（发射二极管）
42.半导体晶体管
43.双极型晶体管（BJT）
44.三极管
45.晶闸管（晶体闸流管或可控硅器件）
46.单向晶闸管
47.双向晶闸管
48.可关断晶闸管
49.光控晶闸管（LCR）
50.逆导晶闸管
51.快速晶闸管
52.单极型晶体管（FET）
53.结型场效应晶体管（JFET）
54.MOS场效应晶体管（MOSFET）
55.N沟道场效应晶体管
56.P沟道场效应晶体管
57.N沟道或P沟道耗尽型MOS场效应晶体管
58.N沟道或P沟道增强型MOS场效应晶体管
59.双栅极MOS场效应晶体管
60.VMOS功率场效应晶体管
61.肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET）
62.绝缘栅双极晶体管（IGBT）
63.光电器件
……
第二部分 主要元器件性能参数及其含义
第三部分 元器件质量保证标准及质量等级
第四部分 元器件监制和验收
第五部分 可靠性试验及可靠性设计
第六部分 静电和辐射损伤及其防护
第七部分 部分元器件应用注意事项
第八部分 失效分析及失效机理
第九部分 制造工艺
附表
1.元器件（3E元器件）
2.标准元器件
3.关键元器件
4.元器件系列型谱
5.标准化
6.通用化
7.系统化
8.模块化
9.无源元件（元件）
10.有源元件（器件）
11.分立元器件
12.有源结
13.有源电路区
14.电子真空器件
15.价带、导带和禁带（能带图）
16.杂质能级
17.半导体
18.PN结（耗尽层、阻挡层）
19.PN结单向导电性
20.PN结反向击穿特性
21.PN结电容效应
22.半导体器件
23.半导体二极管
24.检波二极管
25.整流二极管
26.快恢复整流二极管
27.开关二极管
28.稳压二极管（齐纳二极管）
29.瞬态电压抑制二极管（TVS）
30.恒流二极管（电流调整二极管）
31.双向触发二极管（二端交流器件）
32.单结晶体管（UJT）
33.点接触二极管
34.肖特基势垒二极管（SBD）
35.变容二极管
36.隧道二极管
37.体效应二极管（TED）
38.阶跃恢复二极管（SRD）
39.PIN二极管
40.雪崩渡越时间二极管
41.发光二极管（发射二极管）
42.半导体晶体管
43.双极型晶体管（BJT）
44.三极管
45.晶闸管（晶体闸流管或可控硅器件）
46.单向晶闸管
47.双向晶闸管
48.可关断晶闸管
49.光控晶闸管（LCR）
50.逆导晶闸管
51.快速晶闸管
52.单极型晶体管（FET）
53.结型场效应晶体管（JFET）
54.MOS场效应晶体管（MOSFET）
55.N沟道场效应晶体管
56.P沟道场效应晶体管
57.N沟道或P沟道耗尽型MOS场效应晶体管
58.N沟道或P沟道增强型MOS场效应晶体管
59.双栅极MOS场效应晶体管
60.VMOS功率场效应晶体管
61.肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET）
62.绝缘栅双极晶体管（IGBT）
63.光电器件
……
第二部分 主要元器件性能参数及其含义
第三部分 元器件质量保证标准及质量等级
第四部分 元器件监制和验收
第五部分 可靠性试验及可靠性设计
第六部分 静电和辐射损伤及其防护
第七部分 部分元器件应用注意事项
第八部分 失效分析及失效机理
第九部分 制造工艺
附表
展开全部
元器件简明要求和应用指南 作者简介
翁荣泉，1938年生，福建省福州市人，1965年毕业于成都电讯工程学院半导体专业，获工学学士学位，高级工程师。航天科工集团某院元器件专家组成员，北京航天新立科技有限公司元器件技术顾问。长期从事半导体器件制造工艺以及重点型号系列元器件的筛选、检测和验收等工作。曾荣获航天科工集团某院先进工作者、质量部型号突出贡献奖等。负责和参与了航天科工集团某院元器件优选目录、多项元器件技术标准的编写。研究元器件应用课题十余项，在军用元器件质量保证、失效分析、制造工艺、下厂验收等方面取得了多项研究成果。
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