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石墨烯纳米电子学——从材料到电路

石墨烯纳米电子学——从材料到电路

作者:王雪峰
出版社:国防工业出版社出版时间:2023-01-01
开本: 其他 页数: 248
本类榜单:工业技术销量榜
中 图 价:¥99.8(6.4折) 定价  ¥156.0 登录后可看到会员价
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石墨烯纳米电子学——从材料到电路 版权信息

石墨烯纳米电子学——从材料到电路 内容简介

本书的内容经过编者合理的调整,将许多在石墨烯领域出色的权威人士对石墨烯纳米器件的见解进行了整理、总结。本书包含了九个章节,在概括了CMOS器件发展历史和发展趋势后,编者首先用四个章节分别论述了石墨烯纳米晶体管的器件物理性质,然后再用四个章节论述了制作石墨烯纳米器件的材料和工艺方法。

石墨烯纳米电子学——从材料到电路 目录

第1章 CMOS器件性能进展
1.1 引言
1.2 MOSFET操作的基本原理
1.3 10nm尺寸MOSFET器件物理
1.4 简单的MOSFET模型
1.5 MOSFET性能指标
1.6 MOSFET性能的历史发展趋势
1.7 Si基MOSFET的速度演化
1.8 应变Si器件中的载流子速度增长极限
1.9 对Ge和Ⅲ-V族半导体中的速度增长的展望
1.10 小结
参考文献
延伸阅读

第2章 石墨烯中的电子输运
2.1 石墨烯的电子能带结构
2.1.1 紧束缚计算
2.1.2 石墨烯纳米带
2.2 电子输运
2.2.1 电声子散射
2.2.2 无序散射
2.2.3 石墨烯纳米带中的输运
2.2.4 SiC生长和CVD生长石墨烯中的输运
2.3 石墨烯场效应晶体管中的高场输运
2.4 小结
致谢
参考文献
延伸阅读

第3章 石墨烯晶体管
3.1 引言
3.2 数字场效应晶体管
3.3 能带带隙
3.4 射频场效应晶体管(RFFET)
3.5 宽度缩放
3.6 边缘散射的弱化
3.7 长度缩放
3.8 层数对FET性能的影响
3.9 掺杂
3.10 数字FET的性能蓝图
3.11 接触电阻
3.12 从晶体管到电路
3.13 非经典的电荷晶体管
3.14 小结
参考文献

第4章 非电态参量石墨烯晶体管
4.1 引言
4.2 石墨烯中的电子电荷
4.3 石墨烯原子开关
4.4 石墨烯中的自旋
4.5 石墨烯中的赝自旋
4.6 石墨烯中的声子
4.7 展望
致谢
参考文献
……

第5章 新型态参量的输运
第6章 石墨烯的外延生长
第7章 利用化学气相沉积法生长石墨烯
第8章 制备石墨烯氧化物及相关材料的化学方法
第9章 石墨烯上的电介质原子层沉积

缩略语
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石墨烯纳米电子学——从材料到电路 作者简介

王雪峰,男,于中科院上海冶金所(现微系统所)获理学博士 (半导体物理与器件物理专业),现任苏州大学物理学院特聘教授,主要从事石墨烯及类材料纳米器件的物理特性理论和模拟研究。1994年,获中国科学院自然科学奖一等奖,中科院院长奖优秀奖,上海市科技系统十佳青年。承担2012国家自然科学基金重大研究计划项目(91121021):石墨烯等离激元受激发射太赫兹量子振荡源。发表相关论文多篇。

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