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GaN量子阱光电探测器中单电子态的数值计算
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作者：哈斯花
出版社：吉林大学出版社出版时间：2023-01-10
开本： 16开 页数： 195
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GaN量子阱光电探测器中单电子态的数值计算 版权信息

  • ISBN：9787576809152
  • 条形码：9787576809152 ; 978-7-5768-0915-2
  • 装帧：一般胶版纸
  • 册数：暂无
  • 重量：暂无
  • 所属分类：
    自然科学
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    物理学

GaN量子阱光电探测器中单电子态的数值计算 内容简介

本书总结作者十余年来一直从事Ⅲ族氮化物异质结构的理论研究结果，详细介绍在有效质量近似框架下基于GaN量子阱光电探测器中单电子态的数值计算方法、理论模型和计算数据分析。全书一共分为六章。**章和第二章重点介绍Ⅲ族氮化物半导体材料及其量子阱结构的特点和性质。第三章讨论GaN量子阱中的电子态及其受到极化电场、二维电子（空穴）气、外电场以及电声子相互作用的具体影响。第四章介绍GaN单量子阱和双量子阱中的类氢杂质态。第五章详细介绍GaN量子阱中的激子态及电声子相互作用等问题。第六章通过量子阱结构的设计和优化，分别介绍非对称单量子阱、外电场调制下的单量子阱、耦合双量子阱和插入纳米凹槽的台阶量子阱研究电子的子带间跃迁的光学吸收问题和动力学性质。

GaN量子阱光电探测器中单电子态的数值计算 目录

**章 Ⅲ族氮化物的基本性质
1.1 晶体结构
1.2 能带结构
1.3 缺陷和杂质
参考文献
第二章 GaN量子阱的基本性质
2.1 带阶
2.2 应变
2.3 极化电场
2.4 电子气屏蔽效应
2.5 电声子相互作用
参考文献
第三章 GaN量子阱中的电子态
3.1 引言
3.2 理论计算模型
3.3 极化电场对量子阱中电子和空穴本征态的影响
3.4 电子-空穴气屏蔽影响下应变量子阱中电子和空穴的本征态
3.5 外电场下应变量子阱中电子与空穴的本征态
3.6 电声子相互作用对量子阱中电子本征态的影响
3.7 小结
参考文献
第四章 GaN量子阱中的类氢杂质态
4.1 引言
4.2 理论计算模型
4.3 单量子阱情形
4.4 双量子阱情形
4.5 小结
参考文献
第五章 GaN量子阱中的激子态
5.1 引言
5.2 理论模型
5.3 闪锌矿［001］取向GaN量子阱中的激子态
5.4 闪锌矿［111］取向GaN量子阱中的激子态
5.5 纤锌矿［0001］取向GaN量子阱中的激子态
5.6 小结
参考文献
第六章 GaN量子阱中的电子子带跃迁
6.1 引言
6.2 GaN量子阱中的电子子带跃迁
6.3 GaN量子阱中电子的声子辅助子带间跃迁
6.4 小结
参考文献
附录
展开全部

GaN量子阱光电探测器中单电子态的数值计算 作者简介

哈斯花，蒙古族，理学博士，内蒙古工业大学副教授，硕士生导师。2020年入选内蒙古自治区“新世纪321人才工程”。近年来，先后主持国家及省部级科研项目4项，在国内外学术期刊发表研究论文逾20篇，参编《大学物理学习指导书》一书，发表教学研究论文多篇。

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