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宽禁带半导体氧化镓:结构、制备与性能:structure, growth and physical properties

宽禁带半导体氧化镓:结构、制备与性能:structure, growth and physical properties

出版社:西安电子科技大学出版社出版时间:2022-09-01
开本: 24cm 页数: 316页
本类榜单:工业技术销量榜
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宽禁带半导体氧化镓:结构、制备与性能:structure, growth and physical properties 版权信息

  • ISBN:9787560664446
  • 条形码:9787560664446 ; 978-7-5606-6444-6
  • 装帧:一般胶版纸
  • 册数:暂无
  • 重量:暂无
  • 所属分类:>

宽禁带半导体氧化镓:结构、制备与性能:structure, growth and physical properties 内容简介

氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料,在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍,重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果;系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法,并对氧化镓的发展进行了综述和展望。 本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高校教师、研究生、高年级本科生的参考书或工具书,也可供其他对宽禁带半导体材料氧化镓感兴趣的人员参考。

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