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极紫外光刻

极紫外光刻

出版社:上海科学技术出版社出版时间:2022-09-01
开本: 16开 页数: 224
本类榜单:工业技术销量榜
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极紫外光刻 版权信息

  • ISBN:9787547857212
  • 条形码:9787547857212 ; 978-7-5478-5721-2
  • 装帧:80g胶版纸
  • 册数:暂无
  • 重量:暂无
  • 所属分类:>

极紫外光刻 本书特色

适读人群 :芯片制造、半导体设备、光刻技术等相关方面的技术和管理人员,集成电路、微纳电子、光电工程等专业本科生,以及短波光学、激光与物质相互作用、激光等离子体、极紫外光辐射等领域的研究生和专业研究人员1. 本书概况 极紫外光刻是光刻里*先进的技术,它是7nm及以下芯片制造的*核心的技术关键。本书综合地介绍了极紫外光刻技术相关联的各个重要方面及其发展历程,不仅论述了极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻的技术内容,而且还讨论了极紫外光刻生态系统的其他重要方面。 2.本书特色 (1)本书是一本论述极紫外光刻技术的Z新的专著,有关极紫外光刻技术许多Z新的研发内容都有所介绍和讨论。 (2)目前尚没有一本中文版的有关极紫外光刻技术的专门论著或译著,对于从事芯片领域的从业技术人员,这是一本非常及时且内容丰富的参考书。 (3)本书从内容上看新颖又全面,从形式上看详实又精炼。

极紫外光刻 内容简介

本书是一本论述极紫外光刻技术的近期新的专著,该书综合地介绍了极紫外光刻技术相关联的各个重要方面及其发展历程,不但论述极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模版、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻的技术内容,还讨论了极紫外光刻生态系统的其他重要方面,如极紫外光刻工艺特点和控制,极紫外光刻量测的特殊要求,极紫外光刻的成本计算,作者*后还讨论了极紫外光刻未来的各种延伸技术。

极紫外光刻 目录

第1章 绪论

1.1 光刻技术的历史背景/1

1.2 光刻技术的组成部分 /3

1.3 材料考量和多层膜反射镜/4

1.4 一般性问题 /11

习题/12

参考文献/12

第2章 EUV光源

2.1 激光等离子体光源/15

2.2 放电等离子体光源/28

2.3 自由电子激光器/32

习题/36

参考文献/36

第3章 EUV光刻曝光系统

3.1 真空中的EUV光刻/40

3.2 照明系统 /45

3.3 投影系统/47

3.4 对准系统/52

3.5 工件台系统/53

3.6 聚焦系统 /54

习题/55

参考文献/56

第4章 EUV掩模

4.1 EUV掩模结构/60

4.2 多层膜和掩模基板缺陷/66

4.3 掩模平整度和粗糙度/71

4.4 EUV掩模制作/74

4.5 EUV掩模保护膜/75

4.6 EUV掩模放置盒/83

4.7 其他EUV掩模吸收层与掩模架构/85

习题/88

参考文献/88

第5章 EUV光刻胶

5.1 EUV化学放大光刻胶的曝光机制/95

5.2 EUV光刻中的随机效应/98

5.3 化学放大光刻胶的新概念/108

5.4 金属氧化物EUV光刻胶/110

5.5 断裂式光刻胶/111

5.6 真空沉积光刻胶/111

5.7 光刻胶衬底材料/113

习题/114

参考文献/115

第6章 EUV计算光刻

6.1 传统光学邻近校正的考量因素/121

6.2 EUV掩模的三维效应/125

6.3 光刻胶的物理机理/133

6.4 EUV光刻的成像优化/135

习题/138

参考文献/139

第7章 EUV光刻工艺控制

7.1 套刻/144

7.2 关键尺寸控制/149

7.3 良率 / 151

习题/155

参考文献/156

第8章 EUV光刻的量测

8.1 掩模基板缺陷检测/160

8.2 EUV掩模测评工具/163

8.3 量产掩模验收工具/165

8.4 材料测试工具/168

习题/169

参考文献/170

第9章 EUV光刻成本

9.1 晶圆成本 /173

9.2 掩模成本/181

习题/182

参考文献/182

第10章 未来的EUV光刻

10.1 k【能走多低/184

10.2 更高的数值孔径/186

10.3 更短的波长/193

10.4 EUV多重成形技术/194

10.5 EUV光刻的未来/195

习题/195

参考文献/196

索 引


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极紫外光刻 作者简介

哈利??杰??莱文森(Harry J.Levinson),国际光学工程学会(SPIE)会士,HJL Lithography 的独立光刻顾问和首席光刻师,专注于光刻领域多年。曾在Sierra Semiconductor和IBM担任过职位。曾将光刻应用于许多不同的技术,包括双极存储器、64MB和256MB DRAM开发、专用集成电路芯片制造、磁记录薄膜磁头、闪存和先进逻辑芯片等。曾数年担任美国光刻技术工作组主席,参与制定了《国际半导体技术路线图》中有关光刻技术的章节。他是硅谷首批SVG-5倍步进式光刻机的用户之一,也是248nm、193nm和极紫外光刻的早期参与者;撰写的著作还有:《光刻工艺控制》《光刻原理》,拥有70多项美国专利。

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