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半导体物理与器件(第2版) 版权信息
- ISBN：9787121441127
- 条形码：9787121441127 ; 978-7-121-44112-7
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
半导体物理与器件(第2版) 本书特色
内容涵盖量子力学、固体物理、半导体物理和半导体器件等，提供电子课件PPT、知识点视频、习题参考答案等。
半导体物理与器件(第2版) 内容简介
本书系统且全面地阐述了半导体物理的基础知识和典型半导体器件的工作原理、工作特性，内容涵盖量子力学、固体物理、半导体物理和半导体器件等。全书共8章，主要内容包括：半导体中的电子运动状态、平衡半导体中的载流子浓度、载流子的输运、过剩载流子、pn结、器件制备基本工艺、金属半导体接触和异质结、双极晶体管。本书语言简明扼要、通俗易懂，具有很强的专业性、技术性和实用性，并配有电子课件PPT、知识点视频、习题参考答案等。本书既可作为高等学校电子科学与技术、微电子技术、光电信息工程等专业本科生的教材，又可作为相关领域工程技术人员的参考书。
半导体物理与器件(第2版) 目录
目 录
第1章 半导体中的电子运动状态 1
1．1 半导体材料 1
1．1．1 半导体材料的原子构成 1
1．1．2 半导体材料的结构 3
1．1．3 金刚石结构 8
1．1．4 固体的缺陷与杂质 10
1．2 量子力学初步 11
1．2．1 量子力学的基本原理 12
1．2．2 薛定谔方程及其波函数的意义 13
1．2．3 薛定谔方程的应用――自由电子与束缚态电子 15
1．2．4 薛定谔方程的应用――单电子原子中电子的状态 20
1．2．5 薛定谔方程的应用――多电子原子中电子的状态 23
1．3 晶体中电子的运动状态 25
1．3．1 能带的形成 26
1．3．2 一维无限晶体的能带 29
1．3．3 半导体的价键模型和能带模型 33
1．3．4 半导体的有效质量 36
1．3．5 空穴 38
1．3．6 金属、半导体和绝缘体的能带与导电性能差异 41
1．3．7 三维无限晶体的能带 42
习题1 44
第2章 平衡半导体中的载流子浓度 46
2．1 状态密度函数 46
2．2 费米-狄拉克分布函数 49
2．3 平衡载流子浓度 55
2．3．1 平衡半导体中载流子浓度的公式 57
2．3．2 本征半导体中的载流子浓度 60
2．3．3 载流子浓度的乘积 63
2．3．4 本征费米能级位置 63
2．4 只含一种杂质的杂质半导体中的载流子浓度 64
2．4．1 施主杂质和受主杂质 64
2．4．2 施主杂质能级上的电子和受主杂质能级上的空穴 69
2．4．3 电中性条件 70
2．5 补偿半导体的载流子浓度 76
2．6 费米能级的位置 77
2．7 简并半导体 83
2．7．1 简并半导体的载流子浓度 84
2．7．2 禁带变窄效应 85
习题2 86
第3章 载流子的输运 89
3．1 载流子的热运动 89
3．2 载流子的漂移运动 90
3．2．1 漂移电流密度 91
3．2．2 迁移率 93
3．2．3 电导率和电阻率 100
3．3 载流子的扩散运动 104
3．4 爱因斯坦关系 106
3．4．1 电场作用下的能带图 106
3．4．2 爱因斯坦关系的推导 107
3．5 霍尔效应 109
习题3 111
第4章 过剩载流子 113
4．1 载流子的产生和复合 113
4．1．1 决定载流子产生率的因素 114
4．1．2 决定载流子复合率的因素 115
4．1．3 热平衡状态下载流子的产生和复合 115
4．1．4 外力作用下载流子的产生和复合 116
4．2 准费米能级 118
4．3 过剩载流子的性质 120
4．3．1 载流子的连续性方程 120
4．3．2 与时间有关的扩散方程 121
4．4 双极输运及其输运方程 122
4．4．1 双极输运的概念 122
4．4．2 双极输运方程 123
4．4．3 小注入条件下的双极输运方程 124
4．4．4 双极输运方程应用 126
习题4 131
第5章 pn结 133
5．1 pn结的形成及其基本结构 133
5．1．1 合金法及形成的pn结的杂质分布 133
5．1．2 扩散法及形成的pn结的杂质分布 134
5．2 平衡pn结及其能带 135
5．2．1 平衡pn结 136
5．2．2 平衡pn结的能带 137
5．3 平衡pn结的参数 139
5．3．1 内建电势差 139
5．3．2 平衡pn结的内建电场强度及电势分布函数 143
5．3．3 空间电荷区宽度 147
5．3．4 空间电荷区的载流子浓度 150
5．3．5 线性缓变结的静电特性 151
5．4 pn结二极管的电流-电压特性方程 152
5．4．1 静电特性结果在外加电压pn结中的推广 153
5．4．2 pn结电流-电压特性方程的定性推导 156
5．4．3 pn结电流-电压特性方程的定量推导 157
5．4．4 对理想pn结电流-电压关系的修正 169
5．5 pn结的小信号模型 173
5．5．1 pn结反偏时的小信号模型 174
5．5．2 pn结正偏时的小信号模型 177
5．6 pn结二极管的瞬态响应 180
5．6．1 关瞬态 180
5．6．2 开瞬态 182
5．7 隧道二极管 183
5．8 pn结在光电器件中的应用 184
5．8．1 光电检测器 185
5．8．2 太阳能电池 189
5．8．3 发光二极管 191
习题5 194
第6章 器件制备基本工艺 197
6．1 器件制备基本工艺 197
6．1．1 衬底材料的准备 198
6．1．2 氧化 198
6．1．3 薄膜生长 199
6．1．4 薄膜的图形化 201
6．1．5 掺杂 202
6．2 pn结二极管的制备 203
习题6 205
第7章 金属半导体接触和异质结 206
7．1 金属半导体接触 206
7．1．1 金属和半导体的功函数 206
7．1．2 理想的金属半导体接触 207
7．1．3 表面态对金属半导体接触势垒的影响 211
7．1．4 理想金属半导体接触的特性 212
7．1．5 金属半导体接触的电流-电压关系 214
7．1．6 镜像力的影响 216
7．1．7 肖特基势垒二极管和pn结二极管的比较 216
7．1．8 欧姆接触 218
7．2 异质结 218
7．2．1 异质结的分类及其能带图 218
7．2．2 突变反型异质结的静电特性 222
7．3 异质结的电流-电压特性 224
7．3．1 突变反型异质结中的电流输运模型 225
7．3．2 突变同型异质结中的电流输运模型 227
7．3．3 异质结的注入比特性 227
习题7 228
第8章 双极晶体管 230
8．1 双极晶体管的基本情况 230
8．1．1 双极晶体管的结构 230
8．1．2 双极晶体管的特性参数 234
8．2 双极晶体管的电流-电压特性 235
8．2．1 理想晶体管模型及其求解 235
8．2．2 理想晶体管输入/输出特性曲线 240
8．2．3 非理想晶体管 242
8．2．4 非理想晶体管输入/输出特性曲线 245
8．3 晶体管的反向特性 247
8．3．1 晶体管的反向电流 247
8．3．2 晶体管的反向击穿电压 249
8．3．3 晶体管的穿通电压 250
8．4 晶体管模型和晶体管频率特性 250
8．4．1 Ebers-Moll模型 250
8．4．2 晶体管的频率特性 252
习题8 256
附录A 本书常用文字符号说明 257
附录B 常用表格 260
参考文献 261
第1章 半导体中的电子运动状态 1
1．1 半导体材料 1
1．1．1 半导体材料的原子构成 1
1．1．2 半导体材料的结构 3
1．1．3 金刚石结构 8
1．1．4 固体的缺陷与杂质 10
1．2 量子力学初步 11
1．2．1 量子力学的基本原理 12
1．2．2 薛定谔方程及其波函数的意义 13
1．2．3 薛定谔方程的应用――自由电子与束缚态电子 15
1．2．4 薛定谔方程的应用――单电子原子中电子的状态 20
1．2．5 薛定谔方程的应用――多电子原子中电子的状态 23
1．3 晶体中电子的运动状态 25
1．3．1 能带的形成 26
1．3．2 一维无限晶体的能带 29
1．3．3 半导体的价键模型和能带模型 33
1．3．4 半导体的有效质量 36
1．3．5 空穴 38
1．3．6 金属、半导体和绝缘体的能带与导电性能差异 41
1．3．7 三维无限晶体的能带 42
习题1 44
第2章 平衡半导体中的载流子浓度 46
2．1 状态密度函数 46
2．2 费米-狄拉克分布函数 49
2．3 平衡载流子浓度 55
2．3．1 平衡半导体中载流子浓度的公式 57
2．3．2 本征半导体中的载流子浓度 60
2．3．3 载流子浓度的乘积 63
2．3．4 本征费米能级位置 63
2．4 只含一种杂质的杂质半导体中的载流子浓度 64
2．4．1 施主杂质和受主杂质 64
2．4．2 施主杂质能级上的电子和受主杂质能级上的空穴 69
2．4．3 电中性条件 70
2．5 补偿半导体的载流子浓度 76
2．6 费米能级的位置 77
2．7 简并半导体 83
2．7．1 简并半导体的载流子浓度 84
2．7．2 禁带变窄效应 85
习题2 86
第3章 载流子的输运 89
3．1 载流子的热运动 89
3．2 载流子的漂移运动 90
3．2．1 漂移电流密度 91
3．2．2 迁移率 93
3．2．3 电导率和电阻率 100
3．3 载流子的扩散运动 104
3．4 爱因斯坦关系 106
3．4．1 电场作用下的能带图 106
3．4．2 爱因斯坦关系的推导 107
3．5 霍尔效应 109
习题3 111
第4章 过剩载流子 113
4．1 载流子的产生和复合 113
4．1．1 决定载流子产生率的因素 114
4．1．2 决定载流子复合率的因素 115
4．1．3 热平衡状态下载流子的产生和复合 115
4．1．4 外力作用下载流子的产生和复合 116
4．2 准费米能级 118
4．3 过剩载流子的性质 120
4．3．1 载流子的连续性方程 120
4．3．2 与时间有关的扩散方程 121
4．4 双极输运及其输运方程 122
4．4．1 双极输运的概念 122
4．4．2 双极输运方程 123
4．4．3 小注入条件下的双极输运方程 124
4．4．4 双极输运方程应用 126
习题4 131
第5章 pn结 133
5．1 pn结的形成及其基本结构 133
5．1．1 合金法及形成的pn结的杂质分布 133
5．1．2 扩散法及形成的pn结的杂质分布 134
5．2 平衡pn结及其能带 135
5．2．1 平衡pn结 136
5．2．2 平衡pn结的能带 137
5．3 平衡pn结的参数 139
5．3．1 内建电势差 139
5．3．2 平衡pn结的内建电场强度及电势分布函数 143
5．3．3 空间电荷区宽度 147
5．3．4 空间电荷区的载流子浓度 150
5．3．5 线性缓变结的静电特性 151
5．4 pn结二极管的电流-电压特性方程 152
5．4．1 静电特性结果在外加电压pn结中的推广 153
5．4．2 pn结电流-电压特性方程的定性推导 156
5．4．3 pn结电流-电压特性方程的定量推导 157
5．4．4 对理想pn结电流-电压关系的修正 169
5．5 pn结的小信号模型 173
5．5．1 pn结反偏时的小信号模型 174
5．5．2 pn结正偏时的小信号模型 177
5．6 pn结二极管的瞬态响应 180
5．6．1 关瞬态 180
5．6．2 开瞬态 182
5．7 隧道二极管 183
5．8 pn结在光电器件中的应用 184
5．8．1 光电检测器 185
5．8．2 太阳能电池 189
5．8．3 发光二极管 191
习题5 194
第6章 器件制备基本工艺 197
6．1 器件制备基本工艺 197
6．1．1 衬底材料的准备 198
6．1．2 氧化 198
6．1．3 薄膜生长 199
6．1．4 薄膜的图形化 201
6．1．5 掺杂 202
6．2 pn结二极管的制备 203
习题6 205
第7章 金属半导体接触和异质结 206
7．1 金属半导体接触 206
7．1．1 金属和半导体的功函数 206
7．1．2 理想的金属半导体接触 207
7．1．3 表面态对金属半导体接触势垒的影响 211
7．1．4 理想金属半导体接触的特性 212
7．1．5 金属半导体接触的电流-电压关系 214
7．1．6 镜像力的影响 216
7．1．7 肖特基势垒二极管和pn结二极管的比较 216
7．1．8 欧姆接触 218
7．2 异质结 218
7．2．1 异质结的分类及其能带图 218
7．2．2 突变反型异质结的静电特性 222
7．3 异质结的电流-电压特性 224
7．3．1 突变反型异质结中的电流输运模型 225
7．3．2 突变同型异质结中的电流输运模型 227
7．3．3 异质结的注入比特性 227
习题7 228
第8章 双极晶体管 230
8．1 双极晶体管的基本情况 230
8．1．1 双极晶体管的结构 230
8．1．2 双极晶体管的特性参数 234
8．2 双极晶体管的电流-电压特性 235
8．2．1 理想晶体管模型及其求解 235
8．2．2 理想晶体管输入/输出特性曲线 240
8．2．3 非理想晶体管 242
8．2．4 非理想晶体管输入/输出特性曲线 245
8．3 晶体管的反向特性 247
8．3．1 晶体管的反向电流 247
8．3．2 晶体管的反向击穿电压 249
8．3．3 晶体管的穿通电压 250
8．4 晶体管模型和晶体管频率特性 250
8．4．1 Ebers-Moll模型 250
8．4．2 晶体管的频率特性 252
习题8 256
附录A 本书常用文字符号说明 257
附录B 常用表格 260
参考文献 261
展开全部
半导体物理与器件(第2版) 作者简介
吕淑媛，博士，西安邮电大学副教授，长期讲授半导体物理与器件等课程，曾获得2018年陕西省第三届高校教师微课教学比赛一等奖，2019年全国高等学校电子信息类专业青年教师授课大赛二等奖和2022年全国高校光电信息科学与工程专业优秀课程思政案例二等奖。在教学实践中开展以学生为中心的教学改革并发表相关教改论文一篇。 2021年主持陕西省自然科学基金项目一项，2019年作为项目组第二参与人参与国家自然科学基金面上项目一项，以第一作者发表SCI论文20余篇。
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