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物理学

半导体物理学:上册

作者：(德)马吕斯·格伦德曼著

出版社：中国科学技术大学出版社出版时间：2022-07-01

开本： 26cm 页数： 36,510,20页

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版权信息
本书特色
内容简介
目录
作者简介

半导体物理学:上册版权信息

ISBN：9787312052392
条形码：9787312052392 ; 978-7-312-05239-2
装帧：一般胶版纸
册数：暂无
重量：暂无
所属分类：
自然科学
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物理学

半导体物理学:上册本书特色

（1）英文原版是国际经典著作，中文版根据英文版第4版（2021年）翻译。（2）内容丰富（24章正文 11个附录），图文并茂（1000多张图表 26面彩插），参考资料翔实（约2200篇参考文献）。（3）涵盖半导体物理学的历史沿革、基本知识、专题讨论以及半导体的应用和器件。（4）无需固体物理学和量子力学的基础即可学习本书，适合本科生和研究生，也可作为半导体科技人员的参考书。

半导体物理学:上册内容简介

本书介绍了半导体物理和半导体器件，包括固体物理、半导体物理、各种半导体器件的概念及其在电子学和光子学中的现代应用。全书包括三部分内容：半导体物理学的基础知识（第1—10章）、专题（第11—20章）与半导体的应用和器件（第21—24章）。第1章介绍半导体物理学的历史沿革，按照时间顺序给出历史上半导体相关的重要时刻和事件。第2—10章讲述半导体物理学的基础知识，包括：化学键、晶体、缺陷、力学性质、能带结构、电子的缺陷态、输运性质、光学性质、复合过程。第11—20章是专题，包括：表面、异质结构、二维半导体、纳米结构、外场、极性半导体、磁性半导体、有机半导体、介电结构、透明导电的氧化物半导体。第21—24章是半导体的应用和器件，包括：二极管、电光转换器件、光电转换器件、晶体管。本书内容丰富（除了24章正文以外，还有11个附录），图文并茂（大约有1000张图片和表格），参考资料丰富（大约有2200篇参考文献），经过多年教学实践的检验，是一本优秀的教科书。本书可以在没有或者只有很少固体物理学和量子力学知识的基础上学习，适合研究生和高年级本科生学习，也可以作为半导体科研人员的参考书。

半导体物理学:上册目录

译者的话前言缩写符号物理常量第1章简介 1.1 大事年表 1.2 诺贝尔奖得主 1.3 一般信息第1部分基础知识第2章键 2.1 简介 2.2 共价键 2.3 离子键 2.4 混合键 2.5 金属键 2.6 范德华键 2.7 固体的哈密顿算符第3章晶体 3.1 简介 3.2 晶体结构 3.3 格子 3.4 重要的晶体结构 3.5 多型性 3.6 倒格子 3.7 合金第4章结构缺陷 4.1 简介 4.2 点缺陷 4.3 位错 4.4 扩展的缺陷 4.5 无序第5章力学性质 5.1 简介 5.2 晶格振动 5.3 弹性 5.4 塑性第6章能带结构 6.1 简介 6.2 周期势里的电子 6.3 一些半导体的能带结构 6.4 半导体带隙的分类 6.5 合金半导体 6.6 非晶半导体 6.7 带隙的温度依赖关系 6.8 带隙的同位素依赖关系 6.9 电子的色散关系 6.10 空穴 6.11 能带反转 6.12 应变对能带结构的影响 6.13 态密度第7章电子的缺陷态 7.1 简介 7.2 载流子密度 7.3 本征电导 7.4 掺杂 7.5 浅缺陷 7.6 准费米能级 7.7 深能级 7.8 电荷中性能级 7.9 半导体里的氢第8章输运 8.1 简介 8.2 电导率 8.3 低场输运 8.4 高场输运 8.5 高频输运 8.6 杂质带输运 8.7 极化子 8.8 跳跃输运 8.9 非晶半导体里的输运 8.10 离子输运 8.11 扩散 8.12 连续性方程 8.13 热传导 8.14 热和电荷的耦合输运第9章光学性质 9.1 光谱区和概述 9.2 复介电函数 9.3 反射和折射 9.4 吸收 9.5 由光学声子导致的介电函数 9.6 电子光子相互作用 9.7 带带跃迁 9.8 杂质吸收 9.9 有自由电荷载流子存在时的吸收 9.10 晶格吸收第10章复合 10.1 简介 10.2 带带复合 10.3 激子复合 10.4 声子伴线 10.5 自吸收 10.6 施主受主对的跃迁 10.7 内杂质复合 10.8 俄歇复合 10.9 能带杂质复合 10.10 ABC模型 10.11 场效应 10.12 扩展缺陷处的复合 10.13 过剩载流子的分布第2部分专题第11章表面 11.1 简介 11.2 表面晶体学 11.3 表面能 11.4 表面的重构 11.5 表面的形貌 11.6 表面的物理性质第12章异质结构 12.1 简介 12.2 异质外延 12.3 异质结构里的能级 12.4 量子阱里的复合 12.5 同位素超晶格 12.6 晶片键合第13章二维半导体 13.1 石墨烯和相关材料 13.2 二维化合物半导体 13.3 范德华异质结构第14章纳米结构 14.1 简介 14.2 量子线 14.3 碳纳米管 14.4 量子点第15章外场 15.1 电场 15.2 磁场

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半导体物理学:上册作者简介

Marius Grundmann，德国莱比锡大学物理学教授，研究领域包括薄膜、纳米结构、基于氧化物材料和碘化铜的透明器件、异质结构和微腔。姬扬，博士，研究员，博士生导师。在中国科学技术大学获得学士和硕士学位，1998年在中国科学院半导体研究所获得理学博士学位，在以色列魏兹曼研究所做了4年博士后。自2002年起，在中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室工作，从事半导体自旋物理学方面的实验研究。发表过多篇学术论文，已经翻译出版过5本学术著作和1本社科著作。

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