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第三代半导体技术与应用(中国芯片制造系列) 版权信息
- ISBN:9787566832382
- 条形码:9787566832382 ; 978-7-5668-3238-2
- 装帧:一般胶版纸
- 册数:暂无
- 重量:暂无
- 所属分类:>>
第三代半导体技术与应用(中国芯片制造系列) 本书特色
★第三代半导体领域所涵盖的材料技术、制造工艺技水、电子器件技术等,都是微电子产业的重要发展方向,也是国际上非常前沿、应用前景非常广阔的技术之一。第三代半导体材料基于其特有的禁带贸度大、击穿场强高、热导率大等材料性能,在半导体技术、光电子技术、电力电子技术、微波射频技水、声波滤波器运用等诸多科研和应用领域都展现出巨大的发展空间与潜力,对于我国半导体产业科技的进步和发展越来越重要。目前非常先进的关键技术,有许多还掌握在国外企业手中,国内企业和研究人员都在探索属于自己的技术方向,但国内缺乏这种能够结合产学经验的参考书籍及国际前沿技术发展的风向标。本书的及时出版,恰恰给业界同人带来了第三代半导体的技术路线参考。期望业界同人共同努力,为我国第三代半导体事业的发展做出贡献。 ——芯恩(青岛)集成电路有限公司创始人,张汝京博士
第三代半导体技术与应用(中国芯片制造系列) 内容简介
近年来,碳化硅在电力电子、照明等领域应用日益广泛,被认可将会成为的不可或缺的材料,本书是一本系统地阐述碳化硅半导体材料生长和加工工艺的专著,填补了国内该领域书籍对于近期碳化硅制造工艺新技术及进展介绍的空白。
第三代半导体技术与应用(中国芯片制造系列) 目录
前言
1 概述
1.1 碳化硅的历史和性质
1.2 碳化硅的应用及材料要求
1.3 碳化硅材料在应用中的注意事项
1.3.1 电子器件
1.3.2 微机电系统
1.4 碳化硅的主要生长方法
1.4.1 籽晶升华生长
1.4.2 高温化学气相沉积
1.4.3 卤化物化学气相沉积
1.4.4 改良版的物理气相传输
1.4.5 连续进料物理气相传输
1.4.6 顶部籽晶液相生长
1.4.7 碳化硅外延层技术的发展
1.5 新颍趋势和未来发展
2 碳化硅材料生长的基本原理
2.1 碳化硅晶型
2.2 表征技术
2.2.1 生长过程可视化
2.2.2 晶体表征
2.3 物理气相传输
2.3.1 简介及热力学性质
2.3.2 生长过程控制
2.3.3 碳化硅原料制备
2.3.4 碳化硅籽晶及其安装
2.3.5 晶体形状控制
2.3.6 晶体应力控制
2.3.7 气相组成对晶体的影响
2.3.8 保证晶型稳定生长的方法
2.3.9 掺杂
2.3.1 0终止生长过程
2.3.1 1通过生长参数定制晶体特性
2.4 高温化学气相沉积
2.4.1 化学气相沉积简介
2.4.2 高温化学气相沉积简介
2.4.3 实验装置
2.4.4 提高生长速率的措施
2.4.5 晶体质量与生长条件分析
2.4.6 氮掺杂效率
2.5 液相生长
2.6 缺陷
2.6.1 缺陷种类
2.6.2 缺陷的产生、演化以及减少
2.7 掺杂
2.7.1 掺杂问题
2.7.2 掺杂对基矢面位错演化的影响
2.7.3 掺杂对晶格硬度变化的影响
2.7.4 掺杂对费米能级的影响
……
3 碳化硅外延薄膜生长
4 多晶碳化硅和非晶碳化硅薄膜沉积
5 碳化硅衬底上的氮化镓生长
6 碳化硅加工工艺
7 碳化硅封装工艺
8 碳化硅应用前景及发展趋势
9 结语
参考文献
附录 本书主要名词英汉对照表
第三代半导体技术与应用(中国芯片制造系列) 作者简介
姚玉,博士毕业于加拿大不列颠哥伦比亚大学,多年来专注于半导体先进封装制程材料、工艺及理论的研究,对于半导体先进封装中运用的多种关键的镀层材料以及制程的工艺整合及芯片制造、管理有着丰富的经验。参与主编《芯片先进封装制造》一书,是近年来第一本芯片领域系统性讲述新先进封装制造工艺的专业图书。 洪华,东南大学电子科学与工程学院、国家示范性微电子学院、MEMS教育部重点实验室助理教授。曾入选2020年江苏省“双创计划”,2013、2015年两次入选美国能源部普林斯顿CEFRC学者,2015年被选为美国国家科学基金REU项目导师,2020年入选东南大学紫金学者。
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