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微电子工艺原理与技术 版权信息
- ISBN：9787560390673
- 条形码：9787560390673 ; 978-7-5603-9067-3
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>>
微电子工艺原理与技术 内容简介
本书分五篇, 硅衬底、氧化与掺杂、薄膜制备、光刻技术、工艺集成与封装测试。内容包括: 单晶硅特征 ; 硅片的制备 ; 外延 ; 热氧化 ; 扩散 ; 离子注入 ; 化学气相淀积等。
微电子工艺原理与技术 目录
绪论
0.1 何谓微电子工艺
0.2 微电子工艺发展历程
0.3 微电子工艺特点
0.4 内容结构
第1篇 硅衬底
第1章 单晶硅特性
1.1 硅晶体的结构特点
1.2 硅晶体缺陷
1.3 硅晶体中的杂质
本章小结
第2章 硅片的制备
2.1 多晶硅的制备
2.2 单晶硅生长
2.3 切制硅片
本章小结
第3章 外延
3.1 概述
3.2 气相外延
3.3 分子束外延
3.4 其他外延方法
3.5 外延缺陷与外延层检测
本章小结
习题
第2篇 氧化与掺杂
第4章 热氧化
4.1 二氧化硅薄膜概述
4.2 硅的热氧化
4.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备
4.4 热氧化过程中杂质的再分布
4.5 氧化层的质量及检测
4.6 其他氧化方法
本章小结
第5章 扩散
5.1 扩散机构
5.2 晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程
5.3 杂质的扩散掺杂
5.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素
5.5 扩散工艺条件与方法
5.6 扩散工艺质量与检测
5.7 扩散工艺的发展
本章小结
第6章 离子注入
6.1 概述
6.2 离子注入原理
6.3 注入离子在靶中的分布
6.4 注入损伤
6.5 退火
6.6 离子注入设备与工艺
6.7 离子注入的其他应用
展开全部
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