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超大规模集成电路设计导论

作者:蔡懿慈
出版社:清华大学出版社出版时间:2005-01-01
开本: 16开 页数: 268
本类榜单:工业技术销量榜
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超大规模集成电路设计导论 版权信息

超大规模集成电路设计导论 本书特色

《超大规模集成电路设计导论》特色  系统性:以器件电路和系统设计为背景,全面系统地介绍VLSI设计知识和方法  实用性:配合EDA工具的上机实践,使读者全面了解和掌握VLSI设计的整个流程及设计方法  基础性:面向VLSI相关课程教学设计的基础类教材  先进性:紧密跟踪VLSI工艺、设计方法的新发展动态,跟踪EDA领域的新研究成果,使读者了解国内外集成电路技术的发展状况

超大规模集成电路设计导论 内容简介

  《超大规模集成电路设计导论》从非微电子专业读者掌握VLSI设计知识和技能的需求出发,以器件、电路和系统设计为背景,系统全面地介绍VLSI设计的知识和方法,主要内容包括VLSI设计概论、MOS器件设计、半导体工艺基础知识、电路设计及参数计算、基本逻辑电路设计、VLSI版图设计、半定制全定制及片上系统(SOC)的设计方法以及VLSI计算机辅助设计等。  《超大规模集成电路设计导论》是作者十多年来在清华大学计算机科学与技术系为本科生和研究生开设VLSI设计相关课程教学与VLSIEDA研究的经验基础上,结合目前集成电路设计的发展状况编写而成。该书作为VLSI设计导论性书籍,内容广泛,叙述由浅入深,既可作为大专院校计算机、自动化、电机和机电等专业本科生和研究生学习的教材或参考书,也可作为从事VLSI设计的技术人员的参考书。

超大规模集成电路设计导论 目录

第1章 集成电路设计概论
1.1 集成电路的发展
1.2 集成电路设计的发展
1.3 电子设计自动化技术的发展
1.4 深亚微米和超深亚微米工艺对EDA技术的挑战
1.5 VLSI设计的要求
1.6 VLSI的设计方法学
习题

第2章 CMOS集成电路制造技术
2.1 半导体材料一一硅
2.2 集成电路制造技术简介
2.2.1 热氧化工艺
2.2.2 扩散工艺
2.2.3 淀积工艺
2.2.4 光刻工艺
2.3 CMOS集成电路制造过程
2.3.1 晶圆处理
2.3.2 CMOS集成电路工艺(前部工序)
2.3.3 后部工序
习题

第3章 器件设计技术
3.1 引言
3.2 MOS晶体管的工作原理
3.2.1 半导体的表面场效应
3.2.2 PN结的单向导电性
3.2.3 MOS管的工作原理
3.3 MOS晶体管的直流特性
3.3.1 NMOS管的电流一电压特性
3.3.2 PMOS管的电流一电压特性
3.4 反相器直流特性
3.4.1 MOS反相器的一般问题
3.4.2 电阻负载反相器(E/R)
3.4.3 增强型负载反相器(E/E)
3.4.4 耗尽型负载反相器(E/D)
3.4.5 CMOS反相器
习题

第4章 电路参数及性能
4.1 MOS晶体管的参数
4.1.1 阈值(开启)电压
4.1.2 沟道长度调制效应
4.1.3 漏-源截止电流
4.1.4 直流导通电阻
4.1.5 栅-源直流输入电阻
4.1.6 栅-源击穿电压
4.1.7 漏-源击穿电压
4.2 信号传输延迟
4.2.1 CMOS门延迟
4.2.2 连线延迟
4.2.3 电路扇出延迟
4.2.4 大电容负载驱动电路
4.3 CMOS电路功耗
4.3.1 CMOS电路的静态功耗
4.3.2 CMOS电路的动态功耗
4.3.3 电路总功耗
4.3.4 功耗管理
4.4 CMOS电路的闸流效应
4.4.1 闸流效应的起因
4.4.2 闸流效应的控制
4.5 电路模拟HSPICE简介
4.5.1 文件格式说明
4.5.2 HSPICE应用例子
4.6 电路设计例子
习题

第5章 逻辑设计技术
5.1 MOS管的串、并联特性
5.1.1 串联特性
5.1.2 并联特性
5.2 逻辑门的延迟
5.3 传输门
5.3.1 NMOS传输门
5.3.2 PMOS传输门
5.3.3 CMOS传输门
5.4 CMOS逻辑结构
5.4.1 异或门
5.4.2 同或门
5.4.3 虚拟NMOS逻辑
5.4.4 CMOS骨牌逻辑
5.4.5 可编程逻辑阵列
5.4.6 多路选择器
5.4.7 锁存器和触发器
5.5 时钟策略
5.5.1 时钟控制系统
5.5.2 单相时钟的参数
5.5.3 系统时序
5.5.4 时钟电路
习题

第6章 子系统设计
6.1 数据路径运算器
6.1.1 加法器
6.1.2 二进制计数器
6.1.3 寄存器
6.2 存储器
6.2.1 存储器的结构
6.2.2 掩膜编程存储器MROM
6.2.3 现场可编程PROM
6.2.4 可擦除可编程EPROM
6.2.5 电可擦除可编程EEPROM
6.2.6 动态随机存储器DRAM
6.2.7 静态随机存储器SRAM
6.3 控制电路
6.4 110电路
6.4.1 整体结构
6.4.2 电源和地线
6.4.3 输出压焊块
6.4.4 输入压焊块
6.4.5 三态和双向压焊块
习题

第7章 版图设计技术
7.1 引言
7.2 版图设计过程
7.3 版图设计规则
7.3.1 设计规则的内容与作用
7.3.2 设计规则的描述
7.3.3 CMOS的N阱工艺设计规则
7.3.4 设计规则的基础
7.3.5 版图设计例子
7.4 版图描述语言CIF
7.5 版图电学参数计算
7.5.1 电阻的估算
7.5.2 电容的估算
习题

第8章 系统设计方法与实现技术
8.1 系统设计方法
8.1.1 结构化设计思想
8.1.2 自动设计、半自动设计和手工设计
8.1.3 正向设计与反向设计
8.1.4 自顶向下设计与自底向上设计
8.1.5 基于单元的设计方法与IP复用技术
8.2 系统实现技术
……
第9章 数字系统设计自动化
参考文献
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