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CMOS 版权信息
- ISBN：9787547852316
- 条形码：9787547852316 ; 978-7-5478-5231-6
- 装帧：80g胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
CMOS 本书特色
适读人群 ：从事集成电路制造研发的技术人员和微电子学相关专业研究生，集成电路装备和材料产业从业人员。本书作为近年出版的一部关于CMOS器件和制造的专业书籍，讲解十分细致，对于阅读中出现的每一个疑问点都能给予及时的解析。本书结构清晰紧密，由粗至细，循序渐进，降低了阅读难读，并且内容十分丰富，涵盖了锗硅应变源漏技术、高k/金属栅技术、超浅结技术、先进接触技术、铜互连技术和高迁移率沟道材料技术等。
CMOS 内容简介
本书内容涵盖了CMOS器件的发展历史、技术现状和未来发展趋势, 对于过去20年中进入量产的关键技术模块给出了较为系统和深入的讨论。包括: 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 ; 器件结构小型化和演化过程等。
CMOS 目录
第 1章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础
1.1 引言
1.2 MOSFET的工作原理
1.2.1 累积
1.2.2 耗尽
1.2.3 反型
1.2.4 强反型
1.3 MOSFET的品质因数
1.4 MOSFET器件结构的演变
1.5 小结
参考文献
第2章器件结构小型化和演化进程
2.1 引言
2.2 尺寸和结构的缩放
2.2.1 缩放原则
2.2.2 器件结构的影响
2.2.3 无结型晶体管
2.3 光刻
2.3.1 增强分辨率
2.3.2 二次图形化技术
2.3.3 极紫外光刻技术
2.3.4 掩模增强技术
2.4 电子束光刻
2.5 应变工程
......
第8 章先进互连技术及其可靠性
8.1 引言
8.2 铜互连集成
8.2.1 大马士革工艺
8.2.2 铜电阻随互连微缩的变化
8.2.3 新型铜互连集成方案
8.3 low-k 介质特征和分类
8.3.1 low-k特性
8.3.2 low-k分类和表征
8.3.3 low-k介质集成挑战
8.3.4 气隙在互连中的实现
8.4 铜与硅和介质的相互作用
8.4.1 铜与硅的相互作用
8.4.2 铜与介质的相互作用
8.5 金属扩散阻挡层
8.5.1 金属间阻挡层的材料选择
8.5.2 金属扩散阻挡层的沉积
8.6 铜金属化的可靠性
8.6.1 电迁移基础理论
8.6.2 应力致空洞化
8.7 先进金属间介质的可靠性
8.7.1 金属间介质的漏电机理
8.7.2 金属间介质的击穿特性
8.8 可靠性统计和失效模型
8.8.1 概率分布函数
8.8.2 击穿加速模型
8.9 未来的互连
8.10 小结
参考文献
后记
原著致谢
展开全部
CMOS 作者简介
[瑞典]Henry H.Radamson：欧洲科学院院士，中科院微电子研究所“千ren计划”特聘专家、研究员，国家高层次人才专家。2011年和2018年两次获得瑞典先进IR技术创新奖；Springer-Nature 期刊编辑，Nanomaterials 客座编辑。 罗军：中国科学院微电子研究所研究员，中国科学院大学岗位教授、博士生导师、集成电路先导工艺研发中心副主任，广东省大湾区集成电路与系统应用研究院FDSOI创新中心主任。SCI期刊Journal of Materials Science: Materials in Electronics副主编，2019年入选中科院青促会优秀会员。 [比利时]Eddy Simoen：比利时欧洲微电子研发中心（IMEC）高级研究员，中科院微电子研究所客座教授，根特大学兼任教授。国际电化学学会会士，曾任EDS荷比卢分会主席和多个国际学术会议分会场主席和会议论文集主编。 赵超：中国国籍，（为作者之一，详见译者简介。）
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