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低维材料与器件丛书成会明低维体系的计算材料学 版权信息
- ISBN：9787030585233
- 条形码：9787030585233 ; 978-7-03-058523-3
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>>
低维材料与器件丛书成会明低维体系的计算材料学 本书特色
《低维体系的计算材料学》为“低维材料与器件丛书”之一。由于低维材料的特殊性，其在量子和统计行为上都有别于三维的块体材料，对其深入理解需借助基于量子力学的**性原理方法。以**性原理方法在低维材料中的研究为主线，《低维体系的计算材料学》涵盖的内容包括**性原理计算方法、多种低维材料及其缺陷结构、低维材料的力学、电子学和光电子学、磁学和热输运性质、其他新奇低维材料（包括铁电、铁弹、压电、超导和拓扑绝缘体材料）、新型低维材料预测、几种典型低维材料的生长机制及计算材料学在低维材料应用中的作用。
低维材料与器件丛书成会明低维体系的计算材料学 内容简介
本书为“低维材料与器件丛书”之一。由于低维材料的特殊性，其在量子和统计行为上都有别于三维的块体材料，对其深入理解需借助基于量子力学的靠前性原理方法。以靠前性原理方法在低维材料中的研究为主线，本书涵盖的内容包括靠前性原理计算方法、多种低维材料及其缺陷结构、低维材料的力学、电子学和光电子学、磁学和热输运性质、其他新奇低维材料（包括铁电、铁弹、压电、超导和拓扑绝缘体材料）、新型低维材料预测、几种典型低维材料的生长机制及计算材料学在低维材料应用中的作用。
低维材料与器件丛书成会明低维体系的计算材料学 目录
总序
前言
第1章 **性原理计算方法
1.1 物质结构和性质的物理描述
1.1.1 绝热近似
1.1.2 经典核近似
1.2 多电子系统的量子多体理论
1.3 密度泛函理论
1.3.1 Hohenberg-Kohn理论
1.3.2 Kohn-Sham方程
1.4 交换关联泛函
1.4.1 局域密度近似
1.4.2 广义梯度近似
1.4.3 meta-GGA泛函
1.4.4 杂化泛函
1.4.5 随机相近似
1.5 自洽场方法
1.6 求解Kohn-Sham方程的方法
1.7 GW近似和Bethe-Salpeter方程
1.7.1 格林函数与自能
1.7.2 Hedin方程
1.7.3 GW近似
1.7.4 Bethe-Salpeter方程
参考文献
第2章 多种低维材料及其缺陷结构
2.1 多种低维材料的基本结构
2.1.1 合金
2.1.2 结构相变
2.2 点缺陷
2.3 边界与界面
2.3.1 石墨烯、六方氮化硼及其界面内异质结
2.3.2 过渡金属硫族化合物的边界及相界面
2.4 拓扑缺陷
参考文献
第3章 低维材料的力学性质
3.1 多种低维材料本征力学性质
3.1.1 石墨烯
3.1.2 二维过渡金属硫族化合物
3.1.3 单层黑磷
3.1.4 拉胀（负泊松比）材料
3.1.5 石墨烯断裂行为
3.2 位错与晶界对低维材料力学性质的影响
3.2.1 碳纳米管
3.2.2 石墨烯
3.2.3 二维过渡金属硫族化合物
参考文献
第4章 低维材料的电子学和光电子学性质
4.1 多种低维材料的基本电子结构
4.1.1 石墨烯的基本电子结构
4.1.2 过渡金属硫族化合物的基本电子结构
4.1.3 单层黑磷的基本电子结构
4.1.4 其他二维材料的电子结构
4.2 低维材料的光电子学性质
4.2.1 多种二维材料的光电子学性质
4.2.2 激子效应
4.2.3 光电子学性质的调制
4.3 各种缺陷对低维材料电子学和光电子学性质的影响
4.3.1 点缺陷
4.3.2 位错与晶界
4.4 异质结对光电子学性质的调控
4.4.1 能带对齐与异质结种类
4.4.2 纵向异质结
4.4.3 横向异质结
参考文献
第5章 低维材料的磁学性质
5.1 磁学性质的基本概念
5.2 石墨烯中的磁性
5.2.1 边缘效应
5.2.2 缺陷
5.3 二硫化钼中的磁性
5.3.1 边缘效应
5.3.2 缺陷
5.4 其他低维材料中的磁性
5.4.1 缺陷引入的磁性
5.4.2 具有固有磁性的二维材料
5.4.3 载流子掺杂
参考文献
第6章 低维材料热输运性质
6.1 热输运基本概念
6.2 热导率的计算方法
6.2.1 Green-Kubo线性响应理论
6.2.2 直接法
6.2.3 声子玻尔兹曼输运方程
6.2.4 Landauer非平衡格林函数法
6.3 结构、缺陷等对热输运性质的调控
6.4 低维材料热输运应用——热整流
参考文献
第7章 其他新奇低维材料
7.1 低维铁电材料
7.1.1 铁电极性与相转变
7.1.2 居里温度与相变
7.1.3 铁电畴壁
7.1.4 其他低维铁电材料
7.2 低维铁弹材料
7.3 低维压电材料
7.4 二维铁电、铁弹和压电材料的应用
7.5 低维超导材料
7.6 低维拓扑绝缘体材料
参考文献
第8章 新型低维材料预测
8.1 新结构的预测方法
8.2 新型低维材料及其缺陷结构与性质的预测
8.2.1 硼烯的结构预测及其实验发现
8.2.2 其他重要二维材料的预测
8.3 材料逆向设计
8.3.1 具有特定电子结构的材料
8.3.2 超硬材料
8.4 高通量数据挖掘
8.4.1 二维材料筛选
8.4.2 催化剂筛选
参考文献
第9章 几种典型低维材料的生长机制
9.1 碳纳米管的生长机制
9.1.1 螺旋位错理论
9.1.2 碳纳米管手性生长理论模拟
9.1.3 碳纳米管生长中的缺陷
9.2 石墨烯的生长机制
9.2.1 密度泛函研究
9.2.2 相场模拟
9.2.3 石墨烯纳米带/片的制备
9.3 二维氮化硼及过渡金属硫族化合物的生长机制
9.4 硼烯和磷烯的生长机制
参考文献
第10章 计算材料学在低维材料应用中的作用
10.1 储能应用
10.2 催化应用
10.2.1 产氢反应
10.2.2 氧还原反应
10.2.3 二氧化碳还原反应
10.2.4 光电催化反应
10.3 热电应用
参考文献
关键词索引
展开全部
低维材料与器件丛书成会明低维体系的计算材料学 作者简介
邹小龙，清华-伯克利深圳学院特别研究员、博士生导师。 1983年生，于2006年和2011年分别获得清华大学物理学学士和凝聚态物理学博士学位。2011年8月至2016年6月在美国莱斯大学材料科学及纳米工程系从事博士后研究。2016年入选中组部“青年千人计划”，并于清华-伯克利深圳学院工作。 研究方向集中在低维材料电子、自旋及谷耦合现象、生长机制、纳米器件输运性质及能源转换的计算模拟。作为课题负责人和主要参与者承担广东省--珠江人才计划”、国家重点研发计划等多项科研项目。迄今在Chemical Review, Nature Materials, Nature Communications, Materials Today, Advanced Materials, ACSNano, Nano Letters, Advanced Functional Materials等材料学领域的国际期刊上共发表学术论文50余篇，其中8篇论文被选为ESI高引用论文，H因子为24。曾参与剑桥大学出版社出版的专著一部。
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