扫一扫
关注中图网
官方微博
本类五星书更多>
-
>
湖南省志(1978-2002)?铁路志
-
>
公路车宝典(ZINN的公路车维修与保养秘籍)
-
>
晶体管电路设计(下)
-
>
基于个性化设计策略的智能交通系统关键技术
-
>
德国克虏伯与晚清火:贸易与仿制模式下的技术转移
-
>
花样百出:贵州少数民族图案填色
-
>
识木:全球220种木材图鉴
宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路 版权信息
- ISBN：9787118114546
- 条形码：9787118114546 ; 978-7-118-11454-6
- 装帧：简裝本
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>>
宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路 内容简介
本书将介绍新世纪十几年来第三代半导体--宽禁带半导体在固态高频和微波领域的发展，形成了新一代电力电子器件和第五代固态微波器件的格局。同时介绍宽禁带半导体高频与微波功率器件与电路这一革命性的发展在雷达、通信和电子对抗等领域的应用。
宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路 目录
第1章 绪论
1.1 电力电子器件的发展
1.1.1 Si电力电子器件的发展
1.1.2 宽禁带电力电子器件的发展
1.1.3 我国电力电子器件的发展
1.2 固态微波器件的发展
1.2.1 Si和GaAs固态微波器件与电路的发展
1.2.2 SiC固态微波器件与电路发展
1.2.3 GaN固态微波器件与电路发展
1.3 固态器件在雷达领域的应用
1.3.1 si、GaAs固态微波器件与固态有源相控阵雷达
1.3.2 SiC、GaN固态微波器件与T／R模块
1.3.3 siC、GaN高频开关功率器件与开关功率源／固态脉冲调制源
参考文献
第2章 宽禁带半导体材料
2.1 氮化镓和碳化硅晶体材料
2.1.1 GaN晶体性质和制备
2.1.2 SiC晶体性质和制备
2.2 碳化硅材料的同质外延生长技术
2.2.1 SiC同质外延生长方法
2.2.2 SiC CVD同质外延关键技术
2.2.3 SiC外延层缺陷
2.3 氮化物材料的异质外延生长技术
2.3.1 氮化物外延生长基本模式和外延衬底的选择
2.3.2 用于氮化物异质外延的金属有机物化学气相沉积技术
2.3.3 氮化物异质外延生长中的几个重要问题
2.4 宽禁带半导体材料的表征方法
2.4.1 X射线衍射测试
2.4.2 原子力显微镜测量
2.4.3 光致发光谱测量
2.4.4 傅里叶变换红外谱厚度测试
2.4.5 汞探针C—V法测量杂质浓度分布
参考文献
第3章 碳化硅高频功率器件
3.1 SiC功率二极管
3.1.1 siC肖特基二极管
3.1.2 siC PIN二极管
3.1.3 SiC JBS二极管
3.1.4 siC二极管进展
3.1.5 siC二极管应用
3.2 SiC MESFET
3.2.1 工作原理
3.2.2 SiC MESFET研究进展
3.2.3 SiC MESFET应用
3.3 SiC MOSFET
3.3.1 工作原理
3.3.2 关键工艺
3.3.3 SiC MOSFET进展
3.3.4 SiC MOSFET应用
3.4 siC JFET
1.1 电力电子器件的发展
1.1.1 Si电力电子器件的发展
1.1.2 宽禁带电力电子器件的发展
1.1.3 我国电力电子器件的发展
1.2 固态微波器件的发展
1.2.1 Si和GaAs固态微波器件与电路的发展
1.2.2 SiC固态微波器件与电路发展
1.2.3 GaN固态微波器件与电路发展
1.3 固态器件在雷达领域的应用
1.3.1 si、GaAs固态微波器件与固态有源相控阵雷达
1.3.2 SiC、GaN固态微波器件与T／R模块
1.3.3 siC、GaN高频开关功率器件与开关功率源／固态脉冲调制源
参考文献
第2章 宽禁带半导体材料
2.1 氮化镓和碳化硅晶体材料
2.1.1 GaN晶体性质和制备
2.1.2 SiC晶体性质和制备
2.2 碳化硅材料的同质外延生长技术
2.2.1 SiC同质外延生长方法
2.2.2 SiC CVD同质外延关键技术
2.2.3 SiC外延层缺陷
2.3 氮化物材料的异质外延生长技术
2.3.1 氮化物外延生长基本模式和外延衬底的选择
2.3.2 用于氮化物异质外延的金属有机物化学气相沉积技术
2.3.3 氮化物异质外延生长中的几个重要问题
2.4 宽禁带半导体材料的表征方法
2.4.1 X射线衍射测试
2.4.2 原子力显微镜测量
2.4.3 光致发光谱测量
2.4.4 傅里叶变换红外谱厚度测试
2.4.5 汞探针C—V法测量杂质浓度分布
参考文献
第3章 碳化硅高频功率器件
3.1 SiC功率二极管
3.1.1 siC肖特基二极管
3.1.2 siC PIN二极管
3.1.3 SiC JBS二极管
3.1.4 siC二极管进展
3.1.5 siC二极管应用
3.2 SiC MESFET
3.2.1 工作原理
3.2.2 SiC MESFET研究进展
3.2.3 SiC MESFET应用
3.3 SiC MOSFET
3.3.1 工作原理
3.3.2 关键工艺
3.3.3 SiC MOSFET进展
3.3.4 SiC MOSFET应用
3.4 siC JFET
展开全部
宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路 作者简介
赵正平，江苏扬州人，研究员级高工，1970年毕业于清华大学无线电电子学系，1982年获南京工学院电子工程系半导体物理与器件专业工学硕士学位。1982年至2002年在电子工业部第十三研究所工作，历任课题组长、研究室主任、主管科研副所长和所长，2002年后参于组建中国电子科技集团公司，历任党组成员兼总经理助理和党组成员兼副总经理。现任中国电子科技集团公司集团科技委副主任．中国航空工业集团公司外部董事，河北工业大学微电子专业博导。常期从事砷化镓功率器件与集成电路。微米、钠米技术和宽禁带半导体功率器件的开创性研究。在国内首次突破GaAs功率器件，功率MMIC．星用固态放大器和GaNHEMT功率器件等关键技术，获国家科技进步奖二、三等奖各1次，部科技进步奖一、二、三等奖8次。历任国家“863”信息领域专家、国防“973”首席专家和“核高基”国家重大专项专家，1993年获得政府特贴专家称号，1994年获国家中青年专家称号。
书友推荐
- >
月亮与六便士
月亮与六便士
¥13.4¥42.0 - >
姑妈的宝刀
姑妈的宝刀
¥11.4¥30.0 - >
企鹅口袋书系列·伟大的思想20:论自然选择(英汉双语)
企鹅口袋书系列·伟大的思想20:论自然选择(英汉双语)
¥6.3¥14.0 - >
史学评论
史学评论
¥13.9¥42.0 - >
山海经
山海经
¥20.4¥68.0 - >
推拿
推拿
¥12.2¥32.0 - >
【精装绘本】画给孩子的中国神话
【精装绘本】画给孩子的中国神话
¥17.6¥55.0 - >
伊索寓言-世界文学名著典藏-全译本
伊索寓言-世界文学名著典藏-全译本
¥6.1¥19.0
本类畅销
-
4.23文创礼盒A款--“作家言我精神状态”
¥42.3¥206 -
4.23文创礼盒B款--“作家言我精神状态”
¥42.3¥206 -
一句顶一万句 (印签版)
¥40.4¥68 -
百年书评史散论
¥14.9¥38 -
1980年代:小说六记
¥52.8¥69 -
中图网经典初版本封面-“老人与海”冰箱贴
¥20¥40
