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电子陶瓷化学法构建与物性分析 版权信息
- ISBN：9787502478391
- 条形码：9787502478391 ; 978-7-5024-7839-1
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>>
电子陶瓷化学法构建与物性分析 内容简介
本书首先, 对电子陶瓷材料的基本结构与研究方法进行概述。在此基础上, 分别介绍高能球磨法、共沉淀法、溶胶凝胶法、水热法和熔盐法的合成原理及其在不同晶体结构的介电、铁电和压电陶瓷材料制备中的应用。*后, 对电子陶瓷材料化学法合成技术的发展趋势进行展望。
电子陶瓷化学法构建与物性分析 目录
1 绪论
1.1 电子陶瓷结构基础
1.1.1 钙钛矿相及稳定性
1.1.2 陶瓷多晶多相结构
1.2 电子陶瓷工艺原理
1.2.1 陶瓷粉体技术
1.2.2 陶瓷成型技术
1.2.3 陶瓷烧结技术
1.3 电子陶瓷主要类型
1.3.1 介电陶瓷材料
1.3.2 铁电陶瓷材料
1.3.3 压电陶瓷材料
1.4 本书研究方法与内容安排
1.4.1 电子陶瓷化学制备法
1.4.2 研究方法与技术路线
1.4.3 本书各章节内容安排
参考文献
2 高能球磨法合成电子陶瓷与物性
2.1 NaNbO3陶瓷高能球磨法合成与致密化烧结行为
2.1.1 NaNbO3纳米粉体的高能球磨法合成
2.1.2 NaNbO3陶瓷的常规烧结致密化行为
2.2 NaNbO3陶瓷的微结构调控与铁电反铁电稳定性
2.2.1 NaNbO3粗晶陶瓷的反铁电结构稳定性
2.2.2 NaNbO3纳米陶瓷的宏观铁电与压电性
2.3 PZT-PNZN陶瓷高能球磨法合成与纳米尺寸效应
2.3.1 PZT-PNZN纳米粉体高能球磨法合成
2.3.2 PZT-PNZN纳米陶瓷介电与压电行为
2.4 PZN-PZT掺杂陶瓷高能球磨法合成与能量收集特性
2.4.1 Mn掺杂PZN-PZT纳米粉体高效合成
2.4.2 掺杂陶瓷的压电性能与能量收集特性
2.5 BNT-NN高温电容器用纳米瓷料合成与介电性能
2.5.1 高能球磨活化纳米粉体物相与微结构
2.5.2 BNT-NN高温电容器陶瓷的电学行为
2.6 本章小结
参考文献
3 共沉淀法合成电子陶瓷与物性
3.1 可溶性铌制备技术
3.1.1 基于Nb2O5可溶性铌化学合成
3.1.2 可溶性铌酸碱度与温度稳定性
3.2 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3陶瓷共沉淀法合成与介电性能
3.2.1 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3超细粉体的共沉淀法合成
3.2.2 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3陶瓷的致密化与电学性能
3.3 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷共沉淀法合成与介电性能
3.3.1 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3粉体合成过程pH影响因素
3.3.2 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷的致密化与电学性能
3.4 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷表面活性修饰沉淀法合成
3.4.1 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3粉体合成的表面修饰机理
3.4.2 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷退火时间与电学性能
3.5 共沉淀法制备含铌弛豫铁电陶瓷反应机制讨论
3.5.1 共沉淀法制备含铌弛豫铁电陶瓷条件分析
1.1 电子陶瓷结构基础
1.1.1 钙钛矿相及稳定性
1.1.2 陶瓷多晶多相结构
1.2 电子陶瓷工艺原理
1.2.1 陶瓷粉体技术
1.2.2 陶瓷成型技术
1.2.3 陶瓷烧结技术
1.3 电子陶瓷主要类型
1.3.1 介电陶瓷材料
1.3.2 铁电陶瓷材料
1.3.3 压电陶瓷材料
1.4 本书研究方法与内容安排
1.4.1 电子陶瓷化学制备法
1.4.2 研究方法与技术路线
1.4.3 本书各章节内容安排
参考文献
2 高能球磨法合成电子陶瓷与物性
2.1 NaNbO3陶瓷高能球磨法合成与致密化烧结行为
2.1.1 NaNbO3纳米粉体的高能球磨法合成
2.1.2 NaNbO3陶瓷的常规烧结致密化行为
2.2 NaNbO3陶瓷的微结构调控与铁电反铁电稳定性
2.2.1 NaNbO3粗晶陶瓷的反铁电结构稳定性
2.2.2 NaNbO3纳米陶瓷的宏观铁电与压电性
2.3 PZT-PNZN陶瓷高能球磨法合成与纳米尺寸效应
2.3.1 PZT-PNZN纳米粉体高能球磨法合成
2.3.2 PZT-PNZN纳米陶瓷介电与压电行为
2.4 PZN-PZT掺杂陶瓷高能球磨法合成与能量收集特性
2.4.1 Mn掺杂PZN-PZT纳米粉体高效合成
2.4.2 掺杂陶瓷的压电性能与能量收集特性
2.5 BNT-NN高温电容器用纳米瓷料合成与介电性能
2.5.1 高能球磨活化纳米粉体物相与微结构
2.5.2 BNT-NN高温电容器陶瓷的电学行为
2.6 本章小结
参考文献
3 共沉淀法合成电子陶瓷与物性
3.1 可溶性铌制备技术
3.1.1 基于Nb2O5可溶性铌化学合成
3.1.2 可溶性铌酸碱度与温度稳定性
3.2 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3陶瓷共沉淀法合成与介电性能
3.2.1 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3超细粉体的共沉淀法合成
3.2.2 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3陶瓷的致密化与电学性能
3.3 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷共沉淀法合成与介电性能
3.3.1 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3粉体合成过程pH影响因素
3.3.2 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷的致密化与电学性能
3.4 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷表面活性修饰沉淀法合成
3.4.1 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3粉体合成的表面修饰机理
3.4.2 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷退火时间与电学性能
3.5 共沉淀法制备含铌弛豫铁电陶瓷反应机制讨论
3.5.1 共沉淀法制备含铌弛豫铁电陶瓷条件分析
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电子陶瓷化学法构建与物性分析 作者简介
侯育冬，男，1974年11月生，北京工业大学教授、博士生导师，中国硅酸盐学会溶胶凝胶分会理事，中国化学会、硅酸盐学会、电子学会高级会员。目前，负责北京工业大学先进电子陶瓷材料与器件实验室建设。科研方面主要开展电子信息陶瓷，功能化合物制备技术与新型器件的研究工作，在压铁电材料合成与器件应用、新型电介质材料与纳米技术等领域取得多项重要研究进展。主持完成国家自然科学基金、北京市自然科学基金、教育部博士点基金(博导类)、国际科研合作项目、军工先进技术基金等各类科研课题20余项。2007年入选北京市科技新星计划，2010年入选北京市中青年骨干教师培养计划，2014年入选北京工业大学京华人才计划。担任AdvFunctMater、JAmCeramSoc、ApplPhysLett等二十余种国际SCI刊物审稿人。
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