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3D集成手册-3D集成电路技术与应用 版权信息
- ISBN：9787515913001
- 条形码：9787515913001 ; 978-7-5159-1300-1
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
3D集成手册-3D集成电路技术与应用 内容简介
三维（3D）集成是一种新兴的系统级集成封装技术，通过垂直互连将不同芯片或模块进行立体集成。《3D集成手册：3D集成电路技术与应用》对国内外研究所和公司的不同3D集成技术进行了详细介绍，系统阐述了不同工艺的设计原理和制作流程。《3D集成手册：3D集成电路技术与应用》旨在及时、客观地向工程师和学者们提供该领域的前沿信息，供相关科研人员及高等院校相关专业的研究生学习、参考与使用。
3D集成手册-3D集成电路技术与应用 目录
第1章 3D集成概述
1．1 引言
1．2 晶圆堆叠技术的发展
1．3 3D封装与3D集成
1．4 非TSV的3D叠层技术
1．4．1 Irvine传感器
1．4．2 超薄芯片叠层（UTCS）（IMEC，CNRS，U．Barcelona）
1．4．3 富士通公司
1．4．4 Fraunhofer/IZM研究所
1．4．5 3D Plus公司与Leti公司
1．4．6 东芝公司系统封装模块
参考文献
第2章 3D集成的驱动力
2．1 引言
2．2 电性能
2．2．1 信号传输速度
2．2．2 存储器的延迟
2．3 功耗与噪声
2．3．1 噪声
2．4 外形尺寸
2．4．1 非易失性存储器技术：闪存
2．4．2 易失性存储器技术：静态随机存取存储器（SRAM）与动态随机存取存储器（DRAM）
2．4．3 CMOS图形传感器
2．5 低成本
2．6 应用驱动
2．6．1 微处理器
2．6．2 存储器
2．6．3 传感器
2．6．4 现场可编程逻辑门阵列（FPGA）
参考文献
第3章 3D集成工艺技术概述
3．1 3D集成技术概述
3．1．1 硅通孔技术（TSVs）
3．1．2 晶圆减薄
3．1．3 晶圆／IC对准键合
3．2 工艺流程
3．3 3D集成技术
3．3．1 TSV制作
3．3．2 载体晶圆的临时键合
3．3．3 减薄工艺
3．3．4 对准与键合
参考文献
**篇 硅通孔制作
第4章 硅通孔的深反应离子刻蚀（DRIE）
4．1 引言
4．1．1 实现硅片贯穿互连技术的深反应离子刻蚀
4．1．2 DRIE的技术状态与基本原理
4．1．3 Bosch工艺
4．1．4 通孔制备方法的选择
4．2 DRIE设备及特征
4．2．1 高密度等离子体反应器
4．2．2 等离子体化学
4．2．3 等离子体诊断和表面分析
4．3 DRIE工艺
第二篇 晶圆减薄与键合技术
第三篇 集成过程
第四篇 设计、性能和热管理
第五篇 应用
1．1 引言
1．2 晶圆堆叠技术的发展
1．3 3D封装与3D集成
1．4 非TSV的3D叠层技术
1．4．1 Irvine传感器
1．4．2 超薄芯片叠层（UTCS）（IMEC，CNRS，U．Barcelona）
1．4．3 富士通公司
1．4．4 Fraunhofer/IZM研究所
1．4．5 3D Plus公司与Leti公司
1．4．6 东芝公司系统封装模块
参考文献
第2章 3D集成的驱动力
2．1 引言
2．2 电性能
2．2．1 信号传输速度
2．2．2 存储器的延迟
2．3 功耗与噪声
2．3．1 噪声
2．4 外形尺寸
2．4．1 非易失性存储器技术：闪存
2．4．2 易失性存储器技术：静态随机存取存储器（SRAM）与动态随机存取存储器（DRAM）
2．4．3 CMOS图形传感器
2．5 低成本
2．6 应用驱动
2．6．1 微处理器
2．6．2 存储器
2．6．3 传感器
2．6．4 现场可编程逻辑门阵列（FPGA）
参考文献
第3章 3D集成工艺技术概述
3．1 3D集成技术概述
3．1．1 硅通孔技术（TSVs）
3．1．2 晶圆减薄
3．1．3 晶圆／IC对准键合
3．2 工艺流程
3．3 3D集成技术
3．3．1 TSV制作
3．3．2 载体晶圆的临时键合
3．3．3 减薄工艺
3．3．4 对准与键合
参考文献
**篇 硅通孔制作
第4章 硅通孔的深反应离子刻蚀（DRIE）
4．1 引言
4．1．1 实现硅片贯穿互连技术的深反应离子刻蚀
4．1．2 DRIE的技术状态与基本原理
4．1．3 Bosch工艺
4．1．4 通孔制备方法的选择
4．2 DRIE设备及特征
4．2．1 高密度等离子体反应器
4．2．2 等离子体化学
4．2．3 等离子体诊断和表面分析
4．3 DRIE工艺
第二篇 晶圆减薄与键合技术
第三篇 集成过程
第四篇 设计、性能和热管理
第五篇 应用
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3D集成手册-3D集成电路技术与应用 节选
《3D集成手册：3D集成电路技术与应用》： 发射光所特有的颜色是等离子体*显著的特征之一。每个等离子体有一个特定的色谱，类似于等离子体成分的指纹。在光发射谱（OES）技术中，光强作为波长的函数来测量。除ETP外，等离子体的电子能量通常是几电子伏。高能量电子分布尾端的电子可以激发产生不同类型的等离子体。激发能取决于等离子体元素的类型，但正常情况下为6～15eV。 光强不仅和等离子体元素密度（plasma species density）成正比，也取决于电子密度和电子温度。一种被称为辐射测量学的技术通过OES定量测量等离子体元素密度。在等离子体中加入少量惰性气体，作为光能测定气体，不会影响等离子体的化学特性。等离子体元素密度正比于光能测定气体与等离子元素的发射强度比率和光能测定气体的密度。 1.2.3.3椭圆光度法 为了研究反应机理，在工艺中对反应层的厚度进行测量是非常有用的。使用原位椭圆光度法测量可以避免大气元素的污染及挥发性反应产物的蒸发，由于表面很容易粗糙不平，因此在低温刻蚀中反应层厚度的测量是非常复杂的。表面粗糙将表现为测量厚度的增加，这会使很薄的反应层的厚度值变得模糊。 4.2.3.4 X射线光电子能谱分析 X射线光电子能谱分析（XPS）是一种定量分析衬底表面化学成分的技术。用X射线照射样品，然后探测激发出来的内核电子。特定的光电子能谱类似于化学成分的指纹，其一元素的峰值面积正比于它的含量和光电离的截面。在高分辨率模式下，由于光电子能量偏移小，也能观测到化学键的状态。探测深度受固体中光电子的非弹性平均自由程（约几个纳米量级）限制，所以XPS是一种真正的表面分析技术。 ……
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