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GaAs光电阴极 版权信息
- ISBN：9787030356963
- 条形码：9787030356963 ; 978-7-03-035696-3
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>>
GaAs光电阴极 本书特色
《GaAs光电阴极》是著者承担国家科研项目的总结, 是论述GaAs 光电阴极的专著. 全书共分8 章, 介绍了三代微光像增强器、GaAs 和GaAlAs 材料及光电阴极的发展概况; 研究了GaAs 光电阴极的光电发射与光谱响应理论、多信息量测控与评估系统、激活工艺及其优化; 提出了变掺杂GaAs 光电阴极的物理概念, 探索了反射式和透射式变掺杂GaAs 光电阴极理论, 在三代微光像增强器中进行了实践; *后针对新一代微光像增强器研究, 对GaAs 光电阴极进行了回顾与展望. 《GaAs光电阴极》可作为大专院校光学工程、电子科学与技术和光信息科学与技术等专业本科生和研究生的教学用书, 也可供从事光电阴极及电子源研究的科研人员和工程技术人员、教师阅读, 同时也可供从事光电阴极和电子源生产以及使用光电器件或电子枪的有关人员参考.
GaAs光电阴极 内容简介
《GaAs光电阴极》可作为大专院校光学工程、电子科学与技术和光信息科学与技术等专业本科生和研究生的教学用书，也可供从事光电阴极及电子源研究的科研人员和工程技术人员、教师阅读，同时也可供从事光电阴极和电子源生产以及使用光电器件或电子枪的有关人员参考。
GaAs光电阴极 目录
第1章 绪论
1.1 三代微光像增强器简介
1.1.1 三代微光像增强器的基本原理
1.1.2 GaAlAs／GaAs光电阴极
1.1.3 微通道板（MCP）
1.1.4 积分灵敏度
1.1.5 分辨力、MTF
1.1.6 信噪比
1.2 三代微光像增强器的应用领域及国内外发展现状
1.2.1 三代微光像增强器的应用领域
1.2.2 三代微光像增强器的国内外发展现状
1.3 GaAs光电阴极的发展概况
1.3.1 GaAs光电阴极的发现及特点
1.3.2 GaAs光电阴极的制备
1.4 GaAs光电阴极的国内外研究现状
1.4.1 GaAs光电阴极的材料特性
1.4.2 GaAs光电阴极激活工艺的研究
1.4.3 GaAs光电阴极的稳定性研究
1.4.4 GaAs光电阴极表面模型的研究
1.5 国内外GaAs光电阴极的性能现状
1.5.1 国外GaAs光电阴极的技术水平现状
1.5.2 国内GaAs光电阴极的技术水平现状
第2章 GaAs和GaAlAs光电阴极材料
2.1 GaAs材料的性质
2.1.1 GaAs的物理和热学性质
2.1.2 GaAs的电阻率和载流子浓度
2.1.3 GaAs中载流子离化率
2.1.4 GaAs中电子的迁移率、扩散和寿命
2.1.5 GaAs中空穴的迁移率、扩散和寿命
2.1.6 GaAs的能带间隙
2.1.7 GaAs的光学函数
2.1.8 GaAs的红外吸收
2.1.9 GaAs的光致发光谱
2.1.10 GaAs中缺陷和缺陷的红外映像图
2.1.11 GaAs的表面结构和氧化
2.1.12 GaAs的腐蚀速率
2.1.13 GaAs的界面和接触
2.2 GaAlAs材料的一般性能
2.2.1 GaAlAs中的缺陷能级
2.2.2 GaAlAs中的DX缺陷中心
2.2.3 GaAlAs的光致发光谱
2.2.4 GaAIAs的电子迁移率
2.2.5 LPE GaAlAs中的载流子浓度
2.2.6 MOCVD GaAlAs的载流子浓度
2.2.7 MBE GaAlAs的载流子浓度
2.2.8 反应离子和反应离子束对GaAlAs的腐蚀速度
2.2.9 LPE GaAlAs的光学函数
第3章 GaAs光电阴极的光电发射与光谱响应理论
3.1 GaAs光电阴极光电发射过程
3.1.1 光电子激发
3.1.2 光电子往阴极表面的输运
3.1.3 光电子隧穿表面势垒
3.2 GaAs光电阴极电子能量分布
3.2.1 透射式光电阴极电子能量分布
3.2.2 反射式光电阴极电子能量分布
3.3 GaAs光电阴极量子效率公式的推导
3.3.1 反射式GaAs光电阴极
3.3.2 背面光照下的透射式GaAs光电阴极
3.3.3 正面光照下的透射式GaAs光电阴极
3.3.4 考虑T、L能谷及热电子发射的量子效率公式
3.3.5 考虑前表面复合速率的量子效率公式推导
3.4 GaAs光电阴极性能参量对量子效率的影响
3.4.1 电子表面逸出几率
3.4.2 电子扩散长度
3.4.3 光电阴极厚度
3.4.4 前表面复合速率
3.4.5 后界面复合速率
3.4.6 吸收系数
3.5 GaAs光电阴极性能参量的评估
3.5.1 P、LD、Sfv和Sv值的确定
3.5.2 积分灵敏度的计算
第4章 GaAs光电阴极多信息量测控与评估系统
4.1 GaAs光电阴极多信息量测控与评估系统的设计
4.1.1 Cs源电流的原位监测和记录
4.1.2 O源电流的原位监测和记录
4.1.3 超高真空系统真空度的原位监测和记录
4.1.4 光电阴极光电流的原位监测和记录
4.1.5 光电阴极光谱响应的原位监测和记录
4.2 超高真空激活系统
4.2.1 超高真空激活系统的结构和性能
4.2.2 超高真空的获取
4.2.3 超高真空系统与国外的差距
4.3 多信息量在线监控系统的构建
4.4 光谱响应测试仪
4.4.1 光谱响应测试原理
4.4.2 光谱响应测试仪的硬件结构
4.4.3 光谱响应测试仪的软件编制
4.4.4 光谱响应测试方式
4.5 在线量子效率测试与自动激活系统
4.5.1 系统结构
4.5.2 系统硬件设计
4.5.3 自动激活策略
4.5.4 软件设计
4.5.5 实验与结果
4.6 GaAs光电阴极表面分析系统
4.6.1 X射线光电子能谱仪
4.6.2 紫外光电子能谱仪
4.6.3 变角XPS表面分析技术
4.7 超高真空的残气分析系统
4.7.1 四极质谱仪原理与结构
……
第5章 反射式GaAs光电阴极的激活工艺及其优化研究
第6章 反射式变掺杂GaAs光电阴极材料与量子效率理论研究
第7章 透射式变掺杂GaAs光电阴极理论与实践
第8章 回顾与展望
参考文献
1.1 三代微光像增强器简介
1.1.1 三代微光像增强器的基本原理
1.1.2 GaAlAs／GaAs光电阴极
1.1.3 微通道板（MCP）
1.1.4 积分灵敏度
1.1.5 分辨力、MTF
1.1.6 信噪比
1.2 三代微光像增强器的应用领域及国内外发展现状
1.2.1 三代微光像增强器的应用领域
1.2.2 三代微光像增强器的国内外发展现状
1.3 GaAs光电阴极的发展概况
1.3.1 GaAs光电阴极的发现及特点
1.3.2 GaAs光电阴极的制备
1.4 GaAs光电阴极的国内外研究现状
1.4.1 GaAs光电阴极的材料特性
1.4.2 GaAs光电阴极激活工艺的研究
1.4.3 GaAs光电阴极的稳定性研究
1.4.4 GaAs光电阴极表面模型的研究
1.5 国内外GaAs光电阴极的性能现状
1.5.1 国外GaAs光电阴极的技术水平现状
1.5.2 国内GaAs光电阴极的技术水平现状
第2章 GaAs和GaAlAs光电阴极材料
2.1 GaAs材料的性质
2.1.1 GaAs的物理和热学性质
2.1.2 GaAs的电阻率和载流子浓度
2.1.3 GaAs中载流子离化率
2.1.4 GaAs中电子的迁移率、扩散和寿命
2.1.5 GaAs中空穴的迁移率、扩散和寿命
2.1.6 GaAs的能带间隙
2.1.7 GaAs的光学函数
2.1.8 GaAs的红外吸收
2.1.9 GaAs的光致发光谱
2.1.10 GaAs中缺陷和缺陷的红外映像图
2.1.11 GaAs的表面结构和氧化
2.1.12 GaAs的腐蚀速率
2.1.13 GaAs的界面和接触
2.2 GaAlAs材料的一般性能
2.2.1 GaAlAs中的缺陷能级
2.2.2 GaAlAs中的DX缺陷中心
2.2.3 GaAlAs的光致发光谱
2.2.4 GaAIAs的电子迁移率
2.2.5 LPE GaAlAs中的载流子浓度
2.2.6 MOCVD GaAlAs的载流子浓度
2.2.7 MBE GaAlAs的载流子浓度
2.2.8 反应离子和反应离子束对GaAlAs的腐蚀速度
2.2.9 LPE GaAlAs的光学函数
第3章 GaAs光电阴极的光电发射与光谱响应理论
3.1 GaAs光电阴极光电发射过程
3.1.1 光电子激发
3.1.2 光电子往阴极表面的输运
3.1.3 光电子隧穿表面势垒
3.2 GaAs光电阴极电子能量分布
3.2.1 透射式光电阴极电子能量分布
3.2.2 反射式光电阴极电子能量分布
3.3 GaAs光电阴极量子效率公式的推导
3.3.1 反射式GaAs光电阴极
3.3.2 背面光照下的透射式GaAs光电阴极
3.3.3 正面光照下的透射式GaAs光电阴极
3.3.4 考虑T、L能谷及热电子发射的量子效率公式
3.3.5 考虑前表面复合速率的量子效率公式推导
3.4 GaAs光电阴极性能参量对量子效率的影响
3.4.1 电子表面逸出几率
3.4.2 电子扩散长度
3.4.3 光电阴极厚度
3.4.4 前表面复合速率
3.4.5 后界面复合速率
3.4.6 吸收系数
3.5 GaAs光电阴极性能参量的评估
3.5.1 P、LD、Sfv和Sv值的确定
3.5.2 积分灵敏度的计算
第4章 GaAs光电阴极多信息量测控与评估系统
4.1 GaAs光电阴极多信息量测控与评估系统的设计
4.1.1 Cs源电流的原位监测和记录
4.1.2 O源电流的原位监测和记录
4.1.3 超高真空系统真空度的原位监测和记录
4.1.4 光电阴极光电流的原位监测和记录
4.1.5 光电阴极光谱响应的原位监测和记录
4.2 超高真空激活系统
4.2.1 超高真空激活系统的结构和性能
4.2.2 超高真空的获取
4.2.3 超高真空系统与国外的差距
4.3 多信息量在线监控系统的构建
4.4 光谱响应测试仪
4.4.1 光谱响应测试原理
4.4.2 光谱响应测试仪的硬件结构
4.4.3 光谱响应测试仪的软件编制
4.4.4 光谱响应测试方式
4.5 在线量子效率测试与自动激活系统
4.5.1 系统结构
4.5.2 系统硬件设计
4.5.3 自动激活策略
4.5.4 软件设计
4.5.5 实验与结果
4.6 GaAs光电阴极表面分析系统
4.6.1 X射线光电子能谱仪
4.6.2 紫外光电子能谱仪
4.6.3 变角XPS表面分析技术
4.7 超高真空的残气分析系统
4.7.1 四极质谱仪原理与结构
……
第5章 反射式GaAs光电阴极的激活工艺及其优化研究
第6章 反射式变掺杂GaAs光电阴极材料与量子效率理论研究
第7章 透射式变掺杂GaAs光电阴极理论与实践
第8章 回顾与展望
参考文献
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GaAs光电阴极 作者简介
常本康，南京理工大学教授，博士生导师，国防科工委微光重点实验室学术委员会副主任委员，主要从事光电发射材料，器件与多光谱融合的图像探测系统的研究，培养硕士70多名、博士与博士后50多名，先后出版过的专著和教材有：《显示技术》（1994），《多碱光电阴极机理、特性与应用》（1995）、《红外成像阵列与系统》 （2006）、《红外成像阵列与系统（修订版）》（2009）、《多碱光电阴极》（2011）以及《GaAs光电阴极》（2012）等。在国内外学术期刊与会议发表论文400多篇，申报专利20多项。
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