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碳化硅/硅纳米异质结阵列的制备和物性研究

作者：王海燕

出版社：中国水利水电出版社出版时间：2017-05-01

开本： 24cm 页数： 238页

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版权信息
本书特色
内容简介
目录

碳化硅/硅纳米异质结阵列的制备和物性研究版权信息

ISBN：9787517053057
条形码：9787517053057 ; 978-7-5170-5305-7
装帧：一般胶版纸
册数：暂无
重量：暂无
所属分类：
工业技术
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一般问题

碳化硅/硅纳米异质结阵列的制备和物性研究本书特色

本书对碳化硅/硅纳米异质结阵列的制备和物性进行了研究.主要内容包括SiC/Si-NPA纳米复合体系的制备、SiC/Si-VPA的场致发射性能研究、SiC/Si-NPA的光致发光性能研究、SiC/Si-NPA的气体传感性能研究等。本书结构合理.条理清晰，内容丰富新颖，是一本值得学习研究的著作，可供相关人员参考使用。

碳化硅/硅纳米异质结阵列的制备和物性研究内容简介

本书共分为绪论 ; SiC/Si-NPA纳米复合体系的制备 ; SiC/Si-NPA的场致发射性能研究 ; SiC/Si-NPA的光致发光性能研究 ; SiC/Si-NPA的气体传感性能研究五章, 其主要内容包括: 半导体材料的发展 ; 硅基复合体系等。

碳化硅/硅纳米异质结阵列的制备和物性研究目录

目录前言第1章绪论 1. 1 半导体材料的发展 1. 2 SiC半导体的基本性质 1. 3 SiC纳米材料的研究 1. 4 硅基复合体系 1. 5 本书的研究内容第2章 SiC/Si-NPA纳米复合体系的制备 2. 1 引言 2 .2 Si-NPA的制备和表征 2 .3 SiC纳米晶/Si-NPA的制备和表征 2. 4 SiC纳米线/Si-NPA的制备和表征 2. 5 小结第3章 SiC/Si-NPA的场致发射性能研究 3. 1 引言 3. 2 nc-SiC/Si-NPA的I-V特性 3. 3 nw-SiC/ Si-NPA的场发射性能 3. 4 CNP/Si-NPA和CNF/Si-NPA的场发射性能 3 .5 小结第4章 SiC/Si-NPA的光致发光性能研究 4. 1 引言 4. 2 nw-SiC/Si-NPA的光致发光性能 4.3 nc-SiC/Si-NPA光致发光性能 4. 4 小结第5章 SiC/Si-NPA的气体传感性能研究 5. 1 引言 5. 2 SiC基气体传感器 5.3 SiC/Si-NPA气体传感器的制备 5 .4 H2S气体传感器 5 .5 湿度传感器 5 .6 小结结论与展望参考文献附录

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