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电力电子模块设计与制造

作者：(美)盛永和(WilliamW.She

出版社：机械工业出版社出版时间：2016-09-01

开本： 32开 页数： 222

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版权信息
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作者简介

电力电子模块设计与制造版权信息

ISBN：9787111542032
条形码：9787111542032 ; 978-7-111-54203-2
装帧：暂无
册数：暂无
重量：暂无
所属分类：
工业技术
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电力电子模块设计与制造本书特色

《电力电子模块设计与制造》介绍了功率半导体模块的结构设计和关键材料，材料部分涵盖了当前功率半导体模块中使用的各种类型材料，包括连接材料、基板材料、底板材料、灌封材料、外壳材料和引线端子材料等。此外，《电力电子模块设计与制造》还包含了制造工艺、测试技术、质量控制和可靠性失效机理分析。《电力电子模块设计与制造》内容新颖，紧跟时代发展，重点围绕IGBT模块产品的设计与制造方面展开介绍，同时还综述了IGBT模块的新研究进展。《电力电子模块设计与制造》的读者对象包括在校学生、功率半导体模块设计、封装、制造、测试和电力电子集成应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。《电力电子模块设计与制造》适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书，也可用作电力电子器件封装应用学术界和广大的功率半导体模块生产企业的工程技术人员的参考书。

电力电子模块设计与制造内容简介

在电力电子技术飞速发展、应用也日益广泛的今天，这本《电力电子模块设计与制造》对于我国电力电子模块的研发设计与制造，具有极为重要的学习意义和参考价值！

电力电子模块设计与制造目录

目录译者序原书前言第1章功率模块概述1参考文献4第2章功率模块材料选择要点5参考文献6第3章材料73.1绝缘衬底和金属化73.1.1衬底材料的选择标准73.1.2绝缘衬底列表83.1.3绝缘衬底材料的选择143.1.4绝缘衬底表面金属化193.1.5金属化的种类193.1.6供货商25参考文献283.2底板293.2.1选择标准293.2.2底板材料303.2.3可用底板材料概述303.2.4产品成本363.2.5适用的底板/衬底材料表36参考文献373.3连接材料373.3.1压接式互连373.3.2连接材料互连详述383.3.3焊料的选择标准393.3.4无铅焊料503.3.5焊锡膏的组成533.3.6生产、工艺和设备条件53参考文献553.4功率互连与功率端子553.4.1功率端子56参考文献603.5灌封材料603.5.1选择标准603.5.2选择方法613.5.3灌封材料简述613.5.4制造方案653.5.5供货商663.5.6供应商产品特点66参考文献723.6塑料管壳和端盖72参考文献783.7功率半导体芯片783.7.1IGBT芯片783.7.2FRED芯片85参考文献87第4章IGBT功率模块制造884.1制造工艺884.1.1IGBT芯片的分类与归组904.1.2材料清洗924.1.3焊接互连1024.1.4功率端子互连1144.1.5电气和热学测试122参考文献1364.2工艺控制与可靠性1374.2.1工艺控制1374.2.2测试设备1384.2.3过程检测1394.2.4长期可靠性147参考文献1554.3制造设备与耗材1564.3.1ESD1574.3.2去离子水1594.3.3焊接工艺气氛1594.3.4化学试剂1594.3.5电力供应1594.3.6相对湿度1594.3.7气流和压差1594.3.8环境颗粒物含量1594.3.9贮存柜1604.3.10洁净间及配套设施1604.3.11安全标准1604.3.12环境要求161参考文献1624.4生产工艺流程图1624.4.1标准生产工艺1624.4.2其他生产工艺172第5章功率模块设计1735.1热管理设计1755.1.1模块的叠层结构设计1755.1.2热导率分析1765.1.3热应力分析177参考文献1795.2电路分区1805.2.1芯片和绝缘衬底间的热应力1805.2.2绝缘衬底尺寸分析1825.2.3IGBT芯片并联技术1835.2.4成本核算183参考文献1845.3模块整体设计指南与规范1845.3.1陶瓷材料用作绝缘衬底的设计1845.3.2陶瓷材料用作绝缘衬底的金属化图案布局1855.3.3金属底板设计1905.3.4功率端子/快接导片/互连桥设计1915.3.5塑料管壳和端盖设计1945.3.6焊片设计197参考文献1975.4实例1975.4.1生产成本估算1975.4.2备选方案的理论值比较1985.4.3模块试制的散热性能198参考文献218附录219附录A功率模块中的功率ＭＯＳＦＥＴ、晶闸管和二极管219附录B条形码和二维码221

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电力电子模块设计与制造作者简介

作者William W Sheng博士和Ronald P Colino博士均是Smart Relay Technology公司的创始人，并曾分别担任此公司技术副总裁和公司总裁。他们都曾在通用电气公司工作并担任半导体技术相关部门经理。William W Sheng博士已在电子行业工作超过25年，一直从事固态继电器和功率半导体技术的研究，曾获得通用电气公司的技术发明奖，已发表许多学术论文并拥有多项专利。Ronald P Colino博士主要从事固态继电器、混合集成电路、MOS集成电路和半导体存储器的设计和市场营销，在集成电路方面也拥有多项专利。

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