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电力半导体新器件及其制造技术

作者：王彩琳编著

出版社：机械工业出版社出版时间：2015-06-01

开本： 16开 页数： 554

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版权信息
本书特色
内容简介
目录

电力半导体新器件及其制造技术版权信息

ISBN：9787111475729
条形码：9787111475729 ; 978-7-111-47572-9
装帧：一般胶版纸
册数：暂无
重量：暂无
所属分类：
工业技术
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半导体技术

电力半导体新器件及其制造技术本书特色

本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件（包括gto、igct、eto及mto）、功率mosfet、绝缘栅双极型晶体管(igbt)以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与仿真技术。重点对功率二极管的快软恢复控制、gto的门极硬驱动、igct的透明阳极和波状基区、功率mosfet的超结及igbt的电子注入增强（ie）等新技术进行了详细介绍。　　本书可作为电子科学与技术、电力电子与电气传动等学科的本科生、研究生专业课程的参考书，也可供从事电力半导体器件制造及应用的工程技术人员和有关科技管理人员参考。

电力半导体新器件及其制造技术内容简介

本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件[（包括GTO晶闸管、集成门极换流晶闸管（IGCT））]、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与模拟技术。重点对GTO的单位电流增益、IGCT的透明阳极和波状基区，功率MOSFET的超结及IGBT的发射极电子注入增强（IE）等新技术进行了详细介绍。

电力半导体新器件及其制造技术目录

电力电子新技术系列图书序言
前言
第1章绪论
1.1 电力半导体器件概述
    1.1.1 与电力电子技术关系
    1.1.2 定义与分类
1.2 发展概况
    1.2.1 电力半导体器件的发展
    1.2.2 制造技术的发展
参考文献
第2章功率二极管
2.1 普通功率二极管
    2.1.1 结构类型
    2.1.2 工作原理与i-u特性
    2.1.3 静态与动态特性
2.2 快速软恢复二极管
    2.2.1 结构类型
    2.2.2 软恢复的机理及控制
2.3 功率肖特基二极管
    2.3.1 结构类型与制作工艺
    2.3.2 工作原理与i-u特性
    2.3.3 静态特性
2.4 功率二极管的设计
    2.4.1 普通功率二极管的设计
    2.4.2 快速软恢复二极管的设计
    2.4.3 功率肖特基二极管的设计
2.5 功率二极管的应用与失效分析
    2.5.1 安全工作区及其限制因素
    2.5.2 失效分析
    2.5.3 特点与应用范围
参考文献
第3章晶闸管及其集成器件
……
第4章功率mosfet
第5章绝缘栅双极型晶体管
第6章功率集成技术
第7章电力半导体器件的结终端技术
第8章电力半导体器件的制造技术
第9章电力半导体器件的应用共性技术
第10章电力半导体器件的数值分析与仿真技术

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