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准一维材料的合成.特性及应用-化学传感器:传感材料基础-第3册-影印版 版权信息
- ISBN：9787560341514
- 条形码：9787560341514 ; 978-7-5603-4151-4
- 装帧：一般胶版纸
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>>
准一维材料的合成.特性及应用-化学传感器:传感材料基础-第3册-影印版 本书特色
《化学传感器--传感材料基础(第3册准一维材料的合成特性及应用影印版)》(作者科瑞特森科韦)内容包括:什么是纳米材料、纳米技术简史、纳米材料与粒状材料的区别是什么、纳米材料制备、纳米技术及其发展机遇、纳米技术:未来趋势、Q1D纳米材料的合成、电子传输特性和光学特性、金属氧化物纳米线化学传感器致谢、富勒烯和碳纳米管的合成等。
准一维材料的合成.特性及应用-化学传感器:传感材料基础-第3册-影印版 内容简介
《传感材料与传感技术丛书》为 MOMENTUM PRESS 的SENSORS TECHNOLOGY SERIES的影印版。考虑到使用方便以及内容统一，将原系列6卷分10册影印，其中<化学传感器：传感材料基础>5册，<化学传感器：传感器技术>5册。
准一维材料的合成.特性及应用-化学传感器:传感材料基础-第3册-影印版 目录
1 纳米材料与纳米技术简介
1 什么是纳米材料?
2 纳米技术简史
3 纳米材料与粒状材料的区别是什么?
4 纳米材料制备
5 纳米技术及其发展机遇
6 纳米技术:未来趋势
7 致 谢
参考文献
2 准一维金属氧化物结构:合成、表征及应用
1 引 言
2 Q1D纳米材料的合成
3 电子传输特性和光学特性
4 金属氧化物纳米线化学传感器
5 总结与展望
1 纳米材料与纳米技术简介
1 什么是纳米材料?
2 纳米技术简史
3 纳米材料与粒状材料的区别是什么?
4 纳米材料制备
5 纳米技术及其发展机遇
6 纳米技术:未来趋势
7 致 谢
参考文献
2 准一维金属氧化物结构:合成、表征及应用
1 引 言
2 Q1D纳米材料的合成
3 电子传输特性和光学特性
4 金属氧化物纳米线化学传感器
5 总结与展望
参考文献
3 化学传感器中的碳纳米管和富勒烯
1 引 言
2 富勒烯和碳纳米管的合成
3 碳纳米管的特性
4 碳纳米管的化学修饰与功能化
5 固态导电碳纳米管传感器
6 拉曼传感器
7 光学传感器
8 电化学传感器
9 场发射传感器
10 机电谐振器
11 展 望
参考文献
4 基于单层包覆金属纳米颗粒的传感器
1 引 言
2 单层包覆纳米颗粒(MCNP)的合成及固态MCNP。薄膜的沉积
3 单层包覆金属纳米颗粒用于化学传感的四个优势
4 基于MCNPs的化学传感器
5 MCNP基化学传感器的分类
6 结束语
7 致谢
参考文献
索 引
丛书目录
1 什么是纳米材料?
2 纳米技术简史
3 纳米材料与粒状材料的区别是什么?
4 纳米材料制备
5 纳米技术及其发展机遇
6 纳米技术:未来趋势
7 致 谢
参考文献
2 准一维金属氧化物结构:合成、表征及应用
1 引 言
2 Q1D纳米材料的合成
3 电子传输特性和光学特性
4 金属氧化物纳米线化学传感器
5 总结与展望
1 纳米材料与纳米技术简介
1 什么是纳米材料?
2 纳米技术简史
3 纳米材料与粒状材料的区别是什么?
4 纳米材料制备
5 纳米技术及其发展机遇
6 纳米技术:未来趋势
7 致 谢
参考文献
2 准一维金属氧化物结构:合成、表征及应用
1 引 言
2 Q1D纳米材料的合成
3 电子传输特性和光学特性
4 金属氧化物纳米线化学传感器
5 总结与展望
参考文献
3 化学传感器中的碳纳米管和富勒烯
1 引 言
2 富勒烯和碳纳米管的合成
3 碳纳米管的特性
4 碳纳米管的化学修饰与功能化
5 固态导电碳纳米管传感器
6 拉曼传感器
7 光学传感器
8 电化学传感器
9 场发射传感器
10 机电谐振器
11 展 望
参考文献
4 基于单层包覆金属纳米颗粒的传感器
1 引 言
2 单层包覆纳米颗粒(MCNP)的合成及固态MCNP。薄膜的沉积
3 单层包覆金属纳米颗粒用于化学传感的四个优势
4 基于MCNPs的化学传感器
5 MCNP基化学传感器的分类
6 结束语
7 致谢
参考文献
索 引
丛书目录
展开全部
准一维材料的合成.特性及应用-化学传感器:传感材料基础-第3册-影印版 节选
《化学传感器--传感材料基础(第3册准一维材料的合成特性及应用影印版)》(作者科瑞特森科韦)内容包括:什么是纳米材料、纳米技术简史、纳米材料与粒状材料的区别是什么、纳米材料制备、纳米技术及其发展机遇、纳米技术:未来趋势、Q1D纳米材料的合成、电子传输特性和光学特性、金属氧化物纳米线化学传感器致谢、富勒烯和碳纳米管的合成等。
准一维材料的合成.特性及应用-化学传感器:传感材料基础-第3册-影印版 作者简介
作者:(摩尔)科瑞特森科韦
Ghenadii Koroteenkov received his Ph.D. in Physics and Technology of Semiconductor Materials and Devices in 1976 and his Habilitate Degree (Dr. Sci.) in Physics and Mathematics of Semiconductors and Dielectrics in 1990.
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