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蒸发及外延法晶体生长技术-晶体生长手册-第4册-(影印版)

作者：(美)德哈纳拉,等编

出版社：哈尔滨工业大学出版社出版时间：2013-01-01

开本： 16开 页数： 417

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版权信息
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内容简介
目录
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作者简介

蒸发及外延法晶体生长技术-晶体生长手册-第4册-(影印版) 版权信息

ISBN：9787560338699
条形码：9787560338699 ; 978-7-5603-3869-9
装帧：一般胶版纸
册数：暂无
重量：暂无
所属分类：
自然科学
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蒸发及外延法晶体生长技术-晶体生长手册-第4册-(影印版) 本书特色

　　《springer手册精选系列·晶体生长手册（第4册）：蒸发及外延法晶体生长技术（影印版）》的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的parte是关于外延生长和薄膜的，主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。

蒸发及外延法晶体生长技术-晶体生长手册-第4册-(影印版) 内容简介

《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第4册）：蒸发及外延法晶体生长技术（影印版）》的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的，主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。

蒸发及外延法晶体生长技术-晶体生长手册-第4册-(影印版) 目录

缩略语
partd 晶体的气相生长
23 sic晶体的生长与表征
　23.1 sic-背景与历史
　23.2 气相生长
　23.3 高温溶液生长
　23.4 籽晶升华的产业化体材料生长
　23.5 结构缺陷及其构造
　23.6 结语
　参考文献
24 物理气相传输法生长体材料ain晶体
　24.1 物理气相传输法晶体生长
　24.2 高温材料兼容
　24.3 ain体材料晶体的自籽晶生长
　24.4 ain体材料晶体的籽晶生长
　24.5 高质量晶体表征
　24.6 结论与展望
　参考文献
25 单晶有机半导体的生长
　25.1 基础
　25.2 成核与晶体生长理论
　25.3 对半导体单晶有机材料的兴趣
　25.4 提纯预生长
　25.5 晶体生长
　25.6 有机半导体单晶的质量
　25.7 有机单晶场效应晶体管
　25.8 结论
　参考文献
26 卤化物气相外延生长ⅲ族氮化物
　26.1 生长化学和热力学
　26.2 hvpe生长设备
　26.3 体材料gan的生长衬底和模版
　26.4 衬底除去技术
　26.5 hvpe中gan的掺杂方法
　26.6 缺陷密度、位错和残留杂质
　26.7 hvpe生长的体材料gan的一些重要性能
　26.8 通过hvpe生长ain:一些初步的结论
　26.9 通过hvpe生长inn:一些初步的结论
　参考文献
27 半导体单晶的气相生长
　27.1 气相生长分类
　27.2 化学气相传输——传输动力学
　27.3 热力学讨论
　27.4 cvt法ⅱ-ⅵ化合物半导体的生长
　27.5 纳米材料的气相生长
　27.6ⅰ-ⅲ-ⅵ，化合物生长
　27.7 vpe法生长氮化镓
　27.8 结论
　参考文献
parte 外延生长和薄膜
28化学气相沉积的碳化硅外延生长
　28.1 碳化硅极化类型
　28.2 碳化硅的缺陷
　28.3 碳化硅外延生长
　28.4 图形衬底上的外延生长
　28.5 结论
　参考文献
29 半导体的液相电外延
　29.1 背景
　29.2 早期理论和模型的研究
　……
30 半导体的外延横向增生
31 新材料的液相外延
32 分子束外延的hgcdte生长
33 稀释氮化物的金属有机物气相外延和砷化物量子点
34 锗硅异质结的形成及其特性
35 脉冲激光的等离子能量和脉冲电子淀积

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蒸发及外延法晶体生长技术-晶体生长手册-第4册-(影印版) 相关资料

　　施普林格的手册，一贯全面阐述基础理论，提供可靠的研究方法和关键知识皮及大量的参考文献，介绍最新的应用实例，前瞻学科的发展方向。手册作者多为世界首席专家或知名学者。手册具有极大的实用性，其表格、图标、索引等更增加了它的使用价值。　　——《springer手册精选系列》推荐委员会

蒸发及外延法晶体生长技术-晶体生长手册-第4册-(影印版) 作者简介

　　Govindhan Dhanaraj is the Manager of Crystal Growth Technologies at Advanced Renewable Energy Company （ARC Energy） at Nashua， New Hampshire （USA） focusing on the growth of large size sapphire crystals for LED lighting applications， characterization and related crystal growth furnace development. He received his PhD from the Indian Institute of Science， Bangalore and his Master of Science from Anna University （India）. Immediately after his doctoral degree， Dr. Dhanaraj joined a National Laboratory， presently known as Rajaramanna Center for Advanced Technology in India， where he established an advanced Crystal Growth Laboratory for the growth of optical and laser crystals. Prior to joining ARC Energy， Dr. Dhanaraj served as a Research Professor at the Department of Materials Science and Engineering， Stony Brook University， NY， and also held a position of Research Assistant Professor at Hampton University， VA. During his 25 years of focused expertise in crystal growth research， he has developed optical， laser and semiconductor bulk crystals and SiC epitaxial films using solution， flux， Czochralski， Bridgeman， gel and vapor methods， and characterized them using x-ray topography， synchrotron topography， chemical etching and optical and atomic force microscopic techniques. He co-organized a symposium on Industrial Crystal Growth under the 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy in conjunction with the 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy held at Lake Geneva， WIin 2009. Dr. Dhanaraj has delivered invited lectures and also served as session chairman in many crystal growth and materials science meetings. He has published over 100 papers and his research articles have attracted over 250 rich citations.

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