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CMOS模拟集成电路分析与设计
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CMOS模拟集成电路分析与设计

作者：吴建辉
出版社：电子工业出版社出版时间：2011-06-01
所属丛书： 普通高等教育十一五国家级规划教材
开本： 16开 页数： 366
本类榜单：工业技术销量榜
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CMOS模拟集成电路分析与设计 版权信息

CMOS模拟集成电路分析与设计 本书特色

        吴建辉编著的《cmos模拟集成电路分析与设计(第2版)》作为教材，着重讨论了cmos模拟集成电路分析与设计的基础知识，并介绍了新技术与新理论，深入浅出地对cmos模拟集成电路中的主要模块电路进行了较为详尽的分析，并力求理论与实际相结合，使学生经过本教材的学习能真正了解cmos模拟集成电路的分析与设计方法，掌握cmos模拟集成电路中的主要模块的设计基础，为进行模拟电路的设计打下基础。

CMOS模拟集成电路分析与设计 内容简介

　　本书是普通高等教育“十一五”国家级规划教材。本书分析了cmos模拟集成电路设计理论与技术，全书由17章组成。从cmos器件物理及高阶效应出发，介绍了cmos模拟集成电路的基础，然后分别介绍了模拟集成电路中的各种电路模块：基本放大器、恒流源电路、差分放大器、运算放大器、基准电压源、开关电容电路、集成电压比较器、数/模转换与模/数转换、振荡器与锁相环等。另外，还分析了cmos模拟集成电路的频率响应、稳定性、运算放大器的频率补偿及其反馈电路特性，以及噪声与非线性。

CMOS模拟集成电路分析与设计 目录

第1章  基本mos器件物理
  1.1  有源器件
    1.1.1  mos管结构与几何参数
    1.1.2  mos管的工作原理及表示符号
    1.1.3  mos管的高频小信号电容
    1.1.4  mos管的电特性
    1.1.5  二阶效应
    1.1.6  mos管交流小信号模型
    1.1.7  有源电阻
  1.2  无源器件
    1.2.1  电阻
    1.2.2  电容
  1.3  短沟道效应
    1.3.1  按比例缩小
    1.3.2  短沟道效应
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