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电子元器件可靠性技术教程 版权信息
- ISBN：9787512401365
- 条形码：9787512401365 ; 978-7-5124-0136-5
- 装帧：暂无
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>>
电子元器件可靠性技术教程 本书特色
《电子元器件可靠性技术教程》：普通高校“十一五”规划教材
电子元器件可靠性技术教程 目录
第1章 元器件的分类1.1 现代元器件的发展里程碑1.1.1 **个半导体晶体管的诞生1.1.2 集成电路的发明和商业化1.2 元器件的分类与功能1.2.1 电气元件1.2.2 机电元件1.2.3 电子器件1.2.4 其他元器件1.3 MEMS器件1.3.1 MEMS压力与惯性器件1.3.2 微流体器件1.3.3 微光机电系统1.3.4 生物MEMS器件1.3.5 射频MEMS器件1.3.6 MEMS器件的主要失效机理本章小结习题第2章 元器件制造技术2.1 半导体集成电路芯片制造技术2.1.1 发展里程碑2.1.2 基本工艺2.1.3 器件工艺2.1.4 芯片加工中的缺陷和成品率预测2.2 混合集成电路工艺2.2.1 厚膜工艺2.2.2 薄膜工艺2.2.3 混合集成电路的失效2.3 微机械加工技术2.3.1 体硅加工2.3.2 表面微加工2.3.3 LIGAE1艺2.4 纳米尺度制造本章小结习题第3章 微电子的封装技术3.1 微电子封装概述3.1.1 封装的作用3.1.2 封装发展历程3.1.3 微电子封装的分级3.1 _4封装的分类3.2 器件级封装工艺3.2.1 典型工艺流程3.2.2 芯片互连方法3.3 器件级封装的分类及其特点3.3.1 插装型封装3.3.2 表面安装型封装3.3.3 多芯片组件3.4 封装技术的发展及应用3.4.1 3D封装3.4.2 系统封装3.4.3 MEMS封装3.5 微电子的失效机理3.5.1 热／机械失效3.5.2 电致失效3.5.3 电化学失效本章小结习题第4章 元器件可靠性试验与评价技术4.1 元器件可靠性试验4.1.1 元器件可靠性试验的定义4.1.2 元器件可靠性试验的分类4.1.3 元器件可靠性试验方法的国内外标准4.2 元器件可靠性基础试验4.2.1 元器件可靠性基础试验的定义4.2.2 可靠性基础试验的分类4.2.3 气候环境应力试验4.2.4 机械环境应力试验4.2.5 与封装有关的试验4.2.6 与密封有关的试验4.2.7 老炼试验4.2.8 与外引线有关的试验4.2.9 特殊试验4.2.10 与标识有关的试验4.2.11 与辐射有关的试验4.2.12 塑封器件特殊的可靠性基础试验4.3 元器件可靠性寿命试验4.3.1 寿命试验的定义和分类4.3.2 指数分布寿命试验方案的确定4.3.3 寿命试验中的一些技术问题4.4 元器件加速寿命试验4.4.1 加速寿命试验的定义4.4.2 加速寿命试验的分类4.4.3 加速寿命试验的理论依据4.4.4 恒定应力加速寿命试验方案的设计与实施4.4.5 加速寿命试验的数据处理4.4.6 加速寿命试验举例4.5 元器件可靠性试验的设计4.6 现代元器件可靠性评价技术4.6.1 现代元器件可靠性评价技术的发展4.6.2 晶片级可靠性评价技术4.6.3 微电子测试结构可靠性评价技术4.6.4 结构工艺质量认证可靠性评价技术4.6.5 敏感参数可靠性评价技术4.7 计算机辅助集成电路可靠性评价技术4.7.1 计算机辅助集成电路可靠性评价技术概述4.7.2 计算机辅助集成电路可靠性评价系统的构成4.7.3 电迁移失效计算机模拟技术4.7.4 热载流子退化计算机模拟技术4.7.5 氧化层击穿失效计算机模拟技术本章小结习题第5章 元器件的使用可靠性控制5.1 元器件可靠性与质量的概念5.1.1 元器件的可靠性5.1.2 元器件的失效率5.1.3 元器件质量与质量等级5.2 元器件的使用质量管理5.2.1 元器件的使用质量管理流程5.2.2 元器件选择5.2.3 元器件采购5.2.4 元器件监制5.2.5 元器件验收5.2.6 元器件二次筛选5.2.7 元器件破坏性物理分析(DPA)5.2.8 元器件失效分析5.2.9 元器件使用5.2.10 元器件电装与调试5.2.11 元器件储存保管和超期复验5.2.12 元器件发放5.2.13 失效或不合格元器件处理5.2.14 元器件评审5.2.15 元器件质量信息管理5.3 元器件选用分析评价及其控制要求5.3.1 元器件选用与分析评价过程5.3.2 元器件优选目录制定和使用5.3.3 军用产品元器件的选择5.3.4 军用元器件选用的控制要求5.4 军用元器件质量保证及其标准5.4.1 军用元器件质量保证概述5.4.2 军用元器件可靠性和质量保证有关标准……第6章 元器件的降额设计第7章 热设计与热分析第8章 静电放电损伤及防护第9章 可靠性筛选第10章 破坏性物理分析与失效分析附录参考文献
展开全部
电子元器件可靠性技术教程 节选
《电子元器件可靠性技术教程》是高等工科院校“质量与可靠性”专业本科生教材，主要围绕元器件可靠性技术这一主题，针对元器件的固有可靠性和使用可靠性的保证技术进行了分类介绍。在固有可靠性保证中主要介绍了元器件的制造工艺、封装技术、失效机理、可靠性试验技术等。在使用可靠性保证中主要介绍了元器件选用控制、使用设计方法、静电防护、可靠性筛选、破坏性物理分析及失效分析技术等。《电子元器件可靠性技术教程》在编写过程中强调了理论与工程实践相结合，不仅具有系统的技术性，还具有较强的工程实用性，并对一些前沿的元器件可靠性技术，如MEMS器件的可靠性现状及失效机理等进行了简要介绍。《电子元器件可靠性技术教程》也可供大专院校其他专业本科生、研究生使用及工程技术人员学习和参考。
电子元器件可靠性技术教程 相关资料
插图：1954年，Bell实验室开发出氧化、光掩膜、刻蚀和扩散工艺，这些工艺在今天的集成电路IC（Integreted Circuit）制造中仍在使用。1958年，德州仪器公司的Jack Kilby发明了集成电路，但是该发明用于大规模电路上存在连线上的困难。1958年后期，仙童公司的物理学家Jean Hoerni开发出一种在硅上制造PN结的技术，并在结上覆盖了一层薄的硅氧化层作绝缘层，在硅二极管上蚀刻小孔用于连接PN结。SpragueElectric公司的物理学家Kurt Lehove开发出使用PN结隔离元件的技术，解决了连线问题。1959年，仙童公司的Robert Noyce通过在电路上方蒸镀薄金属层连接电路元件来制造集成电路，从此平面工艺开始了复杂的集成电路时代，并一直沿用至今。1960年Bell实验室开发出外延沉积／注入技术，即将材料的单晶层沉积／注入到晶体衬底上。1961年，仙童公司和德州仪器公司共同推出了第一颗商用集成电路。1963年，RCA公司制造出第一片由金属氧化物半导体MOS（Metal O.xide Semiconductor）工艺制造的集成电路，同年仙童公司的Frank Wanlass提出并发表了互补型MOS集成电路的概念。外延沉积／注入技术广泛用于双极型和亚微米互补金属氧化物半导体CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）产品的加工。目前CMOS是应用最广泛的、高密度集成电路的基础。
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