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吉规模集成电路互连工艺及设计(国际信息工程先进技术译丛) 版权信息
- ISBN：9787111303015
- 条形码：9787111303015 ; 978-7-111-30301-5
- 装帧：暂无
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
吉规模集成电路互连工艺及设计(国际信息工程先进技术译丛) 本书特色
《吉规模集成电路互连工艺及设计》：国际半导体技术发展路线图（ITRS）预计到2011年将制造出吉规模集成电路（GSI）。即在单个芯片（die）上集成了多达10亿只晶体管。在这个集成10亿只晶体管的芯片上，由金属线构成的互连系统为每个晶体管提供电源、为锁存器和动态电路提供低偏差的同步时钟信号、并且在芯片内传输数据与控制信号。GSI电路采用多层互连网络，9至10个叠加的金属布线层将产生10亿亿个耦合电感与耦合电容，导致GSI互连系统的分析模型非常复杂，使得其设计复杂度也非常巨大。《吉规模集成电路互连工艺及设计》就阐述了21世纪GSI互连工艺与设计所面临的挑战及其带来的机遇。《吉规模集成电路互连工艺及设计》汇聚了来自佐治亚理工学院、麻省理工学院（MIT）、斯坦福大学等学术界研究成果，以及来自IBM公司T.J.Watson研究中心、LSILogic公司和SUN微系统公司等产业界研究成果。《吉规模集成电路互连工艺及设计》内容独特，涵盖了广泛的IC互连研究内容，下至IBM革命性的铜互连工艺，上至面向互连的计算机体系结构。权威学者在书中对互连工艺与设计技术进行了全方位、多视角的论述，有助于读者理解作为下一代半导体工业里程碑的吉规模集成电路的具体内涵。
吉规模集成电路互连工艺及设计(国际信息工程先进技术译丛) 目录
译者序原书前言第1章 GSI所带来的互连机遇1.1 引言1.2 互连问题1.3 反向缩小技术1.4 片上系统1.5 三维集成1.6 输入/输出互连的强化1.7 光子互连1.8 小结参考文献第2章 用于硅材料CMOS逻辑的铜材料BEOL互连技术2.1 引言2.2 BEOI，演化2.3 铜的特性2.4 铜的电镀2.5 铜互连的可靠性2.6 铜互连的生产2.7 小结参考文献3章互 连线电阻、电容、电感寄生参数的提取3.1 引言3.2 电磁方程3.3 电阻提取3.4 电容提取3.5 电感提取3.6 小结参考文献第4章 分布式RC和RLC瞬态模型4.1 引言4.2 分布式RC模型4.3 分布式RLC模型4.4 非理想返回路径4.5 小结参考文献第5章 电源、时钟和全局信号传输5.1 引言5.2 全局信号互连建模5.3 全局时钟传输建模5.4 全局电源供电建模5.5 全局互连的集成架构5.6 小结参考文献第6章 随机多层互连的建模与优化6.1 引言6.2 线长分布模型6.3 线网模型近似6.4 与实际数据的比较6.5 关键路径模型6.6 动态功耗模型6.7 *优咒阶多层互连架构6.8 小结参考文献第7章 以互连为中心的计算机体系结构7.1 引言和研究动机7.2 面向互连的体系结构7.3 互连需求模型7.4 相关研究7.5 GENESYS的组织和模型7.6 异构型体系结构模型7.7 系统设计分析7.8 互连需求及其与体系结构的关系7.9 小结参考文献第8章 芯片到模块间的互连8.1 引言8.2 封装和芯片到模块的发展趋势8.3 微通孔印制电路板技术8.4 用于GSI的芯片到模块问互连参考文献第9章 三维芯片DSM工艺互连的性能建模与分析9.1 引言9.2 三维芯片的研究动机9.3 本章的研究范围9.4 三维集成电路面积与性能估计9.5 三维芯片的挑战9.6 三维芯片对电路设计和片上系统应用带来的影响9.7 三维芯片工艺回顾9.8 小结参考文献第10章 硅微光子学10.1 引言10.2 光学互连10.3 单片硅微光子学10.4 光学时钟传输与数据I/O10.5 小结参考文献
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吉规模集成电路互连工艺及设计(国际信息工程先进技术译丛) 节选
《吉规模集成电路互连工艺及设计》是集成电路互连设计领域的一部力作，汇聚了来自北美著名高校与研究机构的研究成果，涵盖了IC互连的研究内容：上至面向互连的计算机体系结构，下至1BM公司开创的革命性的铜互连工艺。目前包括多核CPU在内的主流高端芯片均是吉规模集成电路，权威学者在书中对互连工艺与设计技术所进行的全方位多视角论述，有助于读者理解吉规模集成电路的具体技术内涵。《吉规模集成电路互连工艺及设计》可供从事IC设计的相关技术人员参考，也可作为微电子专业高年级本科生和研究生的教材。
吉规模集成电路互连工艺及设计(国际信息工程先进技术译丛) 相关资料
插图：2.6.1 加工方法的变化虽然由铝铜刻蚀工艺到铜大马士革工艺的转换的确是一个革命，这个转换实际上只要对多芯片生产的加工环节进行一个小的改变就能得到。为了充分利用现有的设备实现这个转换，我们需要增加的设备仅仅是一个自动镀铜系统。这个转换同时使得目前一些现有的设备，如用于金属RIE、淀积一刻蚀二氧化硅等的设备，现在需要被淘汰。然而，虽然对加工设备的改变很小，我们需要花很大的功夫在现有的设备基础上开发新的工艺以提高铜互连生产的良率。例如，这是第一次双大马士革工艺被用于多层互连生产，从而为了成功实现集成，我们需要克服大量的光刻和反应离子刻蚀带来的挑战。人们还需要解决一些加工问题，如将介质淀积工艺从填隙的应用变为平面层间介质的应用带来的问题。类似地，如我们在衬垫一节所讨论的，我们需要开发新的壁垒淀积工艺。另外，还需要花大量的努力来开发铜和衬垫抛光的技术，这样才能得到平面的互连。最后，很重要的是，我们需要认识到这些所有工艺的集成带来的挑战。深刻地了解这些工艺之间的相互作用，以及它们对最终互连中铜的微观结构，以及铜和周围衬垫和介质材料的界面带来的影响，对于得到一个高良率及高可靠性的铜互连是十分必要的。2.6.2 生产上的考虑对于一个低成本量产的工艺流程来说，关键是优化每个单步工艺。另外，将这些工艺集成起来生产一个高良率、高可靠性的芯片也是至关重要的。例如，如图2-9所示，通过适当的优化工艺化学过程的是可能实现无空洞无缝隙的单个互连的电镀结构的。
吉规模集成电路互连工艺及设计(国际信息工程先进技术译丛) 作者简介
作者：（美国）戴维思（Jeffrey A.Davis） （美国）迈恩（James D.Meindl） 译者：骆祖莹 叶佐昌 吕勇强 等
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