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信息功能材料手册-上

作者：组织编写

出版社：化学工业出版社出版时间：2009-07-01

开本： 16开 页数： 649 页

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信息功能材料手册-上版权信息

ISBN：9787122053381
条形码：9787122053381 ; 978-7-122-05338-1
装帧：暂无
册数：暂无
重量：暂无
所属分类：
工业技术
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信息功能材料手册-上目录

第1篇概论第1章信息功能材料在信息技术中的战略地位第2章信息功能材料的发展现状和趋势第2篇半导体硅材料第1章概述第2章硅单晶的制备第3章硅晶体的机械性质第4章硅晶体表面性质第5章硅晶体的腐蚀第6章硅晶片加工工艺第7章硅单晶的缺陷第8章硅单晶中轻元素杂质第9章硅单晶中的过渡族金属杂质和吸杂第10章其它硅材料第11章硅材料的发光第3篇集成电路制造技术第1章集成电路设计技术第2章微细加工技术第3章集成电路工艺技术第4章 CMOS器件及电路制造技术第5章双极型器件及电路制造技术第6章半导体功率器件及电路第7章化合物半导体器件和电路第8章集成电路封装技术第4篇硅基异质结构材料和器件第1章概论第2章 SiGe的晶体结构第3章 SiGe的能带结构第4章 SiGe的力学性质、热学性质和Raman光谱第5章 SiGe的电学性质和磁学性质第6章 SiGe的光学性质第7章 SiGe（001）的原子再构和表面性质第8章 SiGeC/Si异质结第9章硅基Ⅲ—Ⅴ族半导体异质结构第10章 SOI材料和器件第11章硅基二氧化硅材料第第12章 Si基异质结构的外延生长第13章 Si基异质结构电子器件第14章硅基光电子器件第5篇化合物半导体材料第1章 CaAs和InP的结构和性质第2章 GaAs和InP的制备第3章 GaAs和InP中的杂质和缺陷第4章 GaAs和InP测试表征第5章 GaAs和InP的应用第6章其他常见化合物半导体材料第6篇宽带隙半导体及其应用第1章导论第2章 Ⅲ族氮化物半导体材料第3章 Ⅲ族氮化物半导体基本物理性质第4章 Ⅲ族氮化物半导体器件应用第5章氧化锌（ZnO）半导体第6章碳化硅半导体第7章金刚石半导体第8章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体第9章宽禁带稀释磁性半导体材料

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信息功能材料手册-上节选

《信息功能材料手册(上)》涉及信息的获取、传输、存储、显示和处理等主要技术用的材料与器件，对各种材料的结构、性能、制备工艺以及电子器件的制造和应用都进行了详细的介绍。本书不仅全面系统地反映了国外信息功能材料研究领域的现状、*新进展和发展趋势，而且也特别注重我国在该领域的研发和产业化方面取得的成果，力图使其具有实用性、先进性和权威性。本书的出版，将有力推动我国信息技术和信息产业的健康发展。《信息功能材料手册(上)》主要供从事信息功能材料的科研工作者和工程技术人员查阅使用。

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