扫一扫
关注中图网
官方微博
本类五星书更多>
-
>
湖南省志(1978-2002)?铁路志
-
>
公路车宝典(ZINN的公路车维修与保养秘籍)
-
>
晶体管电路设计(下)
-
>
基于个性化设计策略的智能交通系统关键技术
-
>
德国克虏伯与晚清火:贸易与仿制模式下的技术转移
-
>
花样百出:贵州少数民族图案填色
-
>
识木:全球220种木材图鉴
SOI——纳米技术时代的高端硅基材料 版权信息
- ISBN：9787312022333
- 条形码：9787312022333 ; 978-7-312-02233-3
- 装帧：暂无
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>
SOI——纳米技术时代的高端硅基材料 内容简介
本书收集的纳米技术时代的高端硅基SOI材料方面的研究论文40篇，主要内容包括：SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展，SOI新材料的制备科学，SOI材料与器件特有的物理效应，绝缘体上锗硅(silicon germanium on insulator，SGOI)新结构和应变硅的制备科学，SOI技术的若干应
SOI——纳米技术时代的高端硅基材料 目录
soi——纳米技术时代的高端硅基材料进展
纳米技术时代的高端硅基材料——soi、ssoi和goi
soi技术的发展动态
硅基光电子材料和器件的进展和发展趋势
fabrication of sige-on-insulator and applications for strained si
overview of soi materials technology in china
soi新材料的制备科学
以注氧隔离(simox)技术制备高阻soi材料
硅中注h+引起的缺陷和应力以及剥离的机制
以aln为绝缘埋层的新结构soan材料
多孔硅外延层转移技术制备soi材料
eltran技术制备双埋层soim新结构
soi新结构——soi研究的新动向
fabrication of silicon．on．aln novel structure and its residual strain characterization·
buried tungsten silicide layer in silicon on insulator substrate by smart-cut
void—free low-temperature silicon direct—bonding technique using plasma activation
microstructure and crystallinity of porous silicon and epitaxial silicon layers fabricated on p+porous silicon
formation of silicon-on-diamond by direct bonding of plasma-synthesized diamond-like carbon to silicon
thermal stability of diamondlike carbon buried layer fabricated by plasma immersion ion implantation and deposition in silicon on insulator
study of soi substrates incorporated with buried mosiz layer
soi材料与器件特有的物理效应
s0i mosfet浮体效应研究
soi mosfet的自加热效应研究
s0i器件的辐射效应及其在抗辐射电子学方面的应用进展
evolution of hydrogen and helium co-implanted single-crystal silicon during annealing
……
sgoi新结构和应变硅的制备科学
soi技术的若干应用研究
纳米技术时代的高端硅基材料——soi、ssoi和goi
soi技术的发展动态
硅基光电子材料和器件的进展和发展趋势
fabrication of sige-on-insulator and applications for strained si
overview of soi materials technology in china
soi新材料的制备科学
以注氧隔离(simox)技术制备高阻soi材料
硅中注h+引起的缺陷和应力以及剥离的机制
以aln为绝缘埋层的新结构soan材料
多孔硅外延层转移技术制备soi材料
eltran技术制备双埋层soim新结构
soi新结构——soi研究的新动向
fabrication of silicon．on．aln novel structure and its residual strain characterization·
buried tungsten silicide layer in silicon on insulator substrate by smart-cut
void—free low-temperature silicon direct—bonding technique using plasma activation
microstructure and crystallinity of porous silicon and epitaxial silicon layers fabricated on p+porous silicon
formation of silicon-on-diamond by direct bonding of plasma-synthesized diamond-like carbon to silicon
thermal stability of diamondlike carbon buried layer fabricated by plasma immersion ion implantation and deposition in silicon on insulator
study of soi substrates incorporated with buried mosiz layer
soi材料与器件特有的物理效应
s0i mosfet浮体效应研究
soi mosfet的自加热效应研究
s0i器件的辐射效应及其在抗辐射电子学方面的应用进展
evolution of hydrogen and helium co-implanted single-crystal silicon during annealing
……
sgoi新结构和应变硅的制备科学
soi技术的若干应用研究
展开全部
SOI——纳米技术时代的高端硅基材料 作者简介
林成鲁，1965年毕业于中国科技大学近代化学系，现为中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师，上海新傲科技有限公司总工程师。长期从事高端硅基半导体新材料SOI(silicon on insulator)的研究。20世纪80年代，在国内率先开展SOI技术基础研究；90年代，作为SOI创新项目总设计师，组织领导突破SOI材料工程化的关键技术；2001年开始，作为新傲公司总工程师，为成功实现SOI研究成果转化，打破国外的技术封锁，为建成国内唯一的SOI材料工业化生产线做出了重要贡献，实现了我国微电子材料的跨越式发展，取得了重大的经济和社会效益。先后承担国家攻关、“973”、“863”等多项国家重大项目。在国内外刊物上发表论文300余篇，被SCI收录的论文240余篇。申请的国家发明专利19项，其中已授权12项。前后已为国家培养数十名研究生，所培养的研究生中获全国百篇优秀博士论文2名。曾获得国家科技进步一等奖、中科院杰出科技成就奖等十一项奖励。
书友推荐
- >
巴金－再思录
巴金－再思录
¥15.2¥46.0 - >
中国人在乌苏里边疆区:历史与人类学概述
中国人在乌苏里边疆区:历史与人类学概述
¥20.6¥48.0 - >
苦雨斋序跋文-周作人自编集
苦雨斋序跋文-周作人自编集
¥6.9¥16.0 - >
经典常谈
经典常谈
¥27.9¥39.8 - >
姑妈的宝刀
姑妈的宝刀
¥9.6¥30.0 - >
月亮虎
月亮虎
¥15.4¥48.0 - >
朝闻道
朝闻道
¥13.8¥23.8 - >
山海经
山海经
¥20.4¥68.0
本类畅销
-
黑科技驱动世界的100项技术
¥21.9¥69.8 -
黑科技:驱动世界的100项技术(八品)
¥21.9¥69.8 -
指火控弹道与射击诸元理论
¥38.7¥49 -
智能照明工程手册
¥29.9¥49.8 -
光电直读光谱分析技术与应用
¥38.7¥49 -
服务型制造
¥76.3¥109
