扫一扫
关注中图网
官方微博
本类五星书更多>
-
>
湖南省志(1978-2002)?铁路志
-
>
公路车宝典(ZINN的公路车维修与保养秘籍)
-
>
晶体管电路设计(下)
-
>
基于个性化设计策略的智能交通系统关键技术
-
>
德国克虏伯与晚清火:贸易与仿制模式下的技术转移
-
>
花样百出:贵州少数民族图案填色
-
>
识木:全球220种木材图鉴
买过本商品的人还买了
新时代·技术新未来从发明到/科学家和工程师指南
¥69.3¥99.0智能系统与技术丛书:智能自主无人机先进任务与未来应用
¥79.2¥99.0未来小趋势
¥27.0¥55.0小趋势:决定未来大变革的潜藏力量
¥37.8¥68.8发明的伦理:技术与人类未来
¥45.2¥58.0
硅技术的发展和未来 版权信息
- ISBN：9787502445362
- 条形码：9787502445362 ; 978-7-5024-4536-2
- 装帧：暂无
- 册数：暂无
- 重量：暂无
- 所属分类：>>
硅技术的发展和未来 内容简介
本书涵盖了半导体硅及硅基材料、多晶硅和光伏技术、硅外延和薄膜、硅掺杂、器件、化合物半导体、品格缺陷、杂质影响等多方面的内容，并涉及量子计算机、碳纳米管在微电子中的应用、情境智能系统、大脑半导体等诸多新概念；系统总结了世界半导体硅材料的发展历史、研究现状，并指出了今后的发展方向。其内容广泛，数据详实，可作为高等院校、科研院所和相关单位从事半导体材料学习、科研和开发人员的参考用书。
硅技术的发展和未来 目录
1 导论：各种形式的硅
1.1 引言
1.2 从20世纪60年代到70年代初：能带
1.3 20世纪70年代：应用于硅的表面理论
1.4 20世纪80年代：硅的结构能
1.5 20世纪90年代：硅团簇与量子点的结构和电子性质
1.6 未来展望
参考文献
**部分 半导体体硅晶体
2 硅：半导体材料
2.1 引言
2.2 早期历史
2.3 硅研究中的竞争与合作
2.4 *初的器件应用
2.5 mos技术和集成
2.6 结论
参考文献
3 硅：一个工业奇迹
3.1 引言
3.2 主要制程
3.3 硅材料生产工艺
参考文献
第二部分 多晶硅
4 电子器件用多晶硅薄膜
4.1 引言
4.2 多晶硅薄膜分类
4.3 多晶硅生长和微晶结构
4.3.1 cvd多晶硅
4.3.2 非晶硅晶化的多晶硅
4.3.3 cvd多晶硅晶界化学
4.3.4 多晶硅的掺杂
4.4 多晶硅的电性能
4.5 结论
参考文献
5 光伏用硅
5.1 引言
5.2 光伏用硅材料
5.2.1 不同生产工艺的历史与现状
5.2.2 薄膜沉积工艺
5.3 光伏硅的输运特性
5.3.1 缺陷及杂质对硅输运性质的影响
5.3 .2吸除改善材料性能
5.4 硅太阳电池
5.4.1 硅太阳电池技术与其他技术的比较
5.4.2 多晶硅太阳电池技术
5.5 结论
参考文献
第三部分 外延，薄膜和多孔层
6 分子束外延薄膜
6.1 设备原理和生长机理
6.2 历史概述；
6.3 应变异质结构的稳定性
6.3.1 应变层的临界厚度
6.3.2 亚稳态膺晶生长
6.3.3 器件结构的加工和退火
6.4 硅mbe生长膜中掺杂剂的分布
6.4.1 掺杂问题
6.4.2 突变和δ型掺杂分布
6.5 半导体器件研究
6.5.1 异质结双极晶体管（hbt）
6.5.2 sigemosfet和modfet
6.5.3 垂直mosfet结构
6.6 若干研究重点介绍
6.6.1 级联激光器
6.6.2 表面结构
6.6.3 自组织和有序化
6.7 结论
参考文献
7 氢化非晶硅（a-si：h）
7.1 引言
7.2 a-si的制备和结构性质
7.3 a-si：h的电学性质
7.4 光致发光和光电导
7.5 亚稳态
7.6 a-si太阳电池
参考文献
第四部分 品格缺陷
第五部分 硅掺杂
第六部分 某些杂质的作用
第七部分 器件
第八部分 对硅的补充：化合物半导体
第九部分 新的研究领域
list of contribrtors
1.1 引言
1.2 从20世纪60年代到70年代初：能带
1.3 20世纪70年代：应用于硅的表面理论
1.4 20世纪80年代：硅的结构能
1.5 20世纪90年代：硅团簇与量子点的结构和电子性质
1.6 未来展望
参考文献
**部分 半导体体硅晶体
2 硅：半导体材料
2.1 引言
2.2 早期历史
2.3 硅研究中的竞争与合作
2.4 *初的器件应用
2.5 mos技术和集成
2.6 结论
参考文献
3 硅：一个工业奇迹
3.1 引言
3.2 主要制程
3.3 硅材料生产工艺
参考文献
第二部分 多晶硅
4 电子器件用多晶硅薄膜
4.1 引言
4.2 多晶硅薄膜分类
4.3 多晶硅生长和微晶结构
4.3.1 cvd多晶硅
4.3.2 非晶硅晶化的多晶硅
4.3.3 cvd多晶硅晶界化学
4.3.4 多晶硅的掺杂
4.4 多晶硅的电性能
4.5 结论
参考文献
5 光伏用硅
5.1 引言
5.2 光伏用硅材料
5.2.1 不同生产工艺的历史与现状
5.2.2 薄膜沉积工艺
5.3 光伏硅的输运特性
5.3.1 缺陷及杂质对硅输运性质的影响
5.3 .2吸除改善材料性能
5.4 硅太阳电池
5.4.1 硅太阳电池技术与其他技术的比较
5.4.2 多晶硅太阳电池技术
5.5 结论
参考文献
第三部分 外延，薄膜和多孔层
6 分子束外延薄膜
6.1 设备原理和生长机理
6.2 历史概述；
6.3 应变异质结构的稳定性
6.3.1 应变层的临界厚度
6.3.2 亚稳态膺晶生长
6.3.3 器件结构的加工和退火
6.4 硅mbe生长膜中掺杂剂的分布
6.4.1 掺杂问题
6.4.2 突变和δ型掺杂分布
6.5 半导体器件研究
6.5.1 异质结双极晶体管（hbt）
6.5.2 sigemosfet和modfet
6.5.3 垂直mosfet结构
6.6 若干研究重点介绍
6.6.1 级联激光器
6.6.2 表面结构
6.6.3 自组织和有序化
6.7 结论
参考文献
7 氢化非晶硅（a-si：h）
7.1 引言
7.2 a-si的制备和结构性质
7.3 a-si：h的电学性质
7.4 光致发光和光电导
7.5 亚稳态
7.6 a-si太阳电池
参考文献
第四部分 品格缺陷
第五部分 硅掺杂
第六部分 某些杂质的作用
第七部分 器件
第八部分 对硅的补充：化合物半导体
第九部分 新的研究领域
list of contribrtors
展开全部
硅技术的发展和未来 节选
《硅技术的发展和未来》涵盖了半导体硅及硅基材料、多晶硅和光伏技术、硅外延和薄膜、硅掺杂、器件、化合物半导体、品格缺陷、杂质影响等多方面的内容，并涉及量子计算机、碳纳米管在微电子中的应用、情境智能系统、大脑半导体等诸多新概念；系统总结了世界半导体硅材料的发展历史、研究现状，并指出了今后的发展方向。其内容广泛，数据详实，可作为高等院校、科研院所和相关单位从事半导体材料学习、科研和开发人员的参考用书。
书友推荐
- >
莉莉和章鱼
莉莉和章鱼
¥13.4¥42.0 - >
自卑与超越
自卑与超越
¥12.7¥39.8 - >
巴金－再思录
巴金－再思录
¥14.7¥46.0 - >
名家带你读鲁迅:朝花夕拾
名家带你读鲁迅:朝花夕拾
¥10.5¥21.0 - >
伯纳黛特,你要去哪(2021新版)
伯纳黛特,你要去哪(2021新版)
¥15.9¥49.8 - >
上帝之肋:男人的真实旅程
上帝之肋:男人的真实旅程
¥19.3¥35.0 - >
随园食单
随园食单
¥15.4¥48.0 - >
姑妈的宝刀
姑妈的宝刀
¥9.0¥30.0
本类畅销
-
4.23文创礼盒A款--“作家言我精神状态”
¥42.3¥206 -
4.23文创礼盒B款--“作家言我精神状态”
¥42.3¥206 -
一句顶一万句 (印签版)
¥40.4¥68 -
百年书评史散论
¥14.9¥38 -
1980年代:小说六记
¥52.8¥69 -
中图网经典初版本封面-“老人与海”冰箱贴
¥20¥40
